王丹丽
- 作品数：17 被引量：28H指数：4
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 阳极氧化铝/氧化锌组装体的制备及性质研究
- 氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料，它具有较高的激子束缚能(60meV)，在紫外及可见光范围内存在多个由于激子或本征缺陷引起的发光峰，同时，ZnO具有优异的光学和电学特性，优良的抗辐射能力，高的热稳定性和化学稳...
- 王丹丽
- 关键词：氧化锌纳米线阳极氧化铝光子晶体电致发光高温退火
- 上转换激光晶体Er：BaY2F8的生长与光谱分析被引量：9
- 2008年
- 报道了上转换激光晶体Er:BaY2F8以及Er,Yb:BaY2F8的温度梯度法生长及其光谱参数分析。所得到的Er:BaY2F8晶体的直径为13mm,长度达40mm,是目前国内最大的此种晶体。测试了晶体的吸收光谱,吸收光谱中Er离子的特征吸收峰清晰可辨。根据J-O理论的计算,得到了唯象的晶场参数Ωi(i=2,4,6),其数值分别为1.43×10-20cm2,0.49×10-20cm2和1.36×10-20cm2。重点分析了Er:BaY2F8晶体的各能级的荧光寿命,较之氧化物有很大的提高,其中4I11/2能级的寿命约为5ms,这样大的荧光寿命对于上转换激光的形成极为有利。
- 张守超阮永丰李广慧孙伟马鹏飞王丹丽李文润
- 关键词：晶体生长温度梯度光谱参数荧光寿命
- 氧化铝模板热卷曲问题的研究被引量：2
- 2011年
- 多孔阳极氧化铝作为一种理想的模板材料,在纳米合成和微纳米技术领域有广泛的应用,然而氧化铝模板在高温退火时会发生卷曲,这大大限制了它的应用。本文就氧化铝模板的热卷曲问题进行了系统的研究,认为退火时产生次孔是导致模板卷曲的直接原因。并首次提出了采用加压退火方法,有效地解决了退火卷曲问题。文中报告了诸多AAO模板的热卷曲实验数据,并从微观角度对热卷曲原因进行了解释。
- 王丹丽阮永丰张灵翠王鹏飞邱春霞祝威
- 关键词：多孔阳极氧化铝卷曲
- 中子辐照Al2O3晶体的缺陷及退火恢复研究
- 用剂量为5.74×1018 cm-2的中子对Al2O3晶体进行了辐照，利用吸收光谱等手段观测了中子辐照引起的损伤及其恢复。中子辐照产生了大量的阴离子单空位（F和F+）、阴离子双空位（F2）及其它更高阶的缺陷。通...
- 马鹏飞阮永丰贾敏李文润张宇晖张守超王丹丽
- 关键词：退火处理
- 基于配位化学反应原理的制备氧化锌纳米线阵列的方法
- 一种基于配位化学反应原理的、用于在多孔阳极氧化铝模板中制备ZnO纳米线阵列的化学制备方法(配位反应法)。此法的反应物是可溶性锌盐加氨水，但与直接沉淀法不同的是，该前级反应的生成物Zn(OH)<Sub>2</Sub>不是直...
- 阮永丰张灵翠王丹丽杨红波李文润房东玉
- 文献传递
- 利用配位反应法制备多孔阳极氧化铝/氧化锌纳米线阵列被引量：1
- 2011年
- 研究了一种新型的制备氧化锌(ZnO)纳米线的配位反应法。以氨水为配位剂、氨水与可溶性的锌盐反应配制的锌氨配合物溶液为前驱液,在多孔阳极氧化铝(porous anodic alumina,PAA)模板中沉积了ZnO纳米线。研究了ZnO纳米线的生长机理和配位反应条件。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对PAA/ZnO组装体的组成和形貌进行了表征。结果表明:所制备的ZnO纳米线为多晶结构,纳米线阵列具有周期排列结构,与多孔氧化铝模板形态特征一致。
- 张灵翠阮永丰王丹丽邱春霞
- 关键词：多孔氧化铝氧化锌纳米线阵列
- 温度梯度法生长Er:BaY_2F_8晶体开裂现象的研究被引量：1
- 2010年
- 对温度梯度法生长Er:BaY2F8晶体的开裂现象进行了研究,从理论上讨论了温场分布、生长速率、热应力和稀土离子掺杂对晶体开裂的影响,并通过实验分析了垂直于解理面方向上膨胀系数的变化对晶体开裂造成的影响。研究结果表明:晶体生长时径向温度梯度越小越好,生长晶体的最佳工艺参数为直径为10mm,最佳轴向温度梯度为6℃/mm,最佳生长速率为0.2～0.3mm/h。通过缓慢降温,可以成功避免晶体的开裂。
- 张守超阮永丰魏小平王友发张灵翠王丹丽
- 关键词：开裂温度梯度
- 一种使多孔阳极氧化铝模板不发生卷曲的退火方法
- 一种使多孔阳极氧化铝模板不发生卷曲的退火方法，步骤如下：1)采用常规技术制备多孔阳极氧化铝模板并进行通孔扩孔处理；2)以真空管式炉为退火炉，将通孔扩孔处理后的多孔阳极氧化铝模板放入管式炉中，封闭退火炉的排气端，从退火炉的...
- 阮永丰王丹丽张灵翠李文润邱春霞
- 文献传递
- 温度梯度法生长Er:BaY2F8晶体的开裂研究
- 对温度梯度法生长Er：BaY2F8晶体的开裂现象进行了研究，从理论上讨论了温场分布、生长速率热应力和稀土离子掺杂对晶体开裂的影响，实验上分析了垂直于解理面方向上膨胀系数的变化对晶体开裂造成的影响。给出了晶体生长的最佳工艺...
- 张守超阮永丰李广慧马鹏飞王丹丽贾敏张灵翠李文润
- 关键词：激光晶体晶体生长温度梯度法
- 中子辐照6H-SiC晶体中的钉扎效应被引量：3
- 2009年
- 分别对两种不同的6H-SiC晶体进行了总通量为5.74×1018n.cm-2、8.2×1018n.cm-2和1.72×1019n.cm-2的不同剂量的中子辐照,利用X射线衍射等手段观测了中子辐照引起的晶体内部损伤。结果表明:两种样品在不同的中子通量辐照下,消除部分原始缺陷的、纯度较高的样品辐照后的内部损伤明显小于纯度较低、内部原始缺陷较多的样品。样品的辐照损伤不仅取决于中子辐照剂量,还取决于其辐照时的成分和结构。晶体的结构缺陷和杂质,作为一种"钉扎",在辐照过程中作用极大,它们导致了晶体的长程缺陷(如位错)的大幅度增加。
- 阮永丰马鹏飞贾敏李文润张宇晖张守超王丹丽
- 关键词：SIC中子辐照辐照缺陷钉扎
