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王琦

作品数：119 被引量：20H指数：2
供职机构：北京邮电大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目国家自然科学基金创新研究群体项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 97篇专利
  • 12篇学位论文
  • 4篇期刊文章
  • 4篇科技成果
  • 2篇会议论文

领域

  • 26篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇文化科学
  • 3篇经济管理
  • 3篇化学工程
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇政治法律
  • 1篇语言文字
  • 1篇理学

主题

  • 26篇光电
  • 19篇探测器
  • 19篇纳米
  • 16篇半导体
  • 14篇光电探测
  • 13篇衬底
  • 12篇晶格
  • 12篇光电探测器
  • 12篇光电子
  • 11篇金属
  • 11篇激光
  • 11篇激光器
  • 11篇波长
  • 11篇传感
  • 10篇金属纳米
  • 9篇谐振腔
  • 8篇金属纳米颗粒
  • 8篇晶格失配
  • 7篇硅基
  • 7篇垂直腔

机构

  • 119篇北京邮电大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 119篇王琦
  • 95篇任晓敏
  • 79篇黄永清
  • 42篇刘凯
  • 37篇段晓峰
  • 29篇蔡世伟
  • 26篇黄辉
  • 17篇王俊
  • 15篇刘昊
  • 14篇张霞
  • 10篇袁学光
  • 9篇王兴妍
  • 9篇杨一粟
  • 8篇贾志刚
  • 6篇叶显
  • 6篇张阳安
  • 4篇吕吉贺
  • 4篇闫映策
  • 4篇郭欣
  • 4篇郭经纬

传媒

  • 1篇中国无线电管...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光学学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第九届全国青...
  • 1篇第九届全国青...

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 11篇2022
  • 7篇2021
  • 13篇2020
  • 11篇2019
  • 5篇2018
  • 9篇2017
  • 8篇2016
  • 6篇2015
  • 5篇2014
  • 7篇2013
  • 1篇2012
  • 7篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2005
  • 7篇2004
共 119 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术
本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问...
黄辉任晓敏吕吉贺蔡世伟王琦黄永清
文献传递
GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法
本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子...
王琦贾志刚郭欣任晓敏黄永清
文献传递
晶片键合表面处理剂及晶片键合方法
本发明揭示了一种晶片键合工艺中的表面处理剂以及晶片键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硫化物溶液，其溶质选自硫脲(CS(NH<Sub>2</Sub>)<Sub>2</Sub>)，硫化氨((NH<Sub>4</Sub>)<...
黄辉任晓敏王兴妍王琦黄永清
文献传递
纳米线异质外延生长方法
本发明涉及一种纳米线异质外延生长方法，其中纳米线材料与衬底材料间存在晶格失配，包括如下步骤：a、在衬底上生长缓冲层，该缓冲层材料与纳米线材料的晶格失配度小于10％；b、在上述缓冲层上沉淀金属纳米颗粒或金属薄膜，退火，使金...
任晓敏黄辉郭经纬叶显王琦蔡世伟黄永清
文献传递
一种SERS基底及其制备方法
本发明提供了一种SERS基底及其制备方法，涉及拉曼光谱技术领域。所述方法包括：S0，对衬底依次进行清洗和亲水性处理；S1，采用单分散的纳米小球、纳米晶或量子点，在所述衬底表面形成至少一层规则排布的自组装阵列结构；S2，在...
王琦候旭毛国明刘凯任晓敏
单模垂直腔面发射激光器芯片
本申请提供一种单模垂直腔面发射激光器芯片及包含其的激光器，该芯片包括：依次设置的芯片衬底、缓冲层、芯片底镜结构、光学腔以及芯片顶镜结构；沿芯片衬底至芯片顶镜结构的方向，光学腔依次设有第一包层、有源区层、第二包层以及电流限...
刘凯董晓雯钟云凤黄永清段晓峰王琦任晓敏
一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器
本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层...
黄永清牛慧娟刘凯李献杰段晓峰杨一粟任晓敏蔡世伟王琦王俊位祺王欢欢支华云
文献传递
GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器
本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱...
王琦贾志刚郭欣任晓敏黄永清
文献传递
一种石墨烯气体传感器及其制备方法
本发明实施例公开了一种石墨烯气体传感器及其制备方法。该方法首先在衬底上依次沉积牺牲层和应变薄膜，接着，直接在应变薄膜上制备石墨烯层或将已制备好的石墨烯层转移至应变薄膜上，通过光刻和腐蚀形成台面，同时将牺牲层暴露出来；然后...
王琦毛国明高云霞任晓敏
一种非特意掺杂III-V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用
本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂II...
黄永清杨丹刘凯段晓峰杜嘉薇王俊王琦任晓敏蔡世伟
文献传递
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