曹安宁
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：大连海事大学更多>>
- 发文基金：辽宁省科学技术计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学航空宇航科学技术更多>>
- 霍尔推进器壁面材料二次电子发射及鞘层特性被引量：5
- 2014年
- 霍尔推进器放电通道等离子体与壁面相互作用形成鞘层,不同壁面材料的二次电子发射对推进器鞘层特性具有重要影响,本文针对推进器壁面鞘层区域建立二维物理模型,研究了氮化硼(BN)、碳化硅(SiC)和三氧化二铝(Al_2O_3)三种不同壁面材料的二次电子发射特性,在改进SiC材料二次电子发射模型的基础上,采用粒子模拟方法,讨论了壁面二次电子发射系数与电子温度和磁场强度的关系,研究了三种材料(BN,SiC和Al_2O_3)的鞘层特性,结果表明:修正的二次电子发射模型拟合曲线与实验曲线几乎一致;在相同电子温度下,三种材料(BN,SiC和Al_2O_3)的二次电子发射系数和壁面电子数密度依次增大,而鞘层电场和鞘层电势降依次减小,BN材料具有合适的二次电子发生射系数,使得霍尔推进器能在低电流下稳态工作。
- 段萍覃海娟周新维曹安宁刘金远卿少伟
- 霍尔推进器等离子体鞘层特性的Particle-in-Cell模拟被引量：6
- 2013年
- 霍尔(Hall)等离子体推进器鞘层特性对推进器的性能具有重要影响。针对Hall推进器鞘层区域建立物理模型,采用粒子模拟方法(PIC),通过求解泊松方程得到粒子位置产生的电场,确定边界条件,研究了不同磁感应强度和方向、不同推进工质和粒子权重对推进器鞘层电势及壁面二次电子发射系数的影响规律。结果表明:当磁感应强度为0.04T时,随着磁场方位角的增大,鞘层电势绝对值升高,壁面二次电子发射系数降低,变化量在10-3量级;磁场大小对鞘层电势及壁面二次电子发射系数影响较小;对于氩、氪和氙3种工质,鞘层电势和二次电子发射系数依次降低;而当粒子权重大于106时,等离子体鞘层振荡明显,推进器的稳定性降低。
- 段萍周新维沈鸿娟覃海娟曹安宁殷燕
- 关键词：鞘层二次电子发射磁场
- 离子速度对霍尔推力器壁面鞘层特性的影响被引量：2
- 2014年
- 为进一步探索霍尔推力器通道内等离子体鞘层的物理机制,针对霍尔推力器等离子体鞘层区域建立二维物理模型,采用二维粒子模拟方法研究了二次电子发射系数、鞘层电子数密度、鞘层电势以及电场随离子入射速度的变化规律,分析了模拟区域径向尺度大小对鞘层稳定性的影响。结果表明:壁面二次电子发射系数随离子入射速度的增大有少许增大,变化在10-3数量级;随着离子入射速度的增大,电子数密度、鞘层电势降及径向电场都减小,而轴向电场几乎不变;在相同的边界条件下,模拟区域径向尺度的增大会导致壁面电势随时间的振荡加剧,鞘层稳定性降低。
- 段萍覃海娟周新维曹安宁殷燕
- 关键词：霍尔推力器鞘层二次电子发射
- 环扣连接速堵板
- 本发明公开了一种环扣连接速堵板，包括一字排布连接的薄板(5)；相邻两个所述薄板之间铰接，从而整体构成履带形式；相邻所述薄板(5)之间通过开孔穿设套环连接。履带式的所述薄板(5)整体一侧附着有橡皮膜，另一侧整体附着有覆盖面...
- 段萍曹安宁刘广睿王书彪徐春亮王超韩莊光许矢林
- 文献传递
- 霍尔推力器鞘层电子与壁面碰撞频率及近壁传导电流研究
- 本文针对霍尔推力器内等离子体与壁面材料相互作用形成的非中性鞘层区域建立二维物理模型,对鞘层内电子与壁面碰撞频率及近壁传导电流进行数值模拟研究.研究结果表明:电子与壁面碰撞频率随鞘层内电子数密度及电子温度的增加而升高,壁面...
- 段萍刘广睿边兴宇曹安宁殷燕
- 关键词：等离子体
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- 霍尔推力器通道壁面分割放电特性研究
- 霍尔推力器是一种为航天器在轨运行提供微小推力的装置，具有高效率、高比冲及高可靠性等优点，现已被广泛应用于航天器的轨道提升、位置保持、姿态控制等推进任务。霍尔推力器放电通道壁面材料布置对等离子体动力学特性具有重要影响，由于...
- 曹安宁
- 关键词：航天器霍尔推力器放电特性
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- 环扣连接速堵板
- 本实用新型公开了一种环扣连接速堵板，包括一字排布连接的薄板(5)；相邻两个所述薄板之间铰接，从而整体构成履带形式；相邻所述薄板(5)之间通过开孔穿设套环连接。履带式的所述薄板(5)整体一侧附着有橡皮膜，另一侧整体附着有覆...
- 段萍曹安宁刘广睿王书彪徐春亮王超韩莊光许矢林
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- 电子温度对霍尔推进器等离子体鞘层特性的影响被引量：1
- 2013年
- 采用二维粒子模拟方法研究了霍尔推进器通道中电子温度对等离子体鞘层特性的影响,讨论了不同电子温度下电子数密度、鞘层电势、电场及二次电子发射系数的变化规律.结果表明:当电子温度较低时,鞘层中电子数密度沿径向方向呈指数下降,在近壁处达到最小值,鞘层电势降和电场径向分量变化均较大,壁面电势维持一稳定值不变,鞘层稳定性好;当电子温度较高时,鞘层区内与鞘层边界处电子数密度基本相等,而在近壁面窄区域内迅速增加,壁面处达到最大值,鞘层电势变化缓慢,电势降和电场径向分量变化均较小,壁面电势近似维持等幅振荡,鞘层稳定性降低;电子温度对电场轴向分量影响较小;随电子温度的增大,壁面二次电子发射系数先增大后减少.
- 段萍曹安宁沈鸿娟周新维覃海娟刘金远卿绍伟
- 关键词：等离子体鞘层电子温度
