曹雪
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：南开大学泰达应用物理学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料分子束外延的生长热力学(英文)
- 2011年
- 建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InAsP/InP的数据吻合得很好。将晶格应变能△G及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数。热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素。讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型。
- 叶志成舒永春曹雪龚亮皮彪姚江宏邢晓东许京军
- 关键词：半导体材料热力学
- ITO、AZO靶材用纳米粉体的制备与Ⅲ-Ⅴ族半导体合金薄膜的生长研究
- 本论文“ITO、AZO靶材用纳米粉体的制备与Ⅲ-Ⅴ族半导体合金薄膜的生长研究”，在所进行的课题研究上分为两个主要方向：批量分别制备ITO靶材与AZO靶材用的SnO2、In2O3与ZnO纳米粉体和采用固态源分子束外延技术生...
- 曹雪
- 关键词：ITO靶材纳米粉体分子束外延生长热力学模型
- 固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析(英文)被引量：1
- 2010年
- 本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合。该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性。
- 曹雪舒永春叶志成皮彪姚江宏邢晓东许京军
- 关键词：INGAPGAAS
- In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响被引量：6
- 2011年
- 利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。
- 叶志成舒永春曹雪龚亮姚江宏皮彪邢晓东许京军
- 关键词：分子束外延INGAAS/GAAS应变量子阱
- 水热法批量制备粒径可控SnO_2纳米粉体(英文)被引量：2
- 2013年
- 以SnCl4·5H2O为前驱体、NH3·H2O为矿化剂,通过水热还原技术制备平均粒径在5～30nm的SnO2纳米粉末。系统研究小批量生产(1kg/批)条件下,工艺条件包括溶液浓度、反应温度、压力、时间和pH值对SnO2粒径、形貌和晶型的影响,并采用XRD、TEM等测试手段对样品进行表征。结果表明,在保持SnO2粉末晶型和形貌不变的前提下,通过调节反应温度、反应时间等工艺参数,粉末的粒径尺寸可以有效地控制在5～30nm范围内。不同于之前的报道,SnO2粒径尺寸随着反应时间(反应温度)的变化存在新的变化趋势,并推测解释了此晶粒异常生长的机理。
- 曹雪舒永春胡永能李广平刘畅
- 关键词：SNO2纳米粉末水热法
