您的位置： 专家智库 > >

康一秀

作品数：4 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：化学工程电子电信核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇离子轰击
  • 2篇轰击
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇云母
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子分布
  • 1篇石墨
  • 1篇微镜观察
  • 1篇显微镜
  • 1篇显微镜观察
  • 1篇固态
  • 1篇改性
  • 1篇靶材料
  • 1篇STM
  • 1篇硼
  • 1篇AU
  • 1篇MEV
  • 1篇材料改性

机构

  • 3篇北京大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 4篇王宇钢
  • 4篇康一秀
  • 4篇赵渭江
  • 3篇翟鹏济
  • 3篇唐孝威
  • 2篇颜莎
  • 1篇张利春
  • 1篇薛建明
  • 1篇严隽珏
  • 1篇冯松林
  • 1篇杨威生
  • 1篇张颖

传媒

  • 2篇核技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
荷电离子轰击靶材料损伤潜径迹的原子水平观测研究
1996年
叙述了用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）观测研究荷电离子轰击靶材料损伤潜径达的状况和进展．观测研究了Ａｕ离子和Ｈ＋轰击高定向石墨（ＨＯＰＧ）的ＳＴＭ．给出了损伤形貌、损伤范围、表面损伤数密度和离子注入剂量的关系，并对损伤过程进行了分析和讨论．
翟鹏济邢宇翔张颖冯松林康一秀唐孝威王宇钢赵渭江颜莎
关键词：云母
荷能离子轰击固态材料形成孤立损伤的STM/SFM观测
1999年
在广阔的能区内（从MeV到GeV）系统地研究了荷能离子轰击固态材料形成孤立损伤的形态及其形成机理。分别利用具有原子分辨能力的扫描隧道显微镜／扫描力显微镜观测了离子轰击导电和绝缘材料产生孤立损伤（或离子潜径迹）的形态、大小。通过运用核能损和电子能损的理论对实验结果的分析，研究了离子轰击固态材料形成各种损伤的过程与机理。
王宇钢赵渭江康一秀翟鹏济颜莎薛建明唐孝威AckermannJMuellerANeumannR
关键词：离子轰击
扫描隧道显微镜观察石墨被Au离子轰击后的表面损伤(Ⅱ)被引量：4
1997年
用扫描隧道显微镜研究了５３０ｋｅＶ—４５ＭｅＶＡｕ离子轰击高定向石墨所产生的表面孤立损伤，并对表面小丘状损伤的线度进行了测量和统计．利用非线性损伤的热峰模型对重离子轰击石墨表面损伤的线度进行了计算，得到了与实验数据较为符合的理论结果．并对重离子轰击石墨表面损伤的产生机理作了探讨．
王宇钢康一秀赵渭江颜莎严隽珏杨威生翟鹏济唐孝威
关键词：STM离子轰击材料改性石墨
多能MeV硼离子注入单晶硅形成特殊形状载流子分布被引量：2
1995年
以在Ｎ型单晶硅表面１．３μｍ内实现理想平台状Ｐ型载流于分布为例，我们实验研究了多能离子注入形成特殊形状载流子分布的Ｐｅａｒｓｏｎ函数拟合叠加的计算机设计方法．首先，用扩展电阻法（ＳＲＰ）测量高温快速热退火（ＲＴＡ）后的载流子分布，对０．５—２．４ＭｅＶ能量范围内单能硼离子注入单晶硅的研究表明，Ｐｅａｒｓｏｎ函数分布比半高斯函数分布更好地符合实验所测的载流子分布．给出了投影射程凡、射程歧离σ、偏斜度γ和峭度β对能量的依赖关系．还由双能离于注入研究了注入顺序对分布的峰位和峰高的影响及两个单能分布线性叠加的条件．文中给出的接器件要求设计平台分布的离子束参数，与实验结果符合很好．
康一秀赵渭江王宇钢张利春虞福春
关键词：硼单晶硅载流子分布
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0