徐仲晖
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
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- 三氧化二铝栅对氧化锡气敏元件特性的影响
- 本文介绍使用电子溅射的方法在SnO气敏元件表面生长一层50nm左右的Al。在对该气敏器件气敏特性实验中,表现出对有机溶液挥发气体有很好的选择性。这种器件可以应用与对对有机溶液挥发气体的检测。本文详细介绍了该元件的结构、实...
- 徐仲晖
- 文献传递
- N型聚丙烯酰胺\P型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管
- N型聚丙烯酰胺\P型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管，它涉及半导体电子元器件。它解决了现有PN结及采用PN结的二极管对于单向电流不具备稳定的、可识别的、可传递的三态直接输出问题。所述PN结由P型硅片及...
- 徐仲晖穆长生
- P型聚丙烯酰胺\N型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管
- P型聚丙烯酰胺\N型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管，它涉及半导体电子元器件，它解决了现有PN结及采用PN结的二极管对于单向电流不具备稳定的、可识别的、可传递的三态直接输出问题。所述PN结由N型硅片及...
- 徐仲晖穆长生
- 微小尺寸立方氮化硼晶体蓝紫光发射光谱的测量与分析
- 2010年
- 对于微小尺寸的N型宽禁带立方氮化硼（CBN）半导体晶体,在施加恒稳电场的情况下,观察到电致发光现象。通过置CBN单晶样品于光栅单色仪抛物面反射镜焦点的方法,对于CBN的蓝紫光辐射获得了测试系统的最大入射光通量和理想的信噪比。在350~450 nm波长范围内,CBN加上4.7×106V.cm-1恒稳电场条件下,测量出立方氮化硼的蓝紫光发射光谱。同时,结合基于第一性原理的GGA方法计算出的立方氮化硼能带结构和电子态密度,以及测量得到的非线性j-E关系和电击穿特性,讨论了发光机理。提出了在雪崩击穿前的缺陷偶极子极化和击穿后,产生大量的激发态电子,电子在Γ能谷和X能谷间迁移的发光机制。
- 刘海波贾刚徐仲晖孟庆巨孙晓冰
- N型聚丙烯酰胺\P型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管
- N型聚丙烯酰胺\P型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管，它涉及半导体电子元器件。它解决了现有PN结及采用PN结的二极管对于单向电流不具备稳定的、可识别的、可传递的三态直接输出问题。所述PN结由P型硅片及...
- 徐仲晖穆长生
- 文献传递
- PN结及制造方法并采用该PN结的二极管
- P型聚丙烯酰胺\N型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管，它涉及半导体电子元器件，它解决了现有PN结及采用PN结的二极管对于单向电流不具备稳定的、可识别的、可传递的三态直接输出问题。所述PN结由N型硅片及...
- 徐仲晖穆长生
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