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李春花
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昆明理工大学材料与冶金工程学院
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相关领域:
金属学及工艺
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合作作者
柴艮风
昆明理工大学材料与冶金工程学院
陈玉林
昆明理工大学材料与冶金工程学院
施哲
昆明理工大学材料与冶金工程学院
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2006
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沉淀法制备Sm^(3+),Er^(3+)与Nd^(3+)一次共掺杂的BaTiO_3基半导体陶瓷电容器
2006年
在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%~5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.5895μf.cm-2电性能参数。
柴艮风
施哲
陈玉林
李春花
关键词:
共沉淀法
半导体陶瓷电容器
施主掺杂
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