- 激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布
- 1998年
- 采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型分布，和半绝缘ＧａＡｓ晶片中ＥＰＤ的“Ｗ”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上，对ＧａＡｓ晶片的寿命进行了讨论。
- 屠海令张峰翊王永鸿钱嘉裕马碧春
- 关键词：半绝缘砷化镓
- 掺铬φ３ＬＥＣ半绝缘砷化镓单晶生长
- 马碧春王永鸿
- 关键词：砷化镓晶体生长单晶半绝缘体
- ＬＥＣ法ＧａＡｓ孪晶成因的探讨
- 濮玉梅王永鸿
- 关键词：砷化镓半绝缘体孪晶间界晶体缺陷
- GaAs:Cr中的Cr^(4+)(3d^2 )态的光激发电子顺磁共振研究
- 1991年
- 本文报道GaAs∶Cr中Cr^(4+)(3d^2)态的光激发电子顺磁共振(EPR)研究结果.实验表明,Cr_(4+)的EPR信号强度对温度关系在20-30K间达极大值.中子辐照能抑制Cr^(4+)的EPR信号,但对Cr^(2+)的EPR信号基本无影响.实验首次发现Cr^(4+)EPR信号在光照停止后先陡然增大然后逐渐下降,而不是光照停止后随即单调下降的现象.
- 毛晋昌傅济时吴恩秦国刚王永鸿马碧春
- 关键词：砷化镓深能级顺磁共振
- 蒸汽压控制直拉单晶生长装置
- 本实用新型公开了一种蒸汽压控制直拉单晶生长装置,属于半导体晶体生长设备技术领域。该装置包括单晶炉、加热装置、机械传动装置和气体调节装置,在单晶炉体中装有热密封容器,热密封容器由上、下容器体组成,上、下容器体之间装有密封连...
- 屠海令王永鸿钱嘉裕宋萍张峰燚
- 文献传递
- GaAs/SiO_2超晶格的制备和Raman光谱研究
- 2000年
- 我们采用射频磁控溅射方法在 p- Si衬底上成功地制备出四周期的非晶 Ga As/Si O2超晶格 ,并取得其高分辨率电镜像。以 80 0℃快速退火方法使超晶格中非晶的 Ga As层局部晶化 ,利用 Raman散射谱研究了其结构变化。
- 衡成林王孙涛秦国刚王敬王永鸿陈坚邦濮玉梅陈晶
- 关键词：超晶格砷化镓拉曼光谱
- 垂直凝固法（VF）生长砷化镓单晶
- 1996年
- 垂直凝固法（ＶＦ）生长砷化镓单晶宋萍王永鸿马碧春濮玉梅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：垂直凝固法（ＶＦ）砷化镓（一）引言砷化镓等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料在高速发展的电子领域中起着重要的作用。电子器件的需求不断推动着单晶生长技术的发展。而...
- 宋萍王永鸿马碧春濮玉梅
- 关键词：砷化镓单晶
- 坩埚杆动态热密封装置
- 本实用新型涉及一种晶体生长设备中的坩埚杆的动态热密封装置,属于半导体制作设备的技术领域。该坩埚杆动态热密封装置主要由密封室及密封环构成,密封室内带有环形凹槽,底部带有用于坩埚杆穿过的中心孔,密封环带有凹槽,密封环与密封室...
- 屠海令王永鸿钱嘉裕宋萍张峰燚
- 文献传递
- 砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景
- 随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料正沿着大直径、高质量、低成本方向迅速发展。本文着重叙述了GaAs 单晶工艺技术现状,讨论了...
- 屠海令郑安生张峰翊邓志杰王永鸿钱嘉裕韩庆彬陈坚邦
- 关键词：晶体生长砷化镓
- 文献传递
- GaAs单晶滑移位错X射线形貌术研究被引量：2
- 1989年
- 应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In砷化镓单晶的滑移位错。观察到由于位错密度不同,其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释。
- 麦振洪葛培文何杰崔树范贺楚光马碧春陈坚邦王永鸿
- 关键词：砷化镓单晶位错X射线
