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王新

作品数：32 被引量：65H指数：5
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 7篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇频段
  • 6篇键合
  • 6篇硅片
  • 5篇直接键合
  • 5篇硅片直接键合
  • 4篇电子器件
  • 4篇真空电子
  • 4篇真空电子器件
  • 4篇真空微波
  • 4篇输出腔
  • 4篇速调管
  • 4篇天线
  • 4篇小型化
  • 4篇谐振特性
  • 3篇增益
  • 3篇慢波
  • 3篇慢波结构
  • 3篇晶体管
  • 3篇高增益
  • 3篇S波段

机构

  • 32篇电子科技大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 32篇王新
  • 16篇段兆云
  • 14篇王战亮
  • 14篇宫玉彬
  • 9篇汪菲
  • 8篇何进
  • 8篇陈星弼
  • 8篇巩华荣
  • 2篇杨光
  • 2篇周庆
  • 2篇唐涛
  • 2篇李新义
  • 1篇何进
  • 1篇韩磊
  • 1篇杨传仁
  • 1篇黄如
  • 1篇张兴
  • 1篇杜彩霞

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇半导体技术
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学
  • 1篇真空电子技术

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2007
  • 3篇2000
  • 6篇1999
  • 1篇1994
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
发射极开关晶闸管的研究
王新
关键词：晶闸管功率器件
左手材料扩展互作用速调管
本发明公开了一种左手材料扩展互作用速调管，属于微波真空电子器件领域。该速调管包括输入腔、中间腔、输出腔、以及两段漂移管；所述输入腔、中间腔、输出腔为内部设置有一组互补电开口谐振器单元的圆柱形谐振腔。本发明采用互补电开口谐...
段兆云王新詹翕睿汪菲李士锋王战亮宫玉彬
文献传递
一种基于环形辐射贴片的频率可重构微带天线
本发明公开了一种基于环形辐射贴片的频率可重构微带天线，属于天线技术领域。本发明将PIN二极管的位置通过金属化通孔从介质基板的上表面转移至下表面，电容仍焊接在介质基板上表面的辐射贴片上，并未在接地板上开槽，也未对辐射贴片的...
张宣铭段兆云汪菲王新李肖意王战亮巩华荣宫玉彬
硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性被引量：2
1999年
对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表明，为了降低界面自由能，界面SiO2必然最大限度地减少其表面积，从而以类球形小岛分布于界面上，其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍。假定平衡界面因子为12时，同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应，理论计算与实验结果相吻合。
何进王新陈星弼
关键词：硅片直接键合二氧化硅
无线数据多媒体业务交互平台设计与实现
随着电信产业和技术的飞速发展,MMS业务被认为是移动通信服务最终走向多媒体服务的基础。企业希望以无线数据业务增强自身的信息服务能力,运营商则希望以无线数据业务积累提供多媒体服务的经验,开辟新的业务增长点。 本文在对前人关...
王新
关键词：MMSJ2EE
文献传递
一种基于环形辐射贴片的频率可重构微带天线
本发明公开了一种基于环形辐射贴片的频率可重构微带天线，属于天线技术领域。本发明将PIN二极管的位置通过金属化通孔从介质基板的上表面转移至下表面，电容仍焊接在介质基板上表面的辐射贴片上，并未在接地板上开槽，也未对辐射贴片的...
张宣铭段兆云汪菲王新李肖意王战亮巩华荣宫玉彬
文献传递
VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计被引量：10
1999年
本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在此基础上提出了ＶＤＭＯＳ为均匀掺杂外延区时的优化设计理论：对于各种高压ＶＤＭＯＳ，只要外延区厚度取为同衬底浓度下突变结击穿时耗尽层宽度的最佳分割长度，即穿通因数Ｆ的倒数η为０７５ 时，就可保证外延区Ｒｏｎ为最小．凭借此理论，本文首次推出了ＶＤＭＯＳ外延区优化设计的严格理论公式，纠正了一些文献引用经验关系或突变结关系导出的设计公式的不准确性及错误结论．这些理论结果可直接作为功率ＭＯＳ等非电导调制器件的设计准则．
何进王新陈星弼
关键词：VDMOS场效应晶体管掺杂优化设计
高速率传送网平台的物理层编码研究与实现
当今时代信息技术的快速发展带来的是宽带需求的不断提升，大数据、视频、电信化应用等业务的出现或普及使得传统通信管道面临日益巨大的压力。随着上一代100G传送网络的成熟与世界范围内的推广，人们开始着手研发更高容量的下一代传送...
王新
关键词：传送网现场可编程逻辑门阵列
文献传递
硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性被引量：7
1999年
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍。
何进王新陈星弼
关键词：半导体工艺表面处理硅片直接键合
一种S波段小型化超构材料扩展互作用振荡器
本发明公开了一种S波段小型化超构材料(Metamaterial)扩展互作用振荡器，属于真空微波电子器件技术领域。本发明包括输出装置和圆形谐振腔；圆形谐振腔包括金属腔体和其内填充的N个互补开口环谐振器(CSRR)单元，N为...
王新段兆云杨光詹翕睿汪菲江胜坤李士锋王战亮宫玉彬
文献传递
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