周生强
- 作品数：14 被引量：17H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院核物理与核技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术核科学技术更多>>
- 离子束技术与纳米磁性交换偏置系统
- 近些年来,用离子束技术构建、调控和表征纳米磁性交换偏置系统的研究取得了突破性的进展。交换偏置（Exchange Bias）系统经过场冷后,在外加磁场反转时,由于铁磁层（FM）与反铁磁（AFM）层的相互作用,铁磁层的反转需...
- 姚淑德法涛向清沛华伟成枫峰周生强
- 关键词：交换偏置纳米磁性铁磁性
- 文献传递
- GaN基材料的分析与改性
- GaN基的新型光电材料是短波长发光器件的最佳选择,已经在高亮度发光二极管（LED）、蓝光和紫外注入式激光二极管（LD）等领域广泛应用,但是对于GaN基材料的物理性质却研究得很不充分.该论文研究了GaN基材料的离子注入改性...
- 周生强
- 关键词：GAN离子注入X射线衍射
- 离子注入聚碳酸酯表面力学性能改变研究被引量：3
- 2004年
- 将B+和O+离子分别注入到高分子化合物聚碳酸酯(PC)中,PC的表面显微硬度和耐磨性能均得到了较大提高。用纳米硬度计测量注入前后PC的显微硬度,硬度提高了7～25倍。用球盘式磨损实验机测量注入前后PC的耐磨性能,磨痕的宽度比未注入的窄,最窄的磨痕(或最窄处)为未注入磨痕宽度的1/3～1/2。傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试表明,注入前后高分子的结构发生了变化。
- 孙昌姚淑德周生强孙长春
- 关键词：表面显微硬度傅里叶变换红外光谱聚碳酸酯耐磨性能力学性能
- GaN的离子辐照效应
- 本文首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He2+,N+离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发...
- 周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌
- 关键词：GAN电阻率离子注入辐照损伤
- 文献传递
- 掺铒GaN薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究被引量：7
- 2003年
- 采用背散射 (RBS) 沟道 (channeling)分析和傅里叶变换红外光谱 (FT IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光 (PL)特性 .背散射 沟道分析结果表明 :随退火温度的升高 ,薄膜中辐照损伤减少 ;但当退火温度达到1 0 0 0℃ ,薄膜中的缺陷又明显增加 .Er浓度随注入深度呈现高斯分布 .通过沿GaN的 <0 0 0 1 >轴方向的沟道分析 ,对于 90 0℃ ,30min退火的GaN :Er样品 ,Er在晶格中的替位率约 76 % .光谱研究表明 :随退火温度的升高 ,室温下样品的红外PL峰强度增加 ;但是当退火温度达到 1 0 0 0℃ ,样品的PL峰强度明显下降 ;测量温度从 1 5K变化到 30 0K时 ,样品 (90 0℃ ,30min退火的GaN :Er)的 1 540nm处PL温度猝灭为 30 % .
- 宋淑芳周生强陈维德朱建军陈长勇许振嘉
- 关键词：GAN光致发光晶体结构
- He^+、N^+注入GaN的背散射和电学特性研究
- 2003年
- 采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质和结晶品质。研究了He+、N+注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系。在不同温度下,氮气保护退火30min,用Hall法测量电阻率。测量结果表明:GaN的电阻率增大7～8个数量级。在200～400℃下退火,电阻率变化最大。经高温(600～700℃)退火后,电阻率仍比注入前大3～4个数量级。
- 周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌
- 关键词：GAN背散射电学特性辐照损伤氦离子
- 高能电子和正电子在晶体沟道中的辐射被引量：1
- 2000年
- 介绍了高能电子和正电子在晶体中的沟道辐射 ,对超相对论电子和正电子在周期弯曲晶体中的相干辐射进行了分析 ,并提出了初步的实验设想 .
- 张勇姚淑德周生强刘广智
- 关键词：高能电子正电子
- 不同离子束注入GaN改变光学、电学和磁学特性的研究
- ＜正＞GaN和由其衍生出的多种Ⅲ族氮化物都是直接跃迁型的宽带隙材料,禁带宽度可在1.9-6.2eV之间连续调节,能量范围覆盖了从可见光到紫外的波段,且发光效率高,是当前国内外半导体材料研究的重点。GaN基材料有非常广泛的...
- 姚淑德侯利娜周生强
- 文献传递
- GaN的离子辐照效应
- 首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He+,N离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发现GaN...
- 周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌
- 关键词：GAN电阻率离子注入辐照损伤
- 文献传递
- 核分析技术在新型光电材料Ⅲ族氮化物研究中的新应用
- 氮化镓(GaN)及其三元化合物半导体(AlGaN、InGaN等)是近些年迅速发展的新型光电材料,正广泛应用在全波段发光器件、短波长激光器及紫外探测器等领域,但是迄今人们对其结构特征及对物理性质的影响研究的很不充分:在三元...
- 姚淑德侯利娜周生强马宏骥吴名枋
- 文献传递
