王岱峰
- 作品数：17 被引量：76H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金中国工程物理研究院基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 高热导氮化铝陶瓷的制备方法
- 一种制备高导热氮化铝(AlN)陶瓷的方法。属于氮化物陶瓷领域。利用工业级CaC<Sub>2</Sub>与水极易反应的特性,在整个工艺过程中控制氧含量。作为添加物可以是单一CaC<Sub>2</Sub>,也可以是CaC<S...
- 王岱峰周艳平庄汉锐温树林郭景坤
- 文献传递
- Cu－TiC纳米晶复合薄膜的研究被引量：2
- 1995年
- 本文采用多靶磁控溅射技术，通过分别控制Ｃｕ和ＴｉＣ靶的溅射功率制取了不同ＴｉＣ含量的复合薄膜，采用ＸＲＤ、ＸＰＳ和ＴＥＭ技术分析了薄膜的组织结构，并测定了薄膜的硬度和电阻率。研究结果表明：随ＴｉＣ含量的增加，Ｃｕ－ＴｉＣ复合薄膜的晶粒逐步细化，直至形成纳米晶，与此相应，薄膜的硬度提高，导电性降低。
- 李戈扬王岱峰王公耀李鹏兴
- 关键词：磁控溅射铜碳化钛纳米晶粒
- 热挤压态SiC_P-LY12复合材料的超塑性变形被引量：2
- 1997年
- 未经任何热处理的热挤压态SiC_P-LY12复合材料在基体固相点附近获得超塑性变形,在温度495～510C、应变速率2×10^(-4)s^(-1)时,终断延伸率大于150%。对试验数据的分析表明,在前述变形参数范围内,复合材料的变形机制发生了变化,使终断延伸率显著升高,但复合材料超塑性变形过程的应变速率敏感性指数(m)在同一温度下的m值随应变速率降低而逐渐增大,其最高值并未对应于最大延伸率;同时,应力-应变曲线在通常的动态再结晶阶段后出现一个独特的应变硬化阶段,直至最终断裂。微结构观察发现,变形初期复合材料即发生动态再结晶,据此推测,前述异常硬化阶段可能与再结晶组织的长大有关。另一方面,SiC_P-Al界面在变形过程中严重弱化,成为裂纹优先扩展的路径,不利于获得高的延伸率。
- 王岱峰林君山李戈扬李鹏兴吴人洁
- 关键词：复合材料超塑变形动态再结晶
- 透明氮化铝陶瓷研究的新进展被引量：1
- 1998年
- 周艳平王岱峰庄汉锐温树林郭景坤
- 关键词：陶瓷氮化铝陶瓷透明性
- 碳纤维增强铝基复合材料界面结构分析被引量：3
- 1996年
- 碳纤维增强铝基复合材料界面结构分析王纪文＊李戈扬＊＊王岱峰王永瑞＊李鹏兴（上海交通大学材料科学系，＊材料科学系金属基复合材料国家重点实验室，上海２０００３０）（＊＊中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）碳纤维增强铝基复合材料具有高的比强度、比...
- 王纪文李戈扬王岱峰王岱峰王永瑞
- 关键词：碳纤维增强铝基复合材料
- 透明氮化铝陶瓷的制备被引量：9
- 1999年
- 以碳热还原法制备的氮化铝粉体为原料 ,CaC2 为烧结助剂 ,采用常规的热压烧结和无压烧结工艺在高温和低温下制备了透明的氮化铝陶瓷 .实验结果表明 ,碳热还原法制得的AlN粉纯度较高 ,粒度较小 ,粒径分布较窄 ,适宜制备透明AlN陶瓷 .在AlN陶瓷的致密化过程中 ,由于CaC2 的挥发从而使晶界得到净化 ,高度致密化导致AlN陶瓷透明 .所制备的AlN陶瓷从紫外、可见光到近红外波段均透明 ,对其显微结构的初步观察表明晶粒完整规则 ,紧密排列 。
- 周艳平王岱峰奚益明庄汉锐温树林郭景坤
- 关键词：透明陶瓷氮化铝陶瓷
- 透明氮化铝陶瓷的制备方法
- 本发明涉及一种透明氮化铝陶瓷的制备方法,属于非氧化物透明陶瓷领域。使用的起始粉料是用自蔓延法生产的平均粒径在7～8μm的粉料,使用的烧结助剂是工业纯的碳化钙(3wt%),或工业纯的碳化钙和稀土氧化物,加入量为2～4wt%...
- 周艳平王岱峰庄汉锐温树林郭景坤
- 文献传递
- 高导热AIN陶瓷研究进展
- 在回顾氮化铝陶瓷研究历史的基础上，对最近国内外高导热ＡｌＮ陶瓷的研究工作进行了全面的评述，包括粉体制备、烧结助剂、烧结工艺、烧结气氛及烧结后热处理等方面，着重从微观结构出发探讨了诸因素对ＡｌＮ导热性能的影响，并介绍了该领...
- 王岱峰蔡杰
- 关键词：氮化铝陶瓷热导率粉末成型
- 透明氮化铝陶瓷的制备被引量：14
- 1999年
- 本文采用碳热还原法制得的 Ａｌ Ｎ 粉， 使用烧结剂 Ｃａ Ｃ２ ， 热压制备了透明氮化铝陶瓷实验证明， 纯度高、粒径较小、且均匀的 Ａｌ Ｎ 粉是制备透明 Ａｌ Ｎ 陶瓷的必要条件 Ａｌ Ｎ 陶瓷从紫外、可见光到近红外均透明， 显微结构研究表明， Ａｌ Ｎ 陶瓷透明是由于晶粒完整规则， 紧密排列， 晶界干净， 而气孔、晶粒内和晶界第二相杂质。
- 周艳平王岱峰奚益明庄汉锐温树林郭景坤严东生
- 关键词：透明陶瓷氮化铝陶瓷
- 梯度过渡涂层的制备被引量：4
- 1996年
- 本文采用多靶磁控溅射技术制备ＴｉＣ／Ａｌ界面梯度过渡层，过渡层由ＴｉＣ和Ａｌ的成分梯度变化组成，其成分由Ａｌ基体侧平缓过渡到ＴｉＣ涂层侧。梯度过渡层的成分变化经ＡＥＳ测定，并用光学金相显微镜观察了涂层形貌。实验结果表明，当梯度层厚度大于某临界值后。
- 李戈扬王岱峰王公耀李鹏兴张流强郑永铭
- 关键词：磁控溅射梯度涂层内应力涂层
