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李博

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇芯片
  • 2篇电压
  • 2篇多晶
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列设计
  • 2篇三极管
  • 2篇外延层
  • 2篇外延片
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电现象
  • 2篇抗ESD
  • 2篇抗辐射
  • 2篇抗辐照
  • 2篇集电极
  • 2篇工作电压
  • 2篇发射极
  • 2篇辐照
  • 2篇EEPROM
  • 2篇EEPROM...
  • 2篇ESD保护

机构

  • 8篇中国电子科技...

作者

  • 8篇李博
  • 4篇田海燕
  • 4篇封晴
  • 4篇王晓玲
  • 2篇孙佩
  • 2篇张艳飞
  • 2篇赵力
  • 1篇罗静
  • 1篇高国平
  • 1篇周晓彬
  • 1篇王栋
  • 1篇李爱平

传媒

  • 2篇中国集成电路

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
抗辐照EEPROM存储阵列隔离结构
本发明公布了一种抗辐照EEPROM存储单元阵列隔离结构，包括制作在半导体衬底上的EEPROM存储单元，所述EEPROM存储单元呈阵列排列，EEPROM存储单元之间通过场氧相隔离，在所述场氧下面增加场注，使得存储阵列中的每...
田海燕封晴王晓玲张艳飞李博
文献传递
薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构
本实用新型涉及一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，按照本实用新型提供的技术方案，所述薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，包括P型衬底及位于所述P型衬底上的P型外延层，所述P型外延层上设...
李博封晴田海燕王晓玲赵力孙佩
文献传递
薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构
本发明涉及一种薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，按照本发明提供的技术方案，所述薄外延片上抗辐射EEPROM芯片的抗ESD器件结构，包括P型衬底及位于所述P型衬底上的P型外延层，所述P型外延层上设有EEP...
李博封晴田海燕王晓玲赵力孙佩
文献传递
一种差分总线上元器件冷备份功能的测试验证
2022年
针对多种冷备份应用场景,制定冷备份试验电路架构和试验方案,采用不同冷备份特性的差分驱动器和接收器,进行测试对比分析。评价冷备份应用过程中,研究了具备冷备份功能的电路电源端低电压的保持、不具备冷备份功能的电路电源端发生窜电现象及对总线通讯可产生的影响,给出了冷备份的功能验证思路和方法,通过试验结果证明了冷备份功能验证的有效性。
李博王晓斐李爱平
关键词：冷备份备份
抗辐照EEPROM存储阵列隔离结构
本实用新型公布了一种抗辐照EEPROM存储单元阵列隔离结构，包括制作在半导体衬底上的EEPROM存储单元，所述EEPROM存储单元呈阵列排列，EEPROM存储单元之间通过场氧相隔离，在所述场氧下面增加场注，使得存储阵列中...
田海燕封晴王晓玲张艳飞李博
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一种双向耐高压的ESD保护器件结构
本发明涉及一种双向耐高压的ESD保护器件结构，该ESD保护器件包括衬底，还包括闭合的NWELL环和一整块DNWELL，闭合的NWELL环底部与DNWELL相连，将衬底表面的部分区域隔离出来，形成独立区域；在独立区域上进行...
李博
文献传递
一种双向耐高压的ESD保护器件结构
本发明涉及一种双向耐高压的ESD保护器件结构，该ESD保护器件包括衬底，还包括闭合的NWELL环和一整块DNWELL，闭合的NWELL环底部与DNWELL相连，将衬底表面的部分区域隔离出来，形成独立区域；在独立区域上进行...
李博高国平罗静王栋周晓彬
文献传递
一款LVDS收发器芯片的应用验证
2022年
本文通过对一款LVDS收发器芯片进行输出摆幅与温度变化关系、接收阈值与温度变化关系等关键参数的特征曲线测试,工作频率极限应力试验、多节点传输带载试验、温度冲击步进应力试验、机械冲击步进应力试验等步进应力特性测试,充分对该款芯片开展了应用验证。
李博沈丹丹
关键词：LVDS收发器
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