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惠宁

作品数:37 被引量:30H指数:3
供职机构:中国原子能科学研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 21篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 10篇理学
  • 6篇电子电信
  • 4篇核科学技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学

主题

  • 20篇单粒子
  • 17篇重离子
  • 13篇单粒子效应
  • 10篇微束
  • 7篇束流
  • 7篇加速器
  • 5篇刀片
  • 5篇刃口
  • 5篇辐照装置
  • 5篇HI-13串...
  • 5篇串列加速器
  • 4篇散射
  • 4篇辐照
  • 3篇单粒子翻转
  • 3篇电动
  • 3篇电动机
  • 3篇定位装置
  • 3篇直流
  • 3篇直流电
  • 3篇直流电动机

机构

  • 37篇中国原子能科...
  • 2篇国防科学技术...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中广核研究院...

作者

  • 37篇惠宁
  • 37篇郭刚
  • 32篇沈东军
  • 27篇刘建成
  • 26篇史淑廷
  • 15篇陈泉
  • 13篇蔡莉
  • 10篇许谨诚
  • 7篇范辉
  • 6篇何安林
  • 5篇高丽娟
  • 5篇李丽丽
  • 4篇路秀琴
  • 4篇郭继宇
  • 4篇韩金华
  • 3篇王慧
  • 3篇孔福全
  • 3篇王贵良
  • 3篇张艳文
  • 2篇池雅庆

传媒

  • 7篇原子能科学技...
  • 1篇电子学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇信息与电子工...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2004
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种针孔准直器
本发明涉及一种准直器。为解决现有针孔准直器存在的针孔形状不理想,使得重离子微束的低能散射严重,导致产生的重离子束斑过大,不能满足应用要求等问题,本发明提供了一种针孔准直器,包括上底衬、第一狭缝结构、第二狭缝结构和下底衬;...
惠宁许谨诚郭刚沈东军
文献传递
北京HI-13串列加速器上单粒子效应辐射装置简介
在北京HI-13串列加速器上建立了微电子器件单粒子效应地面模拟辐照试验装置.利用Q3D磁谱仪的高分辨特性和散焦特性,获得了强度均匀分布、注量率可调的单能重离子束流,开展了大量星用器件抗单粒子效应性能评估试验研究.为了深入...
郭刚许谨诚李志常路秀琴郭继宇陈泉沈东军刘建成惠宁
关键词:加速器单粒子效应
文献传递
加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用被引量:3
2015年
为满足国内半导体器件单粒子效应(SEE)截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。
蔡莉刘建成范辉郭刚史淑廷惠宁王惠王贵良沈东军何安林
关键词:重离子单粒子效应单粒子翻转
65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
2017年
利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。
李丽丽郭刚蔡莉池雅庆刘建成史淑廷惠宁韩金华
关键词:静态随机存储器重离子
温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响被引量:2
2018年
本文研究了215~353K温度范围内商用4M0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软件研究了温度对其空间错误率预估的影响,模拟结果显示,SEU截面随温度的变化改变了SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果。
蔡莉刘建成覃英参李丽丽郭刚史淑廷吴振宇池雅庆惠宁范辉沈东军何安林
关键词:重离子单粒子效应单粒子翻转温度效应静态随机存储器
航天器件重离子微束辐射装置
为了深入研究单粒子效应的微观机制,使得在抗辐射加固芯片的设计中更具有针对性,采用束流直径与芯片特征尺度相当的重离子微束进行地面模拟研究是最有效的手段之一。利用重离子微束可以确定芯片不同区域的敏感度;确定其电荷产生、放大和...
许谨诚郭刚陈泉沈东军惠宁郭红英
文献传递
北京HI-13串列加速器上单粒子效应研究
宇宙空间单个高能带电粒子入射到星载微电子器件敏感区,引起微电子器件逻辑错误或功能异常的现象称为单粒子效应(SEE),它包括单粒子翻转(SEU)、锁定(SEL)和烧毁(SEB)等现象。在卫星运行轨道空间中存在着大量的高能带...
郭刚许谨诚刘建成路秀琴陈泉郭继宇惠宁滕瑞
文献传递
单粒子翻转二维成像技术被引量:5
2012年
为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致。
史淑廷郭刚王鼎刘建成惠宁沈东军高丽娟苏秀娣陆虹
用核孔膜测量微米级重离子束的束斑
为了适应辐射物理业务对微米级束流的需求,中国原子能研究院核物理所串列加速器实验室采用针孔技术建成重粒子微束装置。重粒子束流经过微米级(2.0×3.2μm)针孔,形成微米级束流。实验用32MeVS束流,得到微束的强度为10...
沈东军郭刚惠宁许谨城陈泉
文献传递
一种单粒子效应地面加速器模拟试验用束流快门
本发明公开了一种单粒子效应地面加速器模拟试验用束流快门,包括母板、设于母板上的束流通过孔、与束流通过孔大小相适应的挡片,其中,在母板的中线靠下位置上通过过渡安装板还固定有直流电动机,所述的挡片通过其连杆末端的小孔固定在直...
史淑廷郭刚刘建成惠宁沈东军
文献传递
共4页<1234>
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