李跃进
- 作品数：156 被引量：326H指数：9
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 一种输出摆幅自动校正LC压控振荡器
- 本发明涉及一种输出摆幅自动校正LC压控振荡器，包括振荡器核心电路模块、低通滤波器、比较器、数字自动幅度校正模块、偏置电路模块以及开关电阻控制字产生模块；振荡器核心电路模块由第一开关电阻阵列、LC谐振网络、可变电容阵列/交...
- 李迪杨银堂李跃进石佐辰
- 文献传递
- 基于'有效电容'的耦合RC互连延时分析
- 本文提出了一种基于'有效电容'的耦合RC互连延时的分析方法.与传统的采用Miller电容的方法比较,它不但提高了计算精度而且反映出了延时随信号上升时间变化的规律.本文方法与Elmore延时具有相同的计算复杂度,可广泛用于...
- 董刚杨银堂李跃进
- 关键词：电容提取延时
- 文献传递
- 微波ECRCVD设备
- 杨银堂汪家友付俊兴刘毅周端顾新柴常春李跃进贾护军俞书乐陈光族吴振宇王平李爱军
- 微波电子回旋共振化学气相淀积(ECRCVD)技术是利用电子在微波和磁场中的回旋共振效应，在真空条件下形成高密度、高活性的等离子体进行气相化学反应，在低温下形成优质薄膜的技术。该项目通过独创性的稀土永磁、大面积、分布式EC...
- 关键词：
- 关键词：高密度等离子体化学气相淀积
- 微波ECR等离子体刻蚀系统被引量：13
- 2002年
- 研制成功了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,由Nd Fe B永磁磁钢形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积、均匀、高密度等离子体。利用该系统实现了SiO2 、SiN、SiC、Si等材料的微细图形刻蚀 ,刻蚀速度分别为 2 0 0nm/min ,5 0 0nm/min ,4 0 0nm/min ,70 0nm/min ,加工硅圆片Φ2 0 0mm ,线条宽度 <0 3μm ,选择性 (SiO2 、Si) >2 0 ,剖面控制 >83° ,均匀性 95 % ,等离子体密度 2 0× 10 11cm-3 。电离度大(>10 % ) ,工作气压低 (1Pa～ 10 -3 Pa) ,均匀性好 ,工艺设备简单 ,参数易于控制等优点。
- 徐新艳汪家友杨银堂李跃进吴振宇
- 关键词：刻蚀同轴腔体集成电路
- 基于S域RLC传输线模型的多芯片组件互连功耗计算(英文)
- 2006年
- 为了分析多芯片组件的互连功耗,用RLC传输线模型对多芯片组件的互连进行表征,通过对输入互连的电流及其等效电阻的近似,推导出多芯片组件互连功耗的频域数学表达式,给出计算机仿真试验结果,对方法的有效性进行验证.
- 董刚杨银堂李跃进
- 关键词：多芯片组件
- 一种具有两个传输零点的新型带通滤波器被引量：6
- 2010年
- 在分析带通滤波器等效电路类型与特点的基础上,提出了一种简单的且具有两个传输零点的新型带通滤波器结构,有效解决了低介电常数多芯片组件(MCM)集成带通滤波器的性能与面积的问题.通过实际设计加工测试了一款中心频率为1.61GHz、带宽为260MHz的带通滤波器,插入损耗为0.71dB,驻波1.2,测试结果与仿真结果一致,器件整体尺寸为3.2mm×2.4mm×0.6mm.
- 邢孟江杨银堂李跃进朱樟明
- 关键词：低温共烧陶瓷带通滤波器多芯片组件低介电常数
- SiC薄膜的场致发射实验研究被引量：2
- 1999年
- 利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出了一层ＳｉＣ薄膜．这种ＳｉＣ薄膜可以用作场致发射的阴极，该文报道了其场致发射的Ｉ～Ｖ特性测试结果．结果表明，该薄膜的场致发射具有Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ的指数形式，而其发射场强的阈值约为１Ｖ／μｍ．在测试出的Ｉ～Ｖ特性曲线上，发现了共振隧穿特征．
- 李德昌杨银堂李跃进李跃进
- 关键词：碳化硅薄膜场致发射测试实验
- 减小VDMOSFET反向传输电容的研究被引量：3
- 1998年
- 为减小VDMOS的反向传输电容，设计了三种体内结构与常现VDMOS相同而表面结构不同的器件实验结果表明，三种结构器件的反向传输电容与常规VDMOS相比都有较大幅度的降低，在Vds＝10V时，分别下降了36％、56％和72％
- 张鹤鸣李跃进戴显英
- 关键词：VDMOSFET
- 一种基于同轴硅通孔的三维集成无源滤波器
- 本发明涉及一种基于同轴硅通孔的三维集成无源滤波器，自上而下依次包括第一螺旋电感层、第一平板电容层、硅通孔电容层、第二平板电容层和第二螺旋电感层，其中，所述硅通孔电容层包括衬底和穿透所述衬底的多个硅通孔结构，每个所述硅通孔...
- 尹湘坤朱樟明杨银堂李跃进丁瑞雪
- 文献传递
- 不同添加气体对SiC材料SF_6干法刻蚀的影响
- 2001年
- 以六氟化硫 ( SF6)作为刻蚀气体 ,采用不同的添加气体 O2 或 N2 分别进行了 Si C薄膜的等离子体刻蚀 ( PE)工艺研究。实验表明 ,SF6中加入 O2 有助于 Si C材料刻蚀速率的提高 ;但是 ,在相同的刻蚀工艺条件下 ,N2 的加入只起到稀释气体的作用而未参与刻蚀反应 ,Si C刻蚀速率随 N2
- 柴常春杨银堂李跃进姬慧莲童红亮
- 关键词：等离子体刻蚀碳化硅六氟化硫干法刻蚀
