宿世臣
- 作品数：64 被引量：48H指数：5
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- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 量子点On‑chip白光LED的二次气密性封装方法
- 本发明公开了量子点On‑chip白光LED的二次气密性封装方法。该方法将蓝光芯片固定在LED支架的底部后，通过包括等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积的低温沉积技术在LED支架的底部以及内侧壁沉积隔水隔氧的透明薄膜层，再...
- 章勇蓝栩砚杨欣凌志聪宿世臣
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- 一种InAsSb/AlAsSb材料红外探测器件的腐蚀液及器件制作方法
- 本发明公开了一种InAsSb/AlAsSb材料红外探测器件的腐蚀液及器件制作方法；本发明的腐蚀液在20℃湿法腐蚀掉Si-InAs、Si-InAsSb、AlAs-AlSb合金的平均速度为27nm/s，腐蚀速度适当、腐蚀能力...
- 何苗杨旗郑树文宿世臣
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- 一种量子点LED封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种量子点LED封装结构及封装方法，所述封装结构包括：蓝光LED芯片；用于固定所述蓝光LED芯片的条形基板；连接所述蓝光LED芯片和条形基板的电极；固化在所述蓝光LED芯片上表面的AB胶隔热层；固化在所述AB...
- 宿世臣王果杨欣章勇魏志鹏王晓华唐吉龙
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- 一种碳/二氧化钛/贵金属复合材料、光催化剂及其制备方法
- 本发明涉及一种碳/二氧化钛/贵金属复合材料、光催化剂及其制备方法，该复合材料具有包覆有二氧化钛壳体的贵金属纳米颗粒的核壳结构，该结构有效地避免了纳米贵金属颗粒的脱落，提高了材料的稳定性，且在该核壳结构的基础上，设置碳量子...
- 宿世臣王雪琴姚德山
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- 制备ZnMgO合金薄膜的方法
- 本发明涉及一种制备ZnMgO合金薄膜的方法，以金属Zn作为Zn源，以金属Mg作为Mg源，在通入氧气的等离子体辅助分子束外延设备中通过加热Zn源、Mg源，在蓝宝石衬底上沉积生长获得ZnMgO合金薄膜，固定Zn源和Mg源的温...
- 吕有明宿世臣张振中李炳辉申德振
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- 一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法
- 本发明公开了一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法，包括以下步骤：将硅片超声清洗，然后用氮气枪吹干；烘烤去水分；利用光刻胶处理；烘烤去除多余的有机溶剂；曝光；显影；用去离子水冲洗，氮气枪吹干。本发明方法采用薄胶方法，...
- 何苗杨帆郑树文宿世臣
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- 发光二极管(LED)外延片材料和生长方法
- 范广涵李述体章勇郑树文张涛尹以安何苗宿世臣刘纪美易柱臻
- 技术创新要点和突破点：1.以超晶格作为p型电极接触层的GaN基LED外延结构研制方面达到国际先进水平。2.研制出以GaP做p型层的GaN基LED。3.普通结构尺寸芯片(300微米×300微米，常规芯片结构)：光功率达到1...
- 关键词：
- 关键词：发光二极管
- 第一性原理研究Te-N共掺p型ZnO被引量：1
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Te-N共掺杂ZnO体系的晶格结构、杂质态密度和电子结构进行了理论分析.研究表明,N掺杂引起晶格收缩,而Te的掺入引起晶格膨胀,从而减小晶格应力促进N的掺杂,并且Te由于电负性小于O而带正电,Te在ZnO中作为等电子施主而存在.研究发现,N掺杂体系中在费米能级附件形成窄的深受主能级,而Te-N共掺体系中,N杂质带变宽,空穴更加离域,同时,空穴有效质量变小,受主能级变浅,更有利于实现p型特性.因此,Te-N共掺有望成为一种更为有效的p型掺杂手段.
- 姚光锐范广涵郑树文马佳洪陈峻章勇李述体宿世臣张涛
- 关键词：P型掺杂第一性原理
- 一种激光淬火工艺参数测试方法
- 本发明涉及激光淬火技术领域，特别是涉及一种激光淬火工艺参数测试方法，在根据设定的激光淬火参数分别对各个待处理试样进行激光淬火后，先测试各个处理后试样的洛氏硬度；通过洛氏硬度测试实现对激光淬火结果的初步筛选，之后根据洛氏硬...
- 宿世臣王重阳魏志鹏
- 一种基于激光喷丸的材料形变检测系统
- 本实用新型涉及一种基于激光喷丸的材料形变检测系统，该系统包含样品架，待测样品放置于样品架上，还包括：冲击激光光路、形变探测光路以及光通量探测器；冲击激光光路包括第一激光发射部，第一激光发射部发射冲击激光信号，冲击激光信号...
- 宿世臣向一凡梅若兰
