王晓艳
- 作品数：46 被引量：37H指数：4
- 供职机构：长安大学电子与控制工程学院更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 一种H-3碳化硅同位素电池及其制造方法
- 本发明公开了一种H‑3碳化硅同位素电池及其制造方法，包括自下而上包括N型高掺杂SiC衬底，P型SiC欧姆接触掺杂区，在P型SiC欧姆接触掺杂区上部的部分区域设有第一N型SiC外延层，在第一N型SiC外延层的上方设第二N型...
- 张林朱礼亚王晓艳
- 文献传递
- 基于光纤传感技术的物联网数据监测研究被引量：5
- 2018年
- 数据监测是物联网应用的基础,当前数据监测方法存在数据重复率高、监测精度低等缺陷,为了获得理想的物联网数据监测结果,设计了一种基于光纤传感器技术的物联网数据监测方法。首先采用物联网对研究对象的数据进行采集,并对数据进行分类,然后根据证据理论对数据类别加权和融合,降低数据之间信息的冗余度,并采用光纤传感技术作为数据通信介质,加快物联网数据传输速度,最后进行了物联网数据监测的仿真测试。结果表明,本文系统提高了物联网数据的监测精度,稳定性高,物联网数据的监测速度快。
- 俞梁英俞梁英
- 关键词：光纤传感技术物联网数据监测数据融合
- 四方晶系应变Si空穴散射机制被引量：2
- 2012年
- 基于Fermi黄金法则及Boltzmann方程碰撞项近似理论,推导建立了(001)弛豫Si(_1-x)Ge_x衬底外延四方晶系应变Si空穴散射几率与应力及能量的理论关系模型,包括离化杂质、声学声子、非极性光学声子及总散射概率(能量40 meV时)模型.结果表明:当Ge组分(x)低于0.2时,应变Si/(001)Si_(1-x)Ge_x材料空穴总散射概率随应力显著减小.之后,其随应力的变化趋于平缓.与立方晶系未应变Si材料相比,四方晶系应变Si材料空穴总散射概率最多可减小66%.应变Si材料空穴迁移率增强与其散射概率的减小密切相关,本文所得量化模型可为应变Si空穴迁移率及PMOS器件的研究与设计提供理论参考.
- 宋建军张鹤鸣胡辉勇王晓艳王冠宇
- 关键词：应变SI迁移率
- 一种Brokaw带隙电压基准的分析与设计被引量：5
- 2007年
- 目的在分析运算放大器对带隙基准影响的基础上,分析并设计一种Brokaw(2.5V,13.3×10-6/℃)的带隙电压基准。方法以Brokaw带隙基准电压源结构为基础来进行设计。结果经过上华0.6μm Bicmos工艺的仿真,在温度-40℃到+85℃的变化范围内,基准电压变化范围为2.5±0.001V。其温度系数为13.3×10-6/℃。结论电路完成了一阶温度补偿,温度漂移较小。
- 王晓艳张志勇卢照敢周华
- 关键词：带隙基准温度系数运算放大器
- 一种复杂车路环境的偏振特征多尺度池化分类算法
- 本发明提出了一种针对复杂车路环境的偏振特征多尺度池化分类算法，实现了复杂车路环境下图像目标的分类。首先对车路环境介质状况进行分析，探索复杂车路环境下高质量的成像方式；其次基于模拟实验结果，设计偏振成像方案，并组装标定三通...
- 王会峰黄鹤关丽敏高荣温立民刘盼芝张佳佳王晓艳赵丹
- 文献传递
- 一种软启动开关电路
- 本实用新型提供一种软启动开关电路：机械微动按键开关的一端接地，另一端与电压比较器的同相输入端相连，钳位电路与电压比较器的反相输入端相连，电压比较器的比较输出端与嵌入式处理器的输入端口相连，嵌入式处理器的输出端口与采样控制...
- 王会峰汪贵平柴彩萍王晓艳关丽敏
- 文献传递
- 一种用于混凝土表观检测的矢量爬壁机器人及控制方法
- 本申请涉及一种用于混凝土表观检测的矢量爬壁机器人及控制方法，在机械结构上推陈出新，设计了新式的涵道矢量推进机构与机器人行进机构；在控制方面，机器人系统获取车体内部的姿态传感器和压力传感器的数据，解析此时涵道推进机构施加给...
- 王会峰朱朝辉官月圆杜浩张成艳张晓伟黄鹤王晓艳高荣徐娟惠飞
- 民办高校科研产出现状与提升对策研究——以学术论文为例
- 改革开放以来,特别是2002年以来,我国民办教育实现了跨越式发展,有效增加了教育服务供给,培养了大批合格人才,满足了人民群众多样化的教育需求,为创新我国教育体制机制、促进经济社会发展做出了积极贡献。民办高校能否在高等教育...
- 王晓艳
- 关键词：民办高校学术论文
- 文献传递
- 单轴应变硅UTBB NMOSFET电子能谷占有率解析模型
- 2020年
- 超薄体和隐埋氧化层(UTBB)全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)(UTBB FDSOI简称为UTBB)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道硅膜厚度小于体硅最大耗尽层宽度,基于传统三角形势阱近似的器件建模方法已不再适用,必须重新建立基于矩形势阱近似的器件模型。基于有限高度的矩形势阱近似模型求解沟道薛定谔方程,建立了单轴应变硅UTBB NMOSFET电子能谷占有率解析模型。结果表明,应变对UTBB NMOSFET电子能谷占有率影响较大;UTBB NMOSFET电子能谷占有率随沟道载流子浓度的变化趋势与常规NMOSFET器件不同;随着器件沟道硅膜厚度的增加,无限高度的矩形势阱近似计算误差较大。所建解析模型能直接用于硅基应变UTBB MOSFET迁移率、电流等参数计算,为器件及电路设计人员提供理论依据。
- 王晓艳徐小波张林
- 关键词：解析模型
- 半微量相平衡系统控制器
- 本发明提供一种半微量相平衡系统控制器，该控制器主要包括温度检测电路、温度设定电路、光电耦合电路、加热驱动电路、搅拌电机驱动电路、A/D电压采集电路、液晶显示接口电路以及核心处理单元电路。本发明通过温度检测电路获取半微量相...
- 王会峰赵雪丹李淑妮胡敏芳王晓艳
- 文献传递
