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周淼

作品数：10 被引量：11H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 7篇SOI
  • 4篇总剂量
  • 3篇总剂量辐射
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇淀积
  • 2篇击穿电压
  • 2篇工艺方法
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇薄层
  • 2篇比导通电阻
  • 2篇SOI_LD...
  • 1篇载流子
  • 1篇特性设计
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子效应
  • 1篇陷阱电荷
  • 1篇耐压

机构

  • 10篇中国电子科技...
  • 4篇电子科技大学
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇株洲中车时代...

作者

  • 10篇周淼
  • 6篇洪根深
  • 4篇肖志强
  • 4篇高向东
  • 2篇徐静
  • 2篇徐大为
  • 2篇郑若成
  • 2篇陈正才
  • 2篇郑良晨
  • 2篇周锌
  • 1篇乔明
  • 1篇刘国柱
  • 1篇温恒娟
  • 1篇陈伟中
  • 1篇何逸涛
  • 1篇王猛
  • 1篇王栩
  • 1篇陈玉蓉
  • 1篇苏郁秋
  • 1篇汤亮

传媒

  • 4篇电子与封装
  • 2篇微电子学
  • 1篇电子元器件应...
  • 1篇信息与电子工...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 5篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SOI LDMOS器件制备的工艺方法
本发明涉及一种SOI LDMOS器件的制备工艺方法，包括如下步骤：(1)在所述顶层硅膜内进行P型阱注入；(2)在顶层硅膜上采用氧化回流工艺；(3)采用光刻工艺；(4)采用光刻和腐蚀工艺；(5)采用氧化回流工艺；(6)采用...
郑良晨郑若成洪根深周淼
文献传递
用于200V电平位移电路的薄层SOI高压LDMOS
2013年
文章基于1.5μm厚顶层硅SOI材料,设计了用于200 V电平位移电路的高压LDMOS,包括薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS。薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS都采用多阶场板以提高器件耐压,厚栅氧pLDMOS采用场注技术形成源端补充注入,避免了器件发生背栅穿通。文中分析了漂移区长度、注入剂量和场板对器件耐压的影响。实验表明,薄栅氧nLDMOS和厚栅氧pLDMOS耐压分别达到344 V和340 V。采用文中设计的高压器件,成功研制出200 V高压电平位移电路。
陈正才周淼洪根深高向东苏郁秋何逸涛乔明肖志强
关键词：LDMOS
SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应
2012年
采用0.6μm SOI SONOS工艺技术平台研制了0.6μm SOI SONOS EEPROM管,分析其擦写特性。辐射前,SONOS EEPROM管的阈值窗口电压为5.04 V。利用Co-60γ源研究存储管的电离总剂量辐射特性,给出了SONOS EEPROM管擦除态、编程态的Id-Vg曲线及阈值窗口随辐射总剂量的变化关系,在辐射总剂量达到500 Krad(Si)时,EEPROM管仍有0.7 V的阈值窗口,可以实现存储电路的设计,并对总剂量辐射引起存储管阈值漂移的机理进行了探讨。
陈正才徐大为肖志强高向东洪根深徐静周淼
关键词：SONOSEEPROM器件绝缘体上硅
抗辐射数字电路加固技术研究被引量：5
2012年
文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法:通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能力。为了验证加固方法的可靠性,设计了一款电路进行抗总剂量、抗瞬态剂量率、抗中子辐射、抗单粒子辐射等多种试验。通过辐照试验结果可以看到,采用抗辐照方法设计的电路具有较强的抗辐照能力,为今后抗辐照电路的研制和开发奠定了坚实的基础。
徐大为徐静肖志强高向东洪根深陈玉蓉周淼
关键词：抗辐射SOI总剂量
SOI抗总剂量辐射加固工艺栅氧可靠性研究被引量：3
2012年
文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。
高向东吴建伟刘国柱周淼
关键词：SOIQBDTBDTDDB
0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究被引量：2
2012年
对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/Vt)和跨导的退化(Δgm/gm)分别为0.23%和2.98%。以器件最大跨导gm退化10%时所对应的时间作为器件寿命,依据幸运电子模型,0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寿命可达16.82年。
洪根深肖志强王栩周淼
关键词：SOINMOSFET热载流子效应可靠性
SOI LDMOS器件制备的工艺方法
本发明涉及一种SOI LDMOS器件的制备工艺方法，包括如下步骤：(1)在所述顶层硅膜内进行P型阱注入；(2)在顶层硅膜上采用氧化回流工艺；(3)采用光刻工艺；(4)采用光刻和腐蚀工艺；(5)采用氧化回流工艺；(6)采用...
郑良晨郑若成洪根深周淼
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究被引量：1
2022年
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(FOX)。Q_(FOX)增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化。Q_(BOX)降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化。
黄柯月吴中华周淼陈伟中王钊周锌
关键词：总剂量辐射击穿电压
一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究
2022年
基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOI LIGBT)。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻。测试结果表明,该器件的耐压达到816 V,比导通电阻仅为12.5Ω·mm^(2)。
周淼汤亮何逸涛陈辰周锌
关键词：击穿电压比导通电阻
一种SOInLDMOS的开态特性设计
2012年
介绍了一种用于高压电平位移电路的SOInLDMOS器件结构,对其漂移区、sink区、buffer区及场板等结构参数进行器件工艺联合仿真,并分析相关结构参数对开态特性的影响,用于指导高压MOS器件尤其是基于SOI的横向MOS器件的开态特性设计。采用优化的参数,器件关态击穿电压为296V,开态击穿电压为265V,比导通电阻为60.9mΩ.cm2。
温恒娟王猛周淼
关键词：高压器件比导通电阻
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