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柯练

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：长沙电力学院物理与信息工程系物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应变层
  • 1篇应变层超晶格
  • 1篇晶格
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇ZN
  • 1篇ZNSE
  • 1篇超晶格
  • 1篇X
  • 1篇CD

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇长沙电力学院

作者

  • 1篇史向华
  • 1篇柯练
  • 1篇凌震
  • 1篇靳彩霞
  • 1篇王杰
  • 1篇俞根才
  • 1篇魏彦峰

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1998
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱
1998年
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献．理论分析表明，在低温（４．４Ｋ）下，合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用．对比结果显示，Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．
史向华柯练靳彩霞魏彦峰魏彦峰俞根才凌震
关键词：应变层超晶格光致发光谱
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