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李梦婷

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:长安大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇掺杂
  • 3篇氧化锌
  • 3篇P型
  • 2篇第一性原理
  • 2篇电子结构
  • 2篇子结构
  • 2篇纳米
  • 2篇P型掺杂
  • 1篇单晶
  • 1篇电学
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇室温
  • 1篇纳米线
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂
  • 1篇光学
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体技术
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO纳米

机构

  • 6篇长安大学

作者

  • 6篇张文雪
  • 6篇李梦婷

传媒

  • 2篇中国高新技术...
  • 2篇科技资讯
  • 2篇科技创新导报

年份

  • 6篇2013
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
氧化锌的p型掺杂和室温稀磁特性研究
2013年
众所周知,氧化锌它是半导体组成材料之一,可以直接作为原材料使用。该材料潜能非常大,可以在激子作用下产生巨大的能量。它的特性决定了它在日后的使用方向,是短波长光电最佳的选择材料。将氧化锌进行掺杂可以将其当成基光电器件必备条件之一。在不断研究中已经取得一定的成效,但是从它长远上分析,它比较难以实现p型掺杂,该文分析了其原因,并且分析了它的室温稀磁特性,为工业生产奠定基础。
李梦婷张文雪
关键词:氧化锌P型掺杂
分析氧化锌材料的研究与进展
2013年
ZnO可用于制作蓝光、蓝绿光、紫外光等多种发光器件,其禁带宽度对应紫外光波长。文章从制备、应用、性质等方面介绍了ZnO材料。
李梦婷张文雪
关键词:单晶纳米氧化锌ZNO
解析ZnO纳米线的掺杂及特性研究进展
2013年
ZnO具备优良的物理及化学性质,属于一种重要的宽禁带半导体材料。研究发现,ZnO纳米线在催化、光学、磁性及敏感器件等领域具备良好的应用前景。然而,ZnO存在着氧空位及锌间隙等先天缺陷,难以达到完美化学计量比。为此,将一些元素掺入到ZnO纳米线中,在改变ZnO纳米线结构形貌的同时,实现对ZnO纳米线的掺杂,进一步改善其光学、磁学、敏感等性能,推动ZnO纳米线在多种领域的研究及应用。
李梦婷张文雪
关键词:ZNO纳米线掺杂
浅谈铝氮共掺杂氧化锌纳米管电子结构的第一性原理
2013年
该文主要采用第一性原理对掺铝、掺氮、铝氮共掺杂氧化锌纳米管的电子结构进行了计算,并分析了差分电荷密度对氧化锌纳米管电子结构的影响。结果显示,铝氮共掺杂可以使主能级局域性对氮形成的影响减小,提高氮的溶解度,这一掺杂方法将是顺利实现氧化锌纳米管p型参杂的有效途径。
李梦婷张文雪
关键词:电子结构第一性原理
氧化锌薄膜的p型掺杂及光学和电学性质
2013年
氧化锌属于一种直接带隙宽半导体材料,具备较小的玻尔半径及较大的激子束缚能,在短波长光电子器件研究领域具备较好的应用前景,对于提高光信息存取速度与光记录密度具有重要意义。在氧化锌薄膜形成过程中,将活性原子N掺入可以有效得到p-ZnO薄膜,对p型掺杂情况进行判断,根据结构设计制备出具备良好电学特性的ZnO同质p-n结,经观察发现,这种结构具备良好的伏安特性曲线,通过实验证明,p-ZnO具有很好的潜在应用价值,对实现ZnO光电器件实用化存在着极为重要的作用。
李梦婷张文雪
关键词:氧化锌薄膜P型掺杂光学电学
试分析氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理
2013年
本文对p型掺杂ZnO晶体的电子布局、差分电荷、电子结构、电子态密度进行了分析,对ZnO材料p型掺杂精细结构进行了计算。所有计算都是以密度泛函理论框架下的第一原理为基础。通过计算得出:在能隙中掺杂V族元素的氧化锌材料引入了深受主能级,载流子局域在甲带顶附近。而通过加入激活施主的共掺杂技术得出,由于受主能级向低能方向移动,从而形成了浅受主能级。
李梦婷张文雪
关键词:氧化锌第一性原理电子结构半导体技术P型
共1页<1>
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