林大成
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 选择性BF_2^+离子注入对提高DRAM刷新时间的研究
- 2008年
- 动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,DRAM)电容器在存储高电位数据"1"时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间。研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2+方案来改善刷新时间,模拟分析了其注入离子分布及电迁移,发现在位元线接触区硅基单侧浅表层形成了富硼离子注入区,且最大电迁移深度仅为60 nm,由此减少了对其它掺杂区的影响。电性测试结果表明,BF2+离子剂量与开启电压成正比,重复实验证明,该方案有良好的可再现性;分析结果表明,增加BF2+离子注入剂量能提高开启电压对制造偏差的容差能力;栅极关键尺寸在(90±15)nm波动范围内晶圆样品的NMOS电性测试结果表明,该离子注入法能保持与原有工艺的良好匹配性。进一步的分析结果指出,若开启电压升高,则刷新时间将会减少,若开启电压为0.8 V时,该离子注入方案能使刷新时间从180 ms提升到不小于300 ms,改良幅度达66.7%。模拟及实验分析结果表明,该离子注入方案能应用于深微米进程的研究与生产中。
- 彭坤王飚林大成吴萍外山弘毅
- 关键词：离子注入动态随机存储器漏电流
- BF_2^+离子注入时磷杂质离子污染控制的研究
- 2008年
- 同一台离子注入机B,P离子交叉注入,残留的磷和BF3分解产生的F生成50PF+,成为难控隐患。研究指出,实际注入晶圆的平均质量数,呈以目标离子质量数为中心的正态分布;49BF2+与50PF+因质量数接近而存在可能的重叠分布区,这是出现磷污染的原因;指出改善质量分析器的控制精度,可在线调控以避免磷污染。通过比较发现,当质量分析器设定为49±0.5且注入高束流达800μA时,离子注入机不能侦测到临近目标质量数的杂质离子。离子注入机经80 h注入31P+后再交叉注入的老化实验准备,当引弧电流达3 100μA时,电性测试发现,质量分析器设定为49±0.3(质量分辨率m/Δm=169.3)的样品无磷污染。进一步研究了多重老化因素叠加效应,经同样的老化实验准备、引弧电流为3 100μA且注入束流为800μA时,注入剂量为2.2×1015的49BF2+,当质量分析器严控为49±0.3,经SI MS(secondaryion mass spectroscopy)分析二个样品均未发现磷的高能峰。改进质量分析器控制设定数值的解决方案经生产验证有效,无需Frederic Sahores(2002 IEEE)的如增加清洗频率或分离子源专用注入机等高成本方案,提高了效益与产品良率。
- 彭坤林大成
- 关键词：离子注入
