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杜新华

作品数:7 被引量:38H指数:3
供职机构:北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系更多>>
发文基金:中国发展研究基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇氧化铈
  • 4篇二氧化铈
  • 4篇CEO
  • 2篇氧敏特性
  • 2篇退火
  • 2篇溅射
  • 2篇NB
  • 2篇XPS研究
  • 2篇X
  • 1篇电子组态
  • 1篇电阻率
  • 1篇性能研究
  • 1篇显微照片
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇光敏材料
  • 1篇非晶硅
  • 1篇XPS
  • 1篇CEO2
  • 1篇磁控

机构

  • 7篇北京科技大学
  • 5篇中国科学院
  • 1篇西北大学

作者

  • 7篇杜新华
  • 5篇刘振祥
  • 5篇王燕斌
  • 5篇褚武扬
  • 4篇谢侃
  • 1篇刘克源
  • 1篇谢侃

传媒

  • 2篇功能材料
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 2篇1999
  • 4篇1998
  • 1篇1997
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
溅射二氧化铈氧敏薄膜的XPS研究被引量:12
1998年
本文用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱(XPS)研究了不同处理条件对CeO2-x薄膜电子组态的影响,特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ce3dXPS谱的高斯拟合,计算了Ce3+浓度并给出了判定Ce4+还原的标志。研究结果表明,在空气中经1173K高温退火后可得到结晶完好的多晶CeO2薄膜,而薄膜的化学价态没有变化,退火前后薄膜表面总有少量Ce3+存在(15%)。退火后部分还原的CeO2表面具有极强的吸附和再氧化能力,还原程度越高,其再氧化的能力也越强。
杜新华刘振祥谢侃王燕斌褚武扬
关键词:二氧化铈退火XPS
非晶硅光敏材料的高电阻率化研究被引量:7
1997年
本文研究了用于制造非晶硅感光鼓的高阻非晶硅光敏材料,通过微量掺B、O,控制aSi∶H薄膜中的SiH2和SiH基团的组成比,有效地实现了非晶硅材料的高电阻率化,其暗电阻率ρd≥1013Ω·cm,在可见光至近红外光范围内,具有很高的单色光电导增益,σph/σd≥103。分析了aSi∶H[B、O]材料IR谱的特征,说明了氧原子和硅氢基团对微结构的影响及其在支配非晶硅光电性能方面的重要作用。
杜新华刘克源
关键词:非晶硅电阻率光敏材料
CeO_2/Nb_2O_5双层氧敏薄膜的制备及界面扩散研究被引量:2
1999年
用射频 /直流磁控溅射法制备了CeO2 /Nb2 O5双层氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱研究了真空原位加热对薄膜界面相互扩散的影响。结果表明 ,通过热扩散进入上层CeO2 薄膜的Nb2 O5,不仅达到了对上层薄膜进行微量掺杂的目的 ,而且能够促使CeO2 薄膜中的晶格氧大量脱附 ,使CeO2 更容易还原为Ce2 O3,而其自身的构型却未发生变化。
杜新华刘振祥谢侃王燕斌褚武扬
关键词:二氧化铈
退火对氧敏CeO_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响被引量:1
1998年
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜.用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+浓度.研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明,薄膜经973K至1373K退火后,形成了CaF2型结构的CeO2-x,其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚.退火温度在973K至1173K时,(200)晶面是择优取向的,在1373K退火4h后,可得到热力学稳定的CeO2-x,在退火前后薄膜表面存在少量Ce3+.
杜新华刘振祥谢侃王燕斌褚武扬
关键词:二氧化铈晶体结构退火电子组态
新型氧敏CeO_(2-x)薄膜的制备及结构研究被引量:1
1998年
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。通过改变O2/Ar比,制备出不同组分和结构的CeO2-x薄膜。用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+的浓度。XRD和AFM分析表明,薄膜经空气中高温退火后,形成了立方体CaF2型小晶粒,晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚。
杜新华王燕斌褚武扬褚武扬谢侃
关键词:二氧化铈显微照片
CeO2/Nb2O5薄膜材料的制备及其氧敏性能研究
杜新华
关键词:磁控溅射氧敏特性
CeO_2/Nb_2O_5界面效应对提高CeO_2氧敏特性的XPS研究被引量:16
1998年
用射频/直流磁控溅射法制备了CeO2/Nb2O5双层氧敏薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS),描述并解释了单层CeO2薄膜中氧随温度变化的动力学行为,以及CeO2/Nb2O5薄膜界面对氧敏特性的影响.通过对Ce3dXPS谱的高斯拟合,计算了Ce3+浓度并给出了判定Ce4+还原的标志.结果表明,界面效应可以提高CeO2/Nb2O5薄膜中Ce4+的还原能力,使之远远高于单层CeO2薄膜,这对薄膜的氧敏特性是极为有利的.
杜新华刘振祥谢侃谢侃王燕斌
关键词:氧敏特性
共1页<1>
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