樊磊
- 作品数：9 被引量：6H指数：2
- 供职机构：西安交通大学材料科学与工程学院金属材料强度国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术更多>>
- Li_2O为烧结助剂的Si_3N_4陶瓷低温烧结过程研究被引量：4
- 2013年
- 分别选用Li2O烧结助剂和Y2O3-Al2O3复合烧结助剂作为对比,无压烧结氮化硅陶瓷,研究了Li2O对烧结致密化过程和相变过程的影响。结果表明,以Li2O作为烧结助剂,烧结系统的共晶液相在1200℃产生,颗粒重排可以在较低的温度下进行,且致密化速度较快,氮化硅的α-β相变过程被促进,在1600oC即可得到发育良好的β-Si3N4棒状晶。
- 樊磊周萌陈猛卢学峰王超王红洁
- 关键词：SI3N4LI2O烧结助剂液相烧结致密化
- Si_3N_4含量对Y-Si-Al-O-N涂层组织和性能的影响被引量：2
- 2013年
- 以Y2O3、SiO2、Al2O和α-Si3N4为原料,采用料浆喷涂工艺在多孔Si3N4基体表面制备出致密的Y-Si-Al-O-N陶瓷涂层。研究了原料中α-Si3N4含量对Y-Si-Al-O-N熔体结构的影响,以及对涂层组织和性能的影响。结果显示:随着α-Si3N4含量的增加,颗粒状的δ-Y2Si2O7晶粒逐渐增多,板条状的Keiviite-Y晶粒逐渐减少。涂层使多孔Si3N4的吸水率降低了94.2%～95.6%,起到了很好的封孔效果。涂层也使多孔Si3N4的硬度提高了239.3%～527.3%。
- 王超刘银超樊磊范锦鹏张大海王红洁
- 一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，解决现有液相烧结制备多孔氮化硅陶瓷时，因大量烧结助剂的加入，而使得大量玻璃相和金属离子残留在晶界中导致材料的高温性能和电性能下降等问题；该方法包括：采用氮化硅粉为...
- 王红洁樊磊史忠旗王继平夏鸿雁
- 文献传递
- 纳米非晶氮化硅制备Si2N2O陶瓷研究
- 实验采用新的制备方法以纳米非晶氮化硅粉体为原料原位制备Si2N2O陶瓷，并对烧结助剂含量，烧结温度，烧结气氛对Si2N2O陶瓷制备的影响进行了研究。
- 樊磊王红沽
- 关键词：烧结温度
- 一种无金属离子添加的高纯硅氮氧陶瓷的低温制备方法
- 本发明公开了一种无金属离子添加的高纯硅氮氧陶瓷的低温制备方法，解决现有技术制备硅氮氧（Si<Sub>2</Sub>N<Sub>2</Sub>O）陶瓷材料时，因需要加入金属氧化物烧结助剂，而在晶界相中引入金属离子导致材料高...
- 王红洁樊磊周萌王超史忠旗杨建锋
- 文献传递
- 一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，解决现有液相烧结制备多孔氮化硅陶瓷时，因大量烧结助剂的加入，而使得大量玻璃相和金属离子残留在晶界中导致材料的高温性能和电性能下降等问题；该方法包括：采用氮化硅粉为...
- 王红洁樊磊史忠旗王继平夏鸿雁
- 文献传递
- 高温烟气过滤用多孔SiC陶瓷制备与性能
- 樊磊
- 关键词：多孔陶瓷SIC造孔剂抗弯强度气孔率
- 稀土Sm2O3对多孔Si2N2O陶瓷显微结构和性能的影响
- 2018年
- 以Si3N4与Si O2为初始原料、Sm2O3为烧结助剂,通过无压烧结制备了气孔率不同的多孔Si2N2O陶瓷。研究了烧结温度、助剂含量对烧结后的产物的影响;测试了多孔Si2N2O陶瓷的力学性能、介电性能和抗氧化性能。结果表明：烧结温度过高或助剂含量过高都会导致Si2N2O相的分解;助剂含量对Si2N2O陶瓷微观组织产生明显的影响,随着助剂含量的增多,其显微结构由细小层片状过渡到板状晶粒再到短纤维搭接的板状晶粒结构,所制备的Si2N2O陶瓷比Si3N4陶瓷具有更优异的性能,抗弯强度为220 MPa,介电常数ε为4.1,介电损耗tanδ〈0.005。1 400℃氧化10 h,Si2N2O与Si3N4的质量增量分别为0.6%与2.1%。
- 卫莉婷樊磊温江波王红洁
- 关键词：介电性能抗氧化性能氧化钐
- Li2O为烧结助剂的Si3N4陶瓷低温烧结过程研究
- 氮化硅陶瓷在新型陶瓷中占有重要地位。作为人工合成材料之一的氮化硅陶瓷材料,具有高比强、高比模、耐高温、抗氧化和耐磨损以及抗热震等优良的综合性能,广泛应用于机械、化工、海洋工程、航空航天等重要领域。氮化硅陶瓷难以通过固相烧...
- 樊磊王超范锦鹏张大海王红洁
- 文献传递
