商世广
- 作品数：46 被引量：39H指数：4
- 供职机构：西安邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- “一带一路”下中国西部半导体产业发展的问题及对策被引量：1
- 2017年
- 如今,人类已进入到物联网时代,在智能硬件需求的牵引下,半导体产业成为带动国民经济发展的命脉产业之一,其发展受到国家及社会的广泛关注。2013年国家主席习近平提出"一带一路"的战略构想,为我国西部地区打开了一扇机遇之门,为西部半导体产业带来了千载难逢的发展契机。通过"一带一路"的战略背景的分析,提出了我国西部半导体产业的现状及存在的问题,结合实际,有针对性地提出几点建议,以期为促进西部半导体产业的良性发展提供思路。
- 宋含玥曹翠珍商世广
- 关键词：一带一路半导体
- ZnO纳米线阵列的可控生长及机理分析被引量：3
- 2015年
- 为了研究一维氧化锌(ZnO)纳米线阵列的可控生长及生长机理,以二水合醋酸锌和六次甲基四胺为原料、生长氧化锌籽晶层的导电玻璃(ITO)为衬底,采用低温水热法实现大面积ZnO纳米线阵列的取向生长。通过扫面电镜(SEM)对获得的ZnO籽晶层和纳米线阵列进行表征,测试结果表明籽晶层的热处理温度、生长液的浓度对纳米线阵列的尺度分布有着明显的影响,但后处理温度对ZnO纳米线阵列的尺度分布几乎没有影响。
- 商世广王箫扬赵萍邢立冬
- 关键词：氧化锌纳米线阵列
- 基于“一带一路”西安半导体产业发展模式的探讨被引量：1
- 2017年
- 半导体产业是电子工业的基础性产业,成为21世纪高附加值、高科技的代名词,是衡量一个国家的国力、国防、国民经济现代化和人民生活水平的重要标志。作者在阐述发达国家及地区半导体产业发展模式的基础上,结合我国半导体产业的发展现状,分析"一带一路"建设给西安半导体产业带来的机遇和挑战,针对西安半导体产业的结构特点,提出相应的发展对策,为西安半导体相关产业的发展提供借鉴。
- 商世广曹翠珍宋含玥
- 关键词：一带一路半导体产业
- 碳纳米管气敏传感器的制备与性能研究被引量：1
- 2011年
- 本文采用传统的光刻工艺、丝网印刷技术和烧结工艺在ITO透明导电薄膜上制备出电容式的碳纳米管(CNT)膜气敏传感器,探讨扫描电压、工作频率和各种工艺参数对其性能的影响。光学显微镜测试表明,丝网印刷的CNT膜表面平整、分布均匀。扫描电镜表征显示,在大气中300℃烧结能促使有机粘合剂充分地分解和蒸发,在CNT膜中留下能有效提高气体吸附面积的丰富间隙。半导体特性分析仪分析表明,CNT膜气敏传感器经300℃烧结后在室温条件下,电容和电导对乙醇的灵敏度分别为198%和197%。
- 商世广赵玲李昕刘君华赵萍邢立冬
- 关键词：碳纳米管气敏传感器灵敏度
- 电介质TiO2粉体增强印刷碳纳米管薄膜的场发射性能
- 2010年
- 提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管（CNTs）薄膜场发射特性的浆料制备方法。该方法以乙基纤维素为制浆剂,松油醇为溶剂,通过超声波把CNTs和TiO2粉体均匀地分散成CNTs/TiO2复合浆料,扫描电镜表明,丝网印刷的CNTs/TiO2薄膜在高温下烧结后形成连续的膜体,CNTs被球状的TiO2颗粒均匀隔离;场发射特性测试表明,与单纯的CNTs薄膜相比,CNTs/TiO2薄膜的开启电场降低了0.2V/μm,在电场强度为4.0V/μm时电流密度增加了26.5μA/cm2,结果说明,该方法对于提高CNTs的场发射特性有明显的作用,在CNTs发射显示器的制作中有很好的实际应用价值。
- 商世广刘卫华
- 关键词：碳纳米管场发射丝网印刷
- 一种基于激光烧蚀平面叉指电极气体传感器的制备方法
- 本发明公开了一种基于激光烧蚀平面叉指电极气体传感器的制备方法，该气体传感器主要包括加热装置、叉指电极和气敏薄膜三部分。在叉指电极基片上磁控溅射金属薄膜，利用激光光束将金属薄膜烧蚀分割为两部分，即可形成叉指电极；叉指电极的...
- 商世广赵玲张文倩董军
- 文献传递
- 一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法
- 本发明提供一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法，首先利用磁控溅射在叉指电极上沉积氧化镓薄膜，通过控制溅射功率、气体压强和气体配比等参数或引入半导体杂质，调控氧化镓薄膜的氧空位和杂质缺陷浓度，实现不同波段紫外光响...
- 商世广王睿陈海峰赵玲董军
- 文献传递
- 一种基于电化学沉积制备氧化锌纳米墙的方法
- 本发明公开一种基于电化学沉积制备氧化锌纳米墙的方法，即采用传统的电化学沉积方法在导电衬底上生长出二维纳米结构的氧化锌纳米墙。该电化学沉积利用一种简单的电化学沉积装置，主要包括直流稳压电源、阳极、电解槽、绝缘挡板和加热装置...
- 商世广高浪赵玲任卫贾一凡
- 文献传递
- ZnO纳米锥光致发光性及印刷ZnO纳米锥场发射性能研究被引量：1
- 2007年
- 利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试。针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺。用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm(电流密度为1μA/cm2),在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀。说明该方法成本低,工艺简单,无需任何后处理,在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值。
- 于灵敏朱长纯商世广潘金艳
- 关键词：光致发光场发射印刷
- 双层掺混结构碳纳米管薄膜场发射阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种双层掺混结构碳纳米管薄膜场发射阴极及其制备方法。采用Ti纳米粉体掺混制备CNT复合浆料，通过丝网技术印刷出单层Ti掺混结构的CNT阴极薄膜。通过两步烧结工艺，形成上层为TiO<Sub>2</Sub>掺混、...
- 朱长纯商世广
- 文献传递
