沈瑜生
- 作品数:82 被引量:332H指数:11
- 供职机构:中国科学技术大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 镉铁复合氧化物气敏半导体材料及其气敏元件
- 本发明提供了一种镉铁复合氧化物气敏半导体材料和气敏元件,镉、铁的摩尔比为0.25-1。本发明材料可以直接作为气敏材料,又可作为气敏基体材料以不同掺杂进行改性制成气敏元件。本发明对乙炔、乙醇等气体灵敏度高,保持灵敏度的工作...
- 刘杏芹徐正良沈瑜生
- 文献传递
- 一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系被引量:5
- 1996年
- 用NH4)2CO3作沉淀剂制得Cd:Sn=1:1的粉料,经750℃、15h热处理可得单相钛铁矿型β-CdSnO3。元件的电导-温度(G-t)特征表明β-CdSnO3为典型的表面电阻控制型气敏材料,无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此,β-CdSnO3很有希望作为一种新型的气敏材料体系。
- 张天舒沈瑜生
- 关键词:气敏材料半导体材料
- 掺镉纳米SnO_2的热稳定性、电导及气敏性能被引量:9
- 1995年
- 本文研究了CdO掺杂对纳米SnO_2粉料的热稳定性,电导及气敏特性的影响。结果表明,以非晶状态均匀分散在SnO_2颗粒表面的CdO能阻止SnO_2之间的相互扩散,提高了纳米SnO_2的热稳定性;固溶于SnO_2晶粒中的CdO量(Cd/Sn<0.05)很小,但对元件的电导影响显著;纳米级的晶粒尺寸(<6nm)及CdO的掺杂大大改善了SnO_2的气敏特性。
- 张天舒沈瑜生张瑞芳
- 关键词:热稳定性气敏传感器纳米粉料二氧化锡
- SO<'2-><,4>掺杂对Cd<,2>Sb<,2>O<,6.8>气敏性能的增效性研究
- 浸泡法向化学共沉淀法得到的Cd〈,2〉Sb〈,2〉O〈,6.8纯相超微粉中掺入了一系列的SO〈’2-〉〈,4〉研究了SO〈’2-〉〈,4〉在材料中的位置及其作用,测试了掺杂相的气敏性能。实验发现,掺杂1mol℅的SO〈’...
- 刘亚飞刘杏芹沈瑜生
- 关键词:掺杂气敏性能气敏材料
- 掺锑α-Fe_(2)O_(3)的结构和性能被引量:5
- 1995年
- 用化学共沉淀与固相反应相结合的方法,在α-Fe_2O_3中掺入一定量的锑离子。X射线衍射(XRD)分析表明,掺锑量(Sb/Fe原子比)小于0.2.材料仍保持小Fe_2O_3的晶体结构,但是加入量>0.2时,有铁、锑复合氧化物生成。通过分析Sb的掺入对α-Fe_2O_3的晶粒生长及电学性质的影响,认为该系列材料的气敏性能有大幅度的提高,是锑的掺入改变了α-Fe_2O_3的气敏机理。
- 张瑞芳张天舒沈瑜生
- 关键词:掺杂共沉淀气敏传感器
- ZnO系半导体陶瓷气敏传感器的进展被引量:13
- 1991年
- 本文综述了ZnO系气敏半导体材料的发展慨况,讨论了元件的结构与气敏效应的关系,评述了解释ZnO系气敏材料性质的敏感机理,探讨了目前存在的问题及今后的发展方向。
- 娄向东沈荷生沈瑜生
- 关键词:ZNO半导体陶瓷气敏材料传感器
- CdSnO_3的合成、结构与气敏性质被引量:1
- 1993年
- 如今,人们深知单一组分半导体气敏材料,即使掺杂,其性能也终不能令人满意,因而出现具有特定结构的复合氧化物气敏材料,如ZnSnO_3、LaFeO_3以及稀土氧化物与二氧化锡的复合氧化物.作者为此研究了CdO和SnO_2复合氧化物的合成条件、结构及气敏性质,得到了一些有价值的结果.1 实验1.1
- 王存王弘沈瑜生
- 关键词:半导体材料气敏性质
- MO-PECVD SnO_(2-x)气敏薄膜被引量:1
- 1993年
- 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普通PECVDSnO_(2-x)薄膜元件的气敏性能作了比较,对SnO_(2-x)膜的气敏机理作了探讨。
- 李支文冯蕴道崔宇平沈瑜生
- 关键词:半导体材料气敏薄膜气相淀积
- ZnO-CdO二元体系的导电机制和气敏效应 ̄①被引量:2
- 1997年
- 采用化学共沉淀与固相反应相结合的方法,合成了一系列不同Zn/Cd比氧化物粉料。研究了不同Zn/Cd比对相结构、电导与气敏性能的影响.没有发现Zn,Cd氧化物形成明显的置换固溶体或第三相,但存在间隙固溶体现象。Zn/Cd比为8/2时,元件对H2和C2H2有较高的灵敏度和选择性。
- 沈瑜生尚文刘杏芹
- 关键词:气敏性能氧化物半导体氧化镉导电机制
- 氧化铁超微粉相变过程研究被引量:30
- 1994年
- 对用低温PCVD方法制备的氧化铁超微粉从初始生成态到800℃退火后不同阶段的晶化和相变过程进行了较系统的研究。结果表明,初始生成物为β-Fe_2O_3,退火后逐渐转变为γ-Fe_2O_3,继而转变为α-Fe_2O_3,到800℃形成单一的α-Fe_2O_3,这些相变和晶化过程是一种缓慢的渐变过程。
- 冯蕴道何贤昶曾桓兴沈瑜生
- 关键词:氧化铁超微粉相变晶化