杨子义
- 作品数：30 被引量：28H指数：2
- 供职机构：贵阳学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程电子电信更多>>
- 一种基于微波技术的污水处理装置
- 本实用新型公开了一种基于微波技术的污水处理装置，包括矩形箱体，本基于微波技术的污水处理装置，结构设计合理，可以使得污水更加均匀、充分的吸收微波能量，对污水处理效果好、能耗低，且维护时较为方便，定位柱结合定位肋板的设置方便...
- 杨子义金瑶邓军刘丹
- 文献传递
- 激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi_2被引量：2
- 2008年
- 用直流磁控溅射方法分别在室温及不同温度的Si(100)衬底上沉积Fe膜,随后采用脉冲激光扫描进行退火,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了激光扫描对薄膜结晶性质和表面显微结构的影响。测量结果证实直接形成了Fe-Si化合物系的富硅高温相-αFeSi2,室温沉积样品的结晶性质随激光能量密度的增加而提高;反应沉积样品的结晶性质随衬底温度升高而提高。
- 张晋敏谢泉余平张勇肖清泉杨子义梁艳曾武贤
- 关键词：磁控溅射显微结构
- Ba_3Si_4的制备及电子结构的研究被引量：1
- 2010年
- 采用磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了Ba单层膜,研究了退火温度对Ba-Si化合物生成的影响。X射线衍射表明,在真空中退火12h后出现了Ba3Si4(202)和Ba3Si4(221)衍射峰,表现出择优取向,700℃是理想的退火温度。采用第一性原理对Ba3Si4的能带结构和态密度进行了计算,结果表明它是一种金属,价带主要是由Si的3s、3p及Ba的5p、6s态电子构成,导带主要由Ba的5d及Si的3p态电子构成。
- 杨子义郝正同谢泉
- 关键词：电子结构磁控溅射退火
- 新型半导体材料BaSi2的结构及其热电性能的研究
- 2011年
- 正交相的BaSi2是一种新型半导体材料，具有较小的热传导系数、较大的光学吸收系数和适合的带隙值，是一种潜在的热电材料和理想太阳能电池材料，有着广阔的应用前号。文章介绍了正交相BaSi2晶体结构、电学特性，综述了近年来对其热电性质的研究状况，并就当前BaSi2究中存在的问题和研究动向做了简要讨论。
- 徐虎谢泉杨子义熊锡成
- 关键词：晶体结构热电性质热电材料
- 电磁场与电磁波课程教学的几点思考被引量：2
- 2016年
- 电磁场与电磁波是电子信息工程和通信工程专业的重要基础课程。该教材中有大量的公式推导。抽象的理论、复杂的数学运算和较宽的知识面冲淡了学生的学习热情。根据自身的教学经历,笔者认为从学生已有知识背景出发组织教学、加深对麦克斯韦方程组的理解、引入恰当的物理模型讲授物理概念和利用仿真软件辅助教学可以激发学生的学习兴趣并有效地提高教学效果。
- 杨子义肖胜华
- 关键词：知识背景麦克斯韦方程组物理模型仿真软件
- 一种光电材料的抗拉伸性能测试装置
- 本实用新型公开了一种光电材料的抗拉伸性能测试装置，包括机座，所述机座的顶部分别安装有支撑架和上下料装置，上下料装置的端部安装有夹持机构，且支撑架上安装有变形监测装置，所述机座的侧面分别安装有开源单片机和伸缩机构，伸缩机构...
- 杨子义宁江华张子砚刘涛
- 文献传递
- HOPG和云母基底上原子力显微镜的微操作研究
- 2006年
- 纳米级微操作技术是制造纳米电子器件的技术基础。本文以HOPG和云母为基底，利用原子力显微镜，对碳纳米管团簇进行微操作。由于基底不同，在微操作过程中呈现不同的现象。这为彬纳米机械装配技术的研究作出了有益探索。
- 孙志秦水介樊永发段茂强杨子义师小卉郝荣郭
- 关键词：原子力显微镜HOPG云母碳纳米管
- 一种多功能光电材料检测台结构
- 本实用新型公开了一种多功能光电材料检测台结构，包括支撑台，所述支撑台的表面设有安装架，所述安装架的两侧的支撑台上均设有滑槽，所述滑槽内滑动连接有滑块，所述滑块的侧面通过第一电动伸缩杆与支撑台连接，所述滑块的顶端通过第二电...
- 杨子义邓军张子砚刘涛
- 文献传递
- 衬底温度对共溅射法制备BaSi_2薄膜的影响
- 2017年
- 研究衬底温度对采用Ba靶和Si靶共溅射制备BaSi_2薄膜的影响.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对在不同衬底温度条件下制备的薄膜的微观结构组分和表面形貌进行表征与分析.结果表明,衬底温度在500℃以下时Ba和Si共沉积在Si(111)衬底上生成的为非晶,结合后续的真空退火生成BaSi_2多晶薄膜.衬底温度是制备优质BaSi_2薄膜的关键因素,衬底温度高于600℃时,共溅射法能够直接生成BaSi_2薄膜.
- 杨子义杨子义徐虎
- 关键词：衬底温度晶体结构表面形貌
- Si基薄膜的X射线衍射表征研究
- 2010年
- 简述了X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)的基本原理,计算了硅晶体的消光特性,从理论上研究了Si基薄膜XRD表征的特征。研究结果表明:由于薄膜的择优生长,Si基薄膜XRD谱与粉晶XRD谱存在差异;并可能观测到Si基片的二级衍射峰。研究结果在实际应用中对分析硅基薄膜的晶体结构具有重要意义。
- 郝正同杨子义
- 关键词：X射线衍射
