杜会静
- 作品数：20 被引量：72H指数：5
- 供职机构：燕山大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金秦皇岛市科学技术研究与发展计划课题更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>
- 纳米材料检测中透射电镜样品的制备被引量：13
- 2005年
- 介绍了目前几种适用于纳米材料透射电镜样品制备的方法,如包埋法、改进的胶粉混合法、聚焦离子束法等,并对这些方法的优缺点进行了分析。包埋法和改进的胶粉混合法是可供选择的较好制样方法;对于块状试样,聚焦离子技术是一种精确定位和高效减薄的制样方法。
- 杜会静
- 关键词：透射电镜纳米材料
- 渐进式实践教学体系的设计被引量：2
- 2017年
- 如何优化高校理工科实践成本,提高实践经费的综合使用效率,提高学生的创新实践能力,是高等学校亟待研究解决的问题。以燕山大学电子信息科学与技术专业的实践教学环节为例,该专业近年来通过渐进式教学设计方法,减少了以实物设计为载体的实践教学成本,实现了实践教学经费的合理支配,通过项目式教学以及竞赛机制,使学生由单纯的模仿式学习转变为主动的创新性开发,达到了教学成本的优化与学生创新实践能力提高的双重目的。
- 杜会静孙彦龙郭得峰
- 关键词：实践教学教学成本电子类专业创新实践能力
- 傅里叶变换红外光谱法检测硼碳氮亚稳态材料的进展被引量：3
- 2009年
- 综述了傅里叶变换红外光谱在检测硼碳氮亚稳态材料中的应用,对常见的特征峰、分析方法和容易出现的问题进行了讨论,提出了分析硼碳氮亚稳态材料的红外光谱的常用手段(引述文献24篇)。
- 杜会静郝锐
- 关键词：傅里叶变换红外光谱法
- 全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法
- 一种全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在N‑Si衬底两端形成STI隔离区；掺杂As形成N+亚集电区；在衬底表面淀积绝缘介质；外延一层本征单晶硅层作为集电区；非选择性外延Si缓冲层、掺C的Si<...
- 周春宇杜会静王冠宇徐超孙继浩
- 文献传递
- 载流子迁移率对有机太阳能电池性能影响的模拟研究被引量：6
- 2013年
- 通过器件模拟的方法研究了载流子迁移率对有机太阳能电池性能的影响。研究发现载流子迁移率同时影响光生电子-空穴对的解离和载流子的输运过程,电子和空穴的迁移率都有一个最佳值。大于最佳值会导致短路电流的微小上升和开路电压的大幅下降;小于最佳值会降低光生电子-空穴对的解离效率,进而使短路电流和填充因子明显下降。
- 朱键卓杜会静苏子生朱世敏徐天赋
- 关键词：有机太阳能电池迁移率短路电流开路电压填充因子
- 产生三种可切换近红外宽带超连续谱的全光纤装置及方法
- 本发明公开了一种产生三种可切换近红外宽带超连续谱的全光纤装置及其产生方法，装置包括模块一、模块二和模块三，模块一包括连续光源、波分复用器、掺铒光纤、偏振控制器、偏振相关隔离器、单模光纤、光耦合器组成，用于产生脉冲并切换脉...
- 李建设李兴玮杜会静郭海涛李曙光王瑞多郭鹏霄
- 全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法
- 一种全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在N‑Si衬底两端形成STI隔离区；掺杂As形成N+亚集电区；在衬底表面淀积绝缘介质；外延一层本征单晶硅层作为集电区；非选择性外延Si缓冲层、掺C的Si<...
- 周春宇杜会静王冠宇徐超孙继浩
- 文献传递
- 尺寸分布优化的硅基纳米材料的制备及其光致发光特性研究
- 2006年
- 纳米材料尺度的均匀性分布是保证纳米硅材料高效发光的基本要求,而纳米材料尺度分布的不均匀性却是纳米硅材料制备过程中的常见问题。在激光烧蚀沉积纳米硅材料中采用挡板技术和背散射技术提高了材料的尺度分布的均匀性,减少了材料表面的大颗粒,有效改善了材料的发光特性,使材料的发光强度提高,且发光峰的半峰宽变窄。
- 杜会静
- 关键词：硅基纳米材料
- 椭圆形高双折射软玻璃光子晶体光纤
- 本发明涉及一种椭圆形高双折射软玻璃光子晶体光纤，光纤包括光纤背景材料，光纤的横截面结构包括纤芯和包层，包层由在光纤背景材料中规则分布的、沿光纤轴向延伸的圆形空气孔道和圆形空气孔道间的光纤背景材料构成，纤芯位于光纤的横截面...
- 郝锐杜会静
- 文献传递
- 一种基于五芯光纤的低损耗五模模分复用器
- 本发明涉及一种基于五芯光纤的低损耗五模模分复用器及D型传感器，包括基底材料、高折射率掺杂棒；高折射率掺杂棒位于基底材料内；高折射率掺杂棒包括五根高折射率掺杂棒；第一高折射率掺杂棒位于基底材料的中心位置，第二、三、四、五高...
- 李建设王晓凯李曙光卢辉斌杜会静韩颖丁钰鑫孟潇剑郭英
