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杜新华
作品数:
7
被引量:38
H指数:3
供职机构:
北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系
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发文基金:
中国发展研究基金
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相关领域:
理学
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合作作者
褚武扬
北京科技大学材料科学与工程学院...
王燕斌
北京科技大学材料科学与工程学院...
刘振祥
北京科技大学材料科学与工程学院...
谢侃
中国科学院物理研究所
刘克源
西北大学信息科学与技术学院软件...
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杜新华
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刘克源
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谢侃
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1篇
物理学报
1篇
材料研究学报
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1999
4篇
1998
1篇
1997
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溅射二氧化铈氧敏薄膜的XPS研究
被引量:12
1998年
本文用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱(XPS)研究了不同处理条件对CeO2-x薄膜电子组态的影响,特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ce3dXPS谱的高斯拟合,计算了Ce3+浓度并给出了判定Ce4+还原的标志。研究结果表明,在空气中经1173K高温退火后可得到结晶完好的多晶CeO2薄膜,而薄膜的化学价态没有变化,退火前后薄膜表面总有少量Ce3+存在(15%)。退火后部分还原的CeO2表面具有极强的吸附和再氧化能力,还原程度越高,其再氧化的能力也越强。
杜新华
刘振祥
谢侃
王燕斌
褚武扬
关键词:
二氧化铈
退火
XPS
非晶硅光敏材料的高电阻率化研究
被引量:7
1997年
本文研究了用于制造非晶硅感光鼓的高阻非晶硅光敏材料,通过微量掺B、O,控制aSi∶H薄膜中的SiH2和SiH基团的组成比,有效地实现了非晶硅材料的高电阻率化,其暗电阻率ρd≥1013Ω·cm,在可见光至近红外光范围内,具有很高的单色光电导增益,σph/σd≥103。分析了aSi∶H[B、O]材料IR谱的特征,说明了氧原子和硅氢基团对微结构的影响及其在支配非晶硅光电性能方面的重要作用。
杜新华
刘克源
关键词:
非晶硅
电阻率
光敏材料
CeO_2/Nb_2O_5双层氧敏薄膜的制备及界面扩散研究
被引量:2
1999年
用射频 /直流磁控溅射法制备了CeO2 /Nb2 O5双层氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱研究了真空原位加热对薄膜界面相互扩散的影响。结果表明 ,通过热扩散进入上层CeO2 薄膜的Nb2 O5,不仅达到了对上层薄膜进行微量掺杂的目的 ,而且能够促使CeO2 薄膜中的晶格氧大量脱附 ,使CeO2 更容易还原为Ce2 O3,而其自身的构型却未发生变化。
杜新华
刘振祥
谢侃
王燕斌
褚武扬
关键词:
二氧化铈
退火对氧敏CeO_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响
被引量:1
1998年
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜.用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+浓度.研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明,薄膜经973K至1373K退火后,形成了CaF2型结构的CeO2-x,其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚.退火温度在973K至1173K时,(200)晶面是择优取向的,在1373K退火4h后,可得到热力学稳定的CeO2-x,在退火前后薄膜表面存在少量Ce3+.
杜新华
刘振祥
谢侃
王燕斌
褚武扬
关键词:
二氧化铈
晶体结构
退火
电子组态
新型氧敏CeO_(2-x)薄膜的制备及结构研究
被引量:1
1998年
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。通过改变O2/Ar比,制备出不同组分和结构的CeO2-x薄膜。用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+的浓度。XRD和AFM分析表明,薄膜经空气中高温退火后,形成了立方体CaF2型小晶粒,晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚。
杜新华
王燕斌
褚武扬
褚武扬
谢侃
关键词:
二氧化铈
显微照片
CeO2/Nb2O5薄膜材料的制备及其氧敏性能研究
杜新华
关键词:
磁控溅射
氧敏特性
CeO_2/Nb_2O_5界面效应对提高CeO_2氧敏特性的XPS研究
被引量:16
1998年
用射频/直流磁控溅射法制备了CeO2/Nb2O5双层氧敏薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS),描述并解释了单层CeO2薄膜中氧随温度变化的动力学行为,以及CeO2/Nb2O5薄膜界面对氧敏特性的影响.通过对Ce3dXPS谱的高斯拟合,计算了Ce3+浓度并给出了判定Ce4+还原的标志.结果表明,界面效应可以提高CeO2/Nb2O5薄膜中Ce4+的还原能力,使之远远高于单层CeO2薄膜,这对薄膜的氧敏特性是极为有利的.
杜新华
刘振祥
谢侃
谢侃
王燕斌
关键词:
氧敏特性
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