周星
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：安徽大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于第一性原理计算的Ti掺杂ZrO_2的阻变存储机理
- 2013年
- 基于第一性原理对双Ti掺杂下相邻位置氧空位形成能以及整体缺陷结合能进行计算,阐述不同相对位置双Ti掺杂对氧空位形成以及整体缺陷稳定性的影响。另外通过配置双Ti之间氧空位数量及其价态来研究电子局域函数及Ti离子的部分态密度(PDOS),模拟计算结果说明了既存氧空位及其所带电荷对Ti离子的影响,并且揭示了掺杂的Ti离子对于氧空位电子局域的重要作用。提出了氧空位辅助Ti离子形成局部导电细丝的阻变机制模型,从而解释了实验中得出的Ti掺杂对于ZrO2的形成电压,均匀性等相关阻变性能改进的原因。
- 王建军周星高珊陈军宁
- 关键词：形成能结合能局域态密度
- 基于第一性原理计算的ZrO_2材料的掺杂阻变特性被引量：2
- 2013年
- 阻变式随机存储器(RRAM)是目前新型存储器领域的研究热点。基于ZrO2材料,选取Al和Ag作为杂质元素。采用第一性原理方法计算了掺杂条件下ZrO2中氧空位的形成能、氧空位之间的作用能等重要参量。Al(富余)掺杂下,氧空位之间的相互作用能成负值,相互吸引抱团形成导电细丝,阻变特性明显改善,氧空位主导细丝形成。这与相关的实验结果是一致的。Ag掺杂下,Ag的金属性强,氧空位之间相互作用能全为正值,相互排斥。通过模拟观察,Ag主导了细丝形成,并改善了ZrO2材料的阻变特性。
- 周星王建军高珊陈军宁
- 关键词：掺杂相互作用能氧空位
