李雨辰
- 作品数：11 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>
- 塑封电子器件负极端变色原因分析
- 2014年
- 利用X-RAY光电子能谱仪对125°下,通电15kV,96h后负极一端出现白色物质的塑封电容器进行分析。对比分析发现,负极一端白色物质为氧化铝富集所致。造成该现象的原因是,环氧塑封料中含有活性氧化铝,由于固化不完全或吸潮导致环氧塑封料中残留水分,残留的水分与活性氧化铝结合,在电应力的作用下,有向电源负极迁移的趋势;同时,由于温度效应的存在,塑封树脂软化,加速了水分与活性氧化铝向电源负极迁移的速度,形成了氧化铝在负极端富聚现象,使电容器负极端呈现白色。
- 丁丽李雨辰蔺娴
- 关键词：光电子能谱塑封料氧化铝迁移
- 芯片引线键合点失效的俄歇电子能谱分析
- 2013年
- 采用俄歇电子能谱法(AES),对某芯片的正常引线键合点和失效引线键合点进行了分析.实验结果表明:失效引线键合点表面出现了Cl元素,其失效原因是在键合点处形成的氯化物腐蚀键合点,导致键合点失效;溅射20min后,键合点内发生Ni金属的迁移,这也是导致键合点失效的原因之一.
- 蔺娴李雨辰
- 关键词：AES芯片键合点
- 砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析被引量：5
- 2003年
- 用X射线光电子能谱 (XPS) ,测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值 ,指认了砷化镓 (GaAs)晶片表面的氧化物组成 ,计算了表面氧化层的厚度 ,定量分析了表面的化学组成 ;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明 :砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2 O3 、As2 O5、As2 O3 和单质As组成 ,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比 ,而且 ,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加 ;溶液处理后 ,砷化镓表面得到了改善。讨论了可能的机理。
- 任殿胜王为李雨辰严如岳
- 关键词：X射线光电子能谱
- 利用XPS研究紫外光激发下GaAs晶片表面氧化反应
- 2005年
- 本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度。发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染碳。氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致。用此方法获得具有一定的化学稳定性的,适合于器件制备的钝化层。发现紫外光激发的砷化镓表面氧化反应的实质是光催化反应。用“紫外光/臭氧处理法”处理的GaAs晶片。
- 李雨辰任殿胜
- 关键词：XPS研究晶片砷化镓表面氧化层厚度XPS分析表面污染
- 砷化镓晶片表面的XPS研究被引量：4
- 2002年
- 用X射线光电子能谱分析技术 (XPS)研究了几种砷化镓抛光片及经不同表面处理方法处理的砷化镓晶片表面的化学计量比和表面化学组成。结果表明砷化镓抛光片的表面自然氧化层中含有Ga2 O3、As2 O5、As2 O3及元素As;表面化学计量比明显富镓 。
- 任殿胜王为李雨辰严如岳
- 关键词：晶片砷化镓XPS表面特性
- 塑封电子器件负极端变色原因分析
- X-RAY光电子能谱仪对125°下,通电15kV,96h后负极一端出现白色物质的塑封电容器进行分析.对比分析发现,负极一端白色物质为氧化铝富集所致.造成该现象的原因是,环氧塑封料中含有活性氧化铝,由于固化不完全...
- 丁丽李雨辰蔺娴
- 关键词：环氧塑封料氧化铝
- SiC抛光片表面氧化行为的XPSS、EM研究被引量：1
- 2006年
- 本文利用扫描电子显微镜和X光电子能谱研究SiC抛光片表面氧化行为,发现Si面比C面的氧化更显著,产生更多的氧化产物,提出利用扫描电子显微镜和X光电子能谱来鉴别SiC晶片的Si面和C面的新方法。
- 章安辉李雨辰
- 关键词：SIC
- GaAs(100)表面氧化的XPS研究被引量：6
- 2004年
- 用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光 臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等 .研究表明 ,两种氧化方法的氧化过程不同 ,在砷化镓表面形成的氧化膜的厚度以及组成也不同 ,热氧化下氧化层主要由Ga2 O3、As2 O3、As2 O5 以及少量元素As组成 ,而且表面明显富镓 ;紫外光激发下生成的氧化物主要为Ga2 O3 和As2 O3 ,镓砷比与本体一致 .讨论了可能的反应机理 ,紫外光不仅将氧分子激发为激发态氧原子 ,增加了氧的反应活性 ;同时也激发了GaAs材料的价电子 。
- 任殿胜王为李雨辰严如岳
- 关键词：XPS砷化镓
- Si_3N_4钝化层质量分析研究被引量：1
- 2009年
- 采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系。通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效。实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过1 000 h电老化后芯片表面无生成物产生。
- 丁丽严如岳何秀坤李宝珠李雨辰何友琴马农农章安辉刘立娜
- 关键词：氮化硅钝化层生成物
- DAST晶体XPS数据分析基准的讨论被引量：1
- 2018年
- 为了方便地表征4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)的性质,采用X射线光电子能谱仪(XPS)分别对两种原粉的DAST晶体、吸附有一定量水的DAST籽晶和新制备的DAST籽晶进行了表面元素分析。通过分析数据,并选取其中合适峰位的元素作为数据分析时的基准。结果表明,DAST晶体中的C、N、O元素均不适合作为XPS数据分析的基准元素,可能来源于表面沾污的Si元素也不能作为数据分析的基准,而将晶体中硫元素(167.50eV)作为基准,校准数据后分析C、N元素,其结果是合理的。
- 蔺娴李雨辰王鑫
- 关键词：DAST晶体XPS数据分析
