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张芦

作品数:32 被引量:3H指数:1
供职机构:西南应用磁学研究所更多>>
发文基金:四川省科技计划项目博士后科研启动基金更多>>
相关领域:电气工程自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 19篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 11篇电气工程
  • 8篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 6篇基片
  • 5篇元器件
  • 5篇铁氧体
  • 5篇微波器件
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇陶瓷
  • 4篇微波元器件
  • 4篇相移
  • 4篇开关
  • 4篇硅基
  • 4篇硅基片
  • 4篇差相移
  • 3篇电子罗盘
  • 3篇通信
  • 3篇量程
  • 3篇滤波器
  • 3篇宽量程
  • 2篇导热

机构

  • 29篇西南应用磁学...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇四川外国语大...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国核动力研...
  • 1篇中国科学院合...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇深圳技术大学

作者

  • 32篇张芦
  • 10篇闫欢
  • 8篇赵勇
  • 7篇张远
  • 6篇蒋运石
  • 5篇王檠
  • 3篇何平
  • 2篇孙文辉
  • 2篇张玉鹏
  • 2篇尹久红
  • 2篇杨双
  • 1篇胡文忠
  • 1篇胡云松
  • 1篇胡滨
  • 1篇李晓宇
  • 1篇李天明
  • 1篇闫欢
  • 1篇胡文忠
  • 1篇罗治涛
  • 1篇苏东

传媒

  • 5篇磁性材料及器...
  • 2篇1999年全...
  • 1篇中国电子科学...
  • 1篇磁性元件与电...
  • 1篇第1届全国磁...
  • 1篇第5届全国磁...
  • 1篇第六届全国磁...
  • 1篇第十届全国磁...

年份

  • 2篇2024
  • 13篇2023
  • 7篇2022
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2012
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 4篇1999
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电子罗盘传感器误差及安装误差快速标定与补偿方法
本发明公开了一种电子罗盘传感器误差及安装误差快速标定与补偿方法,涉及电子罗盘的误差补偿领域,其方法为:先选择一电子罗盘,得到MEMS三轴加速度计在每个位置处<I>x</I>、<I>y</I>、<I>z</I>轴上的理论值...
文泓琛彭根斋唐宝权张芦张志红白雪袁荟烽
S波段宽带双工器
张芦孙文辉何平
关键词:双工器
文献传递网络资源链接
一种铁氧体移相器插入相位一致性测试系统及测试方法
本发明公开了一种铁氧体移相器插入相位一致性测试系统,属于微波器件技术领域,由驱动器、铁氧体移相器和矢量网络分析仪组成,其中,所述驱动器分别与铁氧体移相器两端的激励线圈电连接,所述矢量网络分析仪分别与铁氧体移相器两端的波导...
赵勇张芦张志红王檠张远唐宝权毛亮海
基于霍尔效应的宽量程磁场测试仪设计与实现
2023年
采用FPGA+MCU主控制架构、单探头+主板双ADC信号采集电路设计及磁探头恒流源激励电路设计,实现宽量程、高精度磁场信号测量。相较于传统单片FPGA或MCU控制架构方案,融合了FPGA数据采集优势与MCU数据分析控制优势,采样速率快、精度高、运行稳定可靠。研制的磁场测试仪,从主板数据采集电路误差、磁探头温漂误差、磁场测试校准三个方面对系统误差进行补偿校准,实现0.3~20 T量程<3%磁场测量精度、采样速率1 MS/s,具备磁场测量、数据显示、参数设置、通信等功能。
彭根斋唐宝权闫欢张芦张志红罗轩赵勇白雪
一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器
本发明公开了一种基于陶瓷导热的L波段大功率波导环行器,属于微波元器件领域,采用高场设计,设计归一化内场为1.4~1.7,仿真设计内场为52000~63143A/m,包括腔体,所述腔体上设置有磁轭(1),在所述腔体内设置有...
杨勤冯楠轩尹久红张远兰洋朱家辉张芦张志红张玉鹏
微带交指滤波器
本文通过对传统交指滤波器工作原理分析,采取理论设计与实验调整相结合的办法,设计出了一种微带交指滤波器.该滤波器具有以下优点:重量轻,体积小,损耗小,这种设计适合于中等带宽的滤波器,便于调试,易于批量生产.
张芦
关键词:带宽
文献传递
差相移铁氧体锁式开关单独激励方法
本发明公开了一种差相移铁氧体锁式开关单独激励方法,微波器件领域,激励方法为将所述移相段A(2)、移相段B(3)单独激励,比如对所述移相段A(2)正向激励至饱和态,调节移相段B(3)反向激励电流,从而将差相移开关激励至端口...
赵勇张芦张志红王檠张远唐宝权毛亮海
一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法
本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法,属于微型传感器技术领域,所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口,并在腔体内填充线...
李晓宇吴薄王梦佳刘福涵彭根斋闫欢蒋运石张志红张芦
一种提高陶瓷嵌套铁氧体基片表面金属电路附着力的方法
本发明公开了一种提高陶瓷嵌套铁氧体基片表面金属电路附着力的方法,属于微波元器件领域,本发明的方法为采用RF轰击/反溅清洗、低温沉积以及退火相结合的方法,提升了薄膜在铁氧体和陶瓷基片上的附着力,通过拉力实验测试发现其附着力...
李晓宇闫欢张芦张志红蒲祎涵韩晓川刘宪庆
基于MEMS工艺的平行激励磁通门原理及仿真设计
2023年
介绍了一种平行激励MEMS磁通门的原理,并通过COMSOL多物理场仿真软件对其进行建模计及仿真分析,分别考察激励电流、被测磁场以及被测磁场频率对磁通门感应电压的影响。结果表明,感应电压二次谐波幅值随被测磁场的增高近似呈线性增大,磁通门磁场测量范围大于±100μT,频带范围大于DC~10 kHz,感应电压二次谐波幅值随激励电流的增大先增后降,最佳激励电流为37 mA,此时磁通门的感应电压最高,灵敏度最大,达1556.4 V/T。
王梦佳李晓宇彭根斋张芦张志红俞健尹泓卜
关键词:MEMS仿真
共4页<1234>
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