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Design and Implementation of an Optoelectronic Integrated Receiver in Standard CMOS Process被引量：1: 2007年; A wideband monolithic optoelectronic integrated receiver with a high-speed photo-detector,completely compatible with standard CMOS processes,is designed and implemented in 0.6μm standard CMOS technology.The experimental results demonstrate that its performance approaches applicable requirements,where the photo-detector achieves a -3dB frequency of 1.11GHz,and the receiver achieves a 3dB bandwidth of 733MHz and a sensitivity of -9dBm for λ=850nm at BER=10-12.; 余长亮毛陆虹宋瑞良朱浩波王蕊王倩; 关键词：PHOTO-DETECTOR CMOS

集成于无源UHF RFID标签的高分辨率CMOS温度传感器被引量：14: 2012年; 提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃～50℃范围内,脉冲周期从1.841μs～0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。; 王倩毛陆虹张欢张世林谢生; 关键词：无源RFID 高分辨率 CMOS工艺

集成于无源UHF RFID标签的新结构CMOS温度传感器被引量：7: 2011年; 设计了一种集成于无源UHF RFID标签芯片的新结构温度传感器。利用高PSRR共源共栅结构的电流镜偏置电路产生两路温度系数相反的电流,实现了偏置电流对电源电压和温度补偿。与温度相关的脉冲信号由类似差分的结构产生,有效的克服了工艺偏差导致的误差。计数时钟信号由标签内部振荡器提供,振荡器频率受偏置电流控制近似与电源电压和温度无关。采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS工艺,仿真结果表明:电源电压为1.8V,温度在-10℃～100℃变化时,偏置电流为112 nA,标签提供的时钟信号频率为2 MHz,温度传感器有效分辨率为0.5℃/LSB,工作电流为774 nA。; 张欢毛陆虹王倩谢生张世林; 关键词：无源RFID CMOS

带浅沟槽隔离的双光电二极管电路模型研究: 2007年; 通过器件模拟并结合实验结果,在已有PIN(Positive intrinsic negative)和DPD(Double photo-diodes)探测器电路模型基础之上,对带浅沟槽隔离(STI)准PIN结构的DPD探测器电路模型进行了探讨。模拟了由深N阱和浅沟槽给DPD带来的性能上的改变,同时结合实验结果,从响应电流和探测器的等效串联电阻两方面对电路模型进行了修正,得到了符合该器件的较准确电路模型。; 王倩毛陆虹梁惠来张世林郭维廉黄家乐; 关键词：硅光电探测器电路模型等效串联电阻

集成于无源UHFRFID标签的超低功耗CMOS温度传感器被引量：7: 2013年; 本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的超低功耗CMOS温度传感器。考虑到功耗是影响标签使用的第一要素。本文结构复用标签内部电路产生的电流作为温度转换模块的偏置电流,同时采用标签内部振荡器产生的信号作为传感器计数器的时钟信号,有效降低了功耗。本文设计采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS,仿真结果表明:电源电压为1.5 V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为100 nW;当温度在-20℃～80℃变化时,温度传感器分辨率为0.4℃/LSB。; 周诗伟毛陆虹王倩张世林谢生; 关键词：无源RFID 温度传感器超低功耗 CMOS工艺

前均衡CMOS光电集成接收机概念的提出和模拟: 2007年; 提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法——前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均衡0.35μmCMOS光电集成接收机.其中,光电探测器选用面积为40μm×40μm的叉指型双光电二极管结构,实验测得该二极管的频率响应带宽为1.1GHz,结电容为0.95pF.对接收机的模拟结果表明:采用三次阶梯网络峰化技术的前均衡方案可有效提高光接收机的灵敏度和速度,并可实现灵敏度为-14dBm,3dB带宽为2GHz,BER为10-12的0.35μmCMOS光电集成接收机.; 余长亮毛陆虹朱浩波宋瑞良陈铭义王倩王蕊; 关键词：CMOS 光电集成接收机

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王倩