汤海鹏
- 作品数：8 被引量：22H指数：2
- 供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- SiC薄膜热敏电阻器及温度传感器被引量：1
- 1989年
- 利用射频溅射法用烧结多晶碳化硅靶制取了SiC薄膜热敏电阻器;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。
- 田民波王英华汤海鹏
- 关键词：SIC薄膜热敏电阻器温度传感器
- 射频溅射制取SiC薄膜被引量：2
- 1989年
- 用烧结多晶碳化硅靶采用射频溅射制取了SiC薄膜;通过加热基片和镀后的高温退火实现了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变;利用AES、XPS、TEM、IR、UPS等对SiC薄膜的成分、结构、形貌、结合状态进行了分析;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。
- 田民波王英华汤海鹏
- 关键词：射频溅射基片温度晶态吸收边等离子体激元
- ICB方法外延CdTe单晶薄膜
- 1991年
- 用ICB外延技术在NaCl解理面和(100)GaAs衬底上外延的CdTe单晶薄膜,以透射电子衍射及RHEED分析,都表明获得了好的单晶结构及平滑膜面。外延取向关系为:GdTe(100)//NaCl(100);当衬底预处理温度为480℃时,CdTe(100)//GaAs(100);当预处理温度为580℃时,CdTe(100)+(111)//GaAs(100)。实验发现,当坩埚内CdTe蒸气压足够高时,薄膜生长体现出团粒束淀积所特有的规律,即随着团粒能量的增大,CdTe外延膜的结构质量显著改善。在CaAs衬底上外延所得的最好的CdTe膜,其双晶衍射摆动曲线半高宽为630arc,
- 汤海鹏冯嘉猷范玉殿李恒德
- 关键词：CDTE薄膜生长蒸气压外延膜
- 离化团束方法在GaAs衬底上外延CdTe单晶薄膜被引量：1
- 1991年
- 利用离化团束外延(ICBE)技术在GaAs(100)衬底上生长了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层.X光衍射和 RHEED分析结果表明外延层为单晶薄膜,双晶衍射摆动曲线半高宽达630弧秒.本文研究了离化团能量和生长温度对外延层晶向和质量的关系。结果表明,当预热处理温度为480℃,外延取向关系为CdTe(100)//GaAs(100);当预热处理为580℃,外延取向关系为 CdTe(100)+(111)//GaAs(100).离化团束的能量对外延膜的结晶性能起着重要作用.
- 冯嘉猷汤海鹏朱洪林范玉殿李恒德
- 关键词：CDTE薄膜GAAS
- 溅射SiC薄膜的XPS分析被引量：5
- 1989年
- 用 XPS 技术对射频溅射 SiC 薄膜的结构特征进行了分析。测定了以 Si(2p)和 C(1s)峰的相对移动定义的化学位移和谱中等离子体激元损失峰的特征损失能量。测定的结果揭示了该薄膜的结构特点,从而对其化学键的性质、成分和缺陷有了进一步的认识。
- 汤海鹏王英华田民波李恒德
- 关键词：SIC射频溅射XPS分析
- 分子电子学与离化团束(ICB)薄膜新技术
- 1989年
- 本文介绍了新的交叉学科──分子电子学的研究范围、目标和进展，介绍了有机材料传统的形膜技术（ＬＢ膜技术）及其新进展．重点介绍了新近发展起来的ＩＣＢ薄膜淀积技术的基本原理和特点，总结了用ＩＣＢ 淀积技术制备有机薄膜取得的成效，展望了ＩＣＢ淀积技术在有机分子材料及电子学领域中的发展方向和应用前景．
- 汤海鹏冯嘉尤李恒德
- 关键词：分子电子学
- ICB 淀积 Sb,Pb 的薄膜结构
- 1989年
- 本文用离化原子团束工艺淀积 Sb 和 Pb 薄膜,系统研究了各淀积参数对薄膜晶粒取向度等结构特性的影响,并测定了 Pb 原子团束的原子团大小和离化率,讨论了薄膜结构的形成机理.
- 和志刚冯嘉猷汤海鹏范玉殿李恒德
- RF溅射碳化硅薄膜的结构研究被引量：13
- 1989年
- 本文作者用RF溅射法获得碳化硅薄膜,利用AES、XPS、TEM和UPS等现代分析仪器研究了碳化硅薄膜的结构.溅射薄膜中Si∶C=1∶1.主要化学键形式为Si-C共价键,原子排布状态为非晶态,并且在短程结构中存在大量畸变与缺陷,薄膜为不理想非晶结构,带尾较长.
- 王英华汤海鹏田民波李恒德
- 关键词：碳化硅溅射
