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李文庆

作品数：10 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇纳米
  • 3篇离子束
  • 3篇离子注入
  • 2篇低热阻
  • 2篇电学性能
  • 2篇电子器件
  • 2篇多层薄膜材料
  • 2篇多层膜
  • 2篇多层膜结构
  • 2篇热传导性
  • 2篇热传导性能
  • 2篇热学性能
  • 2篇热阻
  • 2篇离子注入技术
  • 2篇膜材料
  • 2篇纳米带
  • 2篇纳米电子
  • 2篇纳米电子器件
  • 2篇金属
  • 2篇抗辐照

机构

  • 10篇武汉大学
  • 1篇国网河北省电...
  • 1篇国网河北省电...
  • 1篇国家电网有限...
  • 1篇国网电力科学...
  • 1篇国网电力科学...

作者

  • 10篇李文庆
  • 7篇肖湘衡
  • 6篇蒋昌忠
  • 3篇任峰
  • 3篇戴志高
  • 2篇赵晓龙
  • 1篇梅菲
  • 1篇廖蕾

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种表面增强拉曼光谱复合基底的制备方法
本发明公布了一种化学性质稳定的表面增强拉曼光谱复合基底的制备方法。将采用CVD技术在铜箔上生长的单层石墨烯转移到通过聚苯乙烯微球模板法制备的银纳米阵列上，在50℃下保温30分钟后，单层石墨烯与贵金属纳米阵列牢固结合，形成...
肖湘衡戴志高梅菲郑俊丰李文庆任峰蒋昌忠
文献传递
WSN监测数据管理平台的应用研究
李文庆
关键词：无线传感器网络数据管理
二维半导体复合结构的设计及表界面性质研究
肖湘衡廖蕾邹旭明李文庆蒋昌
该项目属于信息科学、材料科学与工程、纳米科学与技术等学科交叉研究领域。 二维半导体材料由于其优异的性能，已经广泛应用于太阳能电池、光电器件、催化、生物检测等诸多领域，具有巨大的潜在应用价值。二维半导体复合结构的可控制备...
关键词：
关键词：电学性能
一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法
本发明公开了一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法。将通过热蒸发过程生长出来的硫化镉纳米带转移到硅的基底上，然后使用离子注入技术将氮离子注入掺杂到选取的单根硫化镉纳米带中。随后将注入过的样品放入管式退火炉中在350度下退火4...
肖湘衡李文庆戴志高任峰蒋昌忠
文献传递
一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p-n同质结的方法
本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种利用低能离子注入掺杂构建二维横向p‑n同质结的方法。机械剥离得到少层二维材料，旋涂PMMA覆盖材料作为掩模层。利用电子束曝光和显影，暴露二维材料的选定区域，未暴露区域仍由PMMA覆盖...
肖湘衡康雨凡李文庆蒋昌忠
离子束在调制纳米材料光学与电学性能方面的应用研究
近年来,由于具有精确可控、可重复性高、兼容性好等优点,离子注入技术被广泛应用于材料掺杂以及表面处理等领域。本文从离子注入技术出发,利用钨离子注入到二氧化硅薄膜中形成的纳米颗粒-二氧化硅(WNPs-SiO2)复合薄膜。由金...
李文庆
关键词：金属纳米颗粒纳米线离子注入
文献传递
考虑电压安全多周期的无功效益优化方法及系统
本发明涉及一种考虑电压安全多周期的无功效益优化方法及系统，优化方法包括：第一步、建立以网损最小化，电压偏差最小化，发电机输出无功最小化为目标的无功效益优化模型，无功效益优化模型包括配电网潮流约束，有载调压分支开关、并联电...
饶尧丁胜孙志成李文庆胡宝华颜毅李明峪周博滔桂俊平郭威张然徐建云乐健崔键勇任意卫水平
一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料及其制备方法
本发明公布了一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料，它是以金属钨纳米薄膜和单层石墨烯交叉层叠的多层复合结构，制备方法为：将金属钨纳米薄膜沉积在二氧化硅基底上，然后转移单层石墨烯到所述金属钨纳米薄膜的表面，之后交替沉积钨纳米...
肖湘衡司书尧赵晓龙李文庆蒋昌忠
文献传递
一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料及其制备方法
本发明公布了一种低热阻、抗辐照的纳米多层薄膜材料，它是以金属钨纳米薄膜和单层石墨烯交叉层叠的多层复合结构，制备方法为：将金属钨纳米薄膜沉积在二氧化硅基底上，然后转移单层石墨烯到所述金属钨纳米薄膜的表面，之后交替沉积钨纳米...
肖湘衡司书尧赵晓龙李文庆蒋昌忠
一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法
本发明公开了一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法。将通过热蒸发过程生长出来的硫化镉纳米带转移到硅的基底上，然后使用离子注入技术将氮离子注入掺杂到选取的单根硫化镉纳米带中。随后将注入过的样品放入管式退火炉中在350度下退火4...
肖湘衡李文庆戴志高任峰蒋昌忠
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