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李忠辉

作品数：11 被引量：36H指数：3
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 6篇二极管
  • 6篇发光
  • 6篇发光二极管
  • 3篇亮度
  • 3篇金属有机化学...
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇高亮
  • 3篇高亮度
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化镓
  • 2篇树脂
  • 2篇透明电极
  • 2篇透明树脂
  • 2篇紫外发光二极...
  • 2篇钇铝石榴石
  • 2篇接触特性
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体质量

机构

  • 11篇北京大学
  • 1篇长春理工大学

作者

  • 11篇李忠辉
  • 11篇杨志坚
  • 11篇张国义
  • 8篇胡晓东
  • 6篇秦志新
  • 6篇于彤军
  • 5篇章蓓
  • 5篇陈志忠
  • 4篇丁晓民
  • 2篇唐英杰
  • 2篇余彤军
  • 2篇王宇芳
  • 2篇童玉珍
  • 2篇任谦
  • 1篇于桐军
  • 1篇陆羽
  • 1篇陆曙
  • 1篇潘尧波
  • 1篇张昊翔
  • 1篇徐军

传媒

  • 3篇发光学报
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InGaN/GaN MQW紫光LED的光学和电学性质
利用LP-MOCVD系统在蓝宝石(α-Al<,2>O<,3>)衬底的(0001)面上外延生长InGaN/GaN MQWLED结构.分别以蓝氨和高纯三甲基铟(TMIn)、三甲基镓(TMGa)为N、In、Ga源SiH<,4>...
李忠辉杨志坚于彤军秦志新童玉珍胡晓东章蓓张国义
关键词：蓝宝石衬底光学性质电学性质
文献传递
氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响被引量：9
2004年
研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对Ni/Au p GaN接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论。
秦志新陈志忠于彤军张昊翔胡晓东杨志坚李忠辉张国义
关键词：氮化镓基发光二极管热退火载流子浓度
高亮度InGaN基白光LED特性研究被引量：16
2002年
利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .
李忠辉丁晓民杨志坚于彤军张国义
In_(0.5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0.5)P合金的掺杂生长特性
2002年
利用LP MOCVD分别生长Zn和Si掺杂的In0 5(Ga1-xAlx) 0 5P外延层 ,研究生长温度、掺杂源流量、Ⅴ/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响。实验结果表明 :降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由 (10 0 )向 (111)A偏 6～ 15°的衬底都有利于增加InGaAlP合金中Zn的掺杂浓度 ;提高生长温度和增加SiH4流量、减小Al含量和Ⅴ/Ⅲ比 ,都有助于增加Si掺杂浓度 。
李忠辉丁晓民于彤军杨志坚胡晓东张国义
关键词：INGAALPLP-MOCVD掺杂剂
氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法
本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物...
杨志坚张国义李忠辉余彤军胡晓东陈志忠秦志新章蓓
文献传递
高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法，采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源，将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上，形成球冠形，再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物，最后用透明树脂常规封装。这种白光...
张国义杨志坚丁晓民王宇芳唐英杰李忠辉
文献传递
高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法
本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法,采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源,将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上,形成球冠形,再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物,最后用透明树脂常规封装。这种白光...
张国义杨志坚丁晓民王宇芳唐英杰李忠辉
文献传递
MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED被引量：10
2003年
利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。
李忠辉杨志坚于彤军胡晓东杨华陆曙任谦金春来章蓓张国义
关键词：INGANMOCVD
氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响
本文研究了在空气和氧气等离子体中的氧化对P-型GaN上的Ni/Au透明电极的影响.发现在500℃时接触电阻随合金温度逐渐降低并趋于饱和.而等离子体气氛下的氧化会升高接触电阻.但在N<,2>中的退火可以消除等离子体氧化的影...
秦志新陈志忠杨志坚李忠辉于桐军胡晓东张国义
关键词：发光二极管
文献传递
氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法
本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物...
杨志坚张国义李忠辉余彤军胡晓东陈志忠秦志新章蓓
文献传递
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