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周延彪

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院理化技术研究所更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇电解时间
  • 2篇阵列
  • 2篇水性
  • 2篇线阵
  • 2篇线阵列
  • 2篇离子溅射
  • 2篇纳米硅
  • 2篇溅射
  • 2篇硅片
  • 2篇超疏水
  • 2篇超疏水性

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇周延彪
  • 2篇汪鹏飞
  • 2篇张文军
  • 2篇刘卫敏

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其制备方法
本发明公开了一种表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其硅线制备方法。该单晶硅片由作为基底的单晶硅片和位于所述单晶硅片表面的纳米硅线阵列组成。本发明以导电单晶硅片为前体，以磁控离子溅射仪溅射在硅片表面的金纳米颗粒为催化...
汪鹏飞周延彪刘卫敏张文军
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表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其制备方法
本发明公开了一种表面具有超疏水性纳米硅线阵列的单晶硅片及其硅线制备方法。该单晶硅片由作为基底的单晶硅片和位于所述单晶硅片表面的纳米硅线阵列组成。本发明以导电单晶硅片为前体，以磁控离子溅射仪溅射在硅片表面的金纳米颗粒为催化...
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