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张栋梁

作品数:13 被引量:1H指数:1
供职机构:武汉大学更多>>
相关领域:化学工程建筑科学政治法律一般工业技术更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇化学工程
  • 2篇建筑科学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律

主题

  • 10篇金刚石
  • 10篇刚石
  • 7篇单晶金刚石
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米金刚石
  • 4篇PN结
  • 3篇源极
  • 3篇漏极
  • 3篇共掺
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇历史建筑
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格常数
  • 2篇建筑
  • 2篇沟道
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇N型
  • 2篇P型

机构

  • 13篇武汉大学

作者

  • 13篇张栋梁
  • 10篇刘胜
  • 4篇李瑞
  • 3篇梁康
  • 2篇詹庆明
  • 1篇梁玉斌
  • 1篇肖映辉
  • 1篇陈明文

传媒

  • 2篇第十八届中国...

年份

  • 10篇2024
  • 2篇2012
  • 1篇2005
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于异质结构的金刚石基PN结及其制备方法
本发明公开了一种基于异质结构的金刚石基PN结及其制备方法,首先对异质衬底进行表面清洁处理;然后在异质衬底上制备金刚石籽晶;将异质衬底置于MPCVD腔体中,通入刻蚀气体和碳源气体,调整外延参数生长多晶金刚石,在生长多晶金刚...
刘胜沈威吴改孙祥张栋梁汪启军
希拉克时代法国外交政策的调整
本文试图探讨希拉克任总统以来对法国外交政策调整的各种动因、具体表现和由此产生的影响,认为他开创了法国外交的希拉克时代。全文除引言和结语外,共分五章。   引言部分主要介绍选题的原因、目前国内外相关研究的情况和本文试图解...
张栋梁
关键词:希拉克法国外交动因
文献传递
基于MPCVD工艺的N型硼-氧共掺金刚石结构及其制备方法
本发明公开了一种基于MPCVD工艺的N型硼‑氧共掺金刚石结构及其制备方法,先将经过预处理后的金刚石衬底置于MPCVD腔体中,通入刻蚀气体进行刻蚀,消除金刚石衬底表面残余污染物;然后通入碳源气体,调整微波功率和MPCVD腔...
刘胜吴改沈威孙祥汪启军张栋梁
基于异质结构的N型金刚石HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种基于异质结构的N型金刚石HEMT器件及其制备方法,首先准备异质衬底;然后采用MPCVD工艺,在异质衬底上外延纳米金刚石沟道层,形成所述异质外延N型纳米金刚石,此时异质衬底作为势垒层;在纳米金刚石沟道层上继...
刘胜孙祥沈威吴改张栋梁汪启军东芳梁康
基于P型二维材料和异质N型金刚石的PN结及其制备方法
本发明公开了一种基于P型二维材料和异质N型金刚石的PN结及其制备方法,首先准备异质衬底;然后采用MPCVD工艺,在异质衬底上外延多晶纳米金刚石,得到异质外延的N型纳米金刚石层;之后在N型纳米金刚石层上制备P型二维材料层,...
刘胜吴改沈威李瑞张栋梁汪启军孙祥
一种单晶金刚石压敏芯片及其制备方法和高温压力传感器
本发明涉及压力传感器的技术领域,尤其涉及一种单晶金刚石压敏芯片及其制备方法和高温压力传感器,压敏芯片包括衬底、压敏电阻、压敏薄膜、第一保护镀层和欧姆接触电极,衬底为单晶金刚石,衬底一侧开设有背腔,背腔的面积小于衬底的面积...
东芳蒋顺勇刘胜汪启军吴改沈威张栋梁
N沟道金刚石MISFET器件及其制备方法
本发明公开了一种N沟道金刚石MISFET器件及其制备方法,首先准备P型掺杂金刚石层;然后在P型掺杂金刚石层上露出源极和漏极的相应位置,采用刻蚀工艺在源极和漏极的相应位置处分别刻蚀凹槽;之后利用MPCVD工艺,采用硼‑氧共...
刘胜吴改沈威孙祥汪启军张栋梁李瑞梁康东芳
地面激光雷达用于历史建筑测绘的一种滤波和抽稀方法
本研究针对扫描数据中存在的大量噪声点和冗余信息,提出一种去噪和抽稀的方法.首先对建筑物及其周围环境中的典型地物(如墙体、地面和树叶)扫描点进行主成分分析(principal component analysis,PCA)...
梁玉斌詹庆明肖映辉陈明文张栋梁
关键词:历史建筑测绘方法主成分分析
文献传递
异质结构的N型纳米金刚石薄膜及其制备方法
本发明公开了一种异质结构的N型纳米金刚石薄膜及其制备方法,薄膜包括异质衬底和外延在异质衬底上的纳米金刚石层,纳米金刚石层包括多晶金刚石和分散多晶金刚石之间间隙处的碳材料。制备时,首先准备异质衬底,其晶格常数与多晶金刚石的...
刘胜沈威吴改孙祥张栋梁汪启军
N型沟道金刚石MESFET器件及其制备方法
本发明公开了一种N型沟道金刚石MESFET器件及其制备方法,首先准备P型掺杂金刚石层;然后在P型掺杂金刚石层上露出源极和漏极的相应位置,采用刻蚀工艺在源极和漏极的相应位置处分别刻蚀凹槽,得到含有源极凹槽、漏极凹槽的P型掺...
刘胜孙祥吴改沈威李瑞汪启军张栋梁梁康东芳
共2页<12>
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