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熊衍凯

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇会议论文

主题

  • 3篇进气
  • 2篇多样性
  • 2篇有机化学
  • 2篇水冷
  • 2篇灵活性
  • 2篇金属
  • 2篇金属有机
  • 2篇金属有机化学
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 1篇气体
  • 1篇光效
  • 1篇阀门
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD设...

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇冉军学
  • 4篇熊衍凯
  • 3篇李晋闽
  • 3篇梁勇
  • 3篇曾一平
  • 3篇王军喜
  • 3篇胡国新
  • 3篇胡强

传媒

  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置
一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上...
冉军学胡强胡国新梁勇熊衍凯王军喜曾一平李晋闽
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用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置
一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置，包括：一筒体；一水冷匀气板，该水冷匀气板制作在筒体内；一上盖板，该上盖板固定在筒体上，该上盖板与水冷匀气板之间形成一进气腔室；一气体隔离装置，该气体隔离装置固定在上盖板上...
冉军学胡强胡国新梁勇熊衍凯王军喜曾一平李晋闽
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MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置
一种MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置，包括：一第一气体入口；一第一气体出口；一第一直通阀门的一端与第一气体入口连通，该第一直通阀门的另一端与第一气体出口连通；一第一旁通阀门的一端与第一直通阀门的一端连接；一第...
冉军学胡强胡国新梁勇熊衍凯王军喜曾一平李晋闽
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国产MOCVD量子阱生长与光效研究
MOCVD作为化合物半导体外延的基础核心设备,实现国产化具有重要意义,近两年我国国产MOCVD设备技术发展较快,得到了应用验证.在LED结构材料中,作为有源区,量子阱(MQW)的质量是是LED性能的关键参数,量子阱的生长...
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