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杨兵
作品数:
5
被引量:4
H指数:1
供职机构:
北京大学
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发文基金:
国家教育部博士点基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张立昂
北京大学
窦训金
北京大学
崔鹏
北京大学
吉利久
北京大学
蒋敏
北京大学
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北京交通大学
作者
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杨兵
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吉利久
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崔鹏
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窦训金
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张立昂
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黄如
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段雅超
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2004
1篇
2002
1篇
2000
1篇
1999
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低压应用中的SOI栅控混合管的设计考虑
1999年
本文采用数值模拟方法,在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上,首次给出GCHT低压工作下(0.8V)的设计容区图,清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中,为器件设计提供了理论依据,也为合理开发深亚微米工艺指明了方向.
黄如
杨兵
王阳元
关键词:
MOSFET
促进学校可持续发展的学校科研文化建设思考
被引量:4
2010年
学校科研文化是学校可持续发展的必要条件,建立校本科研文化首先需要以全校教职工对科研的认同为前提,加强校本科研文化的建设:选题应立足本校教学发展与特色;科研成果表达方式的多元化;科研成果的评价体系多元化;教科研相结合;重视经验总结交流;教科研成果汇编成册等。
段雅超
杨兵
陈香兰
关键词:
科研文化
校本科研
可持续发展
BSIM3V3模型中的阈值电压模型参数提取方法
本发明公开了一种BSIM3V3模型中的阈值电压模型参数提取方法,提取过程为:(1)器件选择,即选择一组大尺寸器件和一组小尺寸器件,小尺寸器件选择不同长度L和不同宽度W的器件组合,大尺寸器件选择不同宽度W和相同长度L的器件...
吉利久
张立昂
崔鹏
蒋敏
杨兵
窦训金
文献传递
BSIM3V3模型中的阈值电压模型参数提取方法
本发明公开了一种BSIM3V3模型中的阈值电压模型参数提取方法,提取过程为:(1)器件选择,即选择一组大尺寸器件和一组小尺寸器件,小尺寸器件选择不同长度L和不同宽度W的器件组合,大尺寸器件选择不同宽度W和相同长度L的器件...
吉利久
张立昂
崔鹏
蒋敏
杨兵
窦训金
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薄膜全耗尽SOI器件电容模型的研究
该论文主要围绕膜全耗尽SOIMOSFET的电容模型,进行了理论以及实验两方面的研究 工作.首次对不同器件物理参数及工艺参数对栅电容的影响进行了较为全面的分析和研究,对器件的优化设计给出了理论指导.研究人员详细分析了温度对...
杨兵
关键词:
SOIMOSFET
电容测试
SOI器件
电路模拟
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