彭少朋
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：福建省科技计划重点项目福建省科技厅基金项目福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硫化温度对SnzSy薄膜的结构和光学性能的影响
- 用热蒸发法技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,将其在真空条件下、在150～300℃温度下硫化45分钟。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和光电性能研究,结果表明：在不同温度下硫化所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形...
- 程树英彭少朋
- 关键词：硫化温度光学性能
- 文献传递
- 硫化温度对Sn_xS_y薄膜光电性能的影响
- 2009年
- 用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270℃的条件下硫化45min。研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响。结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小;但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型。当硫化温度为240℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800nm,薄膜的直接能带间隙为1.46eV,电阻率为25.54Ω·cm。
- 赖松林程树英彭少朋
- 关键词：硫化温度光学性能电学性能
- Sn膜硫化合成SnS薄膜及其性能研究被引量：2
- 2007年
- 用热蒸发法技术在ITO透明导电玻璃上沉积一层Sn膜，将其装入石墨盒里后，放在真空炉里面硫化处理，硫化温度在150-350℃之间。通过对在不同温度下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，表明退火温度在230-250℃之间时所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性和对基片的附着力都较好，具有（111）方向优先生长，薄膜粒径在200-800nm。通过测量薄膜样品的反射和透射光谱，计算得到其直接禁带宽度Eg=1．38eV，在基本吸收边附近的吸收系数大于10^4／cm，用霍尔测量系统测得其导电类型为P型，适合应用于太阳能电池的吸收层材料。
- 彭少朋程树英
- 关键词：两步法光电性能
- 硫化温度和时间对Sn_xS_y薄膜结构和成分的影响被引量：1
- 2010年
- 用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层sn薄膜，在真空条件下，将其在150～300℃下硫化30．60min．对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，结果表明：在不同温度和不同时间下硫化，所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异．当硫化温度为240℃、硫化时间为45min时，所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好，具有（111）方向优先生长，薄膜粒径在200～800nm，且晶格常数与标样的数值吻合很好．
- 林建光彭少朋程树英
- 关键词：硫化温度硫化时间
