周娟
- 作品数：14 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程核科学技术更多>>
- Nd^(3+)∶Sr_3Ga_2Ge_4O_(14)晶体的生长及吸收光谱被引量：2
- 2004年
- 采用坩埚下降法生长了Nd3 + 掺杂浓度分别为 15 %、8%和 2 .5 %原子分数的Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体 ,所得晶体最大尺寸为2 6mm× 15mm。Nd3 + 掺杂Sr3 Ga2 Ge4O14 晶体的特征吸收峰波长为 80 6nm ,与Nd3 + 离子在YAG中的特征吸收峰相比 ,向短波方向发生了微小的偏离。这是Sr3 Ga2 Ge4O14 晶格中Ga3 + 和Ge4+ 的统计分布所致。Nd3 + ∶SGG晶体的这些特性将有助于泵浦效率的提高和泵浦阈值的降低 ,因此Nd3 + ∶SGG晶体有望成为一种新型的LD泵浦固体激光材料。
- 丁嘉瑄武安华周娟徐家跃范世
- 关键词：晶体吸收光谱坩埚下降法激光材料
- 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
- 本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法，属于单晶生长领域。特征在于：初始原料按Sr<Sub>3</Sub>Ga<Sub>2</Sub>Ge<Sub>4</Sub>O<Sub>14</Sub>的分子式均匀混合，在1...
- 徐家跃周娟武安华华王祥林雅芳陆宝亮童健范世
- 文献传递
- 新型压电单晶Sr<,3>Ga<,2>Ge<,4>O<,14>的坩埚下降法生长与表征
- 硅酸镓镧(LGS)系列新型压电单晶是目前压电领域的研究热点,其中Sr<,3>Ga<,2>Ge<,4>O<,14>(SGG)单晶是压电性能最为优异的声表面波器件基片材料.目前,有关SGG晶体生长的报道极少,基本性能方面的数...
- 周娟
- 关键词：坩埚下降法声表面波器件
- 文献传递
- 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
- 本发明涉及一种锗酸镓锶晶体的坩埚下降法生长方法，属于单晶生长领域。特征在于：初始原料按Sr<Sub>3</Sub>Ga<Sub>2</Sub>Ge<Sub>4</Sub>O<Sub>14</Sub>的化学组成均匀混合，在...
- 徐家跃周娟武安华华王祥林雅芳陆宝亮童健范世
- 文献传递
- 硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术
- 本发明涉及一种硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术，属于单晶生长领域。其特征在于初始原料由La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>：29.5-30.5，Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>：5...
- 周娟徐家跃华王祥范世
- 文献传递
- Nd:Gd_xY_(1-x)Ca_4O(BO_3)_3晶体的生长及其光谱性能研究被引量：2
- 2001年
- 利用熔体提拉法生长了大尺寸，高质量的新型激光自信频晶体Ｎｄ：ＧｄｘＹ１－ｘＣａ４Ｏ（ＢＯ３）３简称Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ）．对Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体的ＸＲＤ衍射图进行指标化，得到它的晶胞参数为α＝８．０８０Ａ； ｂ＝１６．０１６Ａ； ｃ＝３．５３８Ａ； β＝１０１．１８°；μ＝４９１．１Ａ３．对取自不同部位的晶体粉末进行ＩＣＰ原子发射光谱分析表明晶体整体组份均匀一致，根据熔体和晶体粉末的ＩＣＰ数据计算，Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体中Ｎｄ３＋的分凝系数为０．６３．首次报道了 Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体２００～３０００ｎｍ室温透过光谱和室温荧光光谱及荧光寿命．室温透过光谱表明Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体的紫外吸收边在～２２０ｎｍ，具有很宽的透光波段（～２２０～２７００ｎｍ）； Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体在８００ｎｍ附近存在很强的吸收，适合于ＬＤ泵浦．荧光光谱表明Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体是一种很有潜力的ＲＧＢ（ｒｅｄ；ｇｒｅｅｎ， ｂｌｕｅ）激光自信频晶体．掺杂 ４％、 ５％ Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体的荧光寿命分别为 １０５μｓ和１００μｓ．
- 周娟罗军钟真武华王祥范世
- 关键词：提拉法生长光谱
- 一种阴极支撑型直接碳燃料电池
- 本发明公开了一种阴极支撑型直接碳燃料电池，包括燃料仓、阳极侧集电层、阳极层、电解质层、阴极活性层、阴极支撑层、阴极侧集电层、碳燃料层、多孔陶瓷层、碳燃料输入管、载气进气管、载气输出管、氧气或空气进气管，所述的电池置于燃料...
- 王绍荣周娟叶晓峰
- 文献传递
- 一种阴极支撑型直接碳燃料电池
- 本发明公开了一种阴极支撑型直接碳燃料电池，包括燃料仓、阳极侧集电层、阳极层、电解质层、阴极活性层、阴极支撑层、阴极侧集电层、碳燃料层、多孔陶瓷层、碳燃料输入管、载气进气管、载气输出管、氧气或空气进气管，所述的电池置于燃料...
- 王绍荣周娟叶晓峰
- 硅酸镓镧结构的新型压电晶体的研究进展被引量：9
- 2003年
- 新型压电晶体La3Ga5SiO1 4因其低声速、零温度切向和良好的高温稳定性受到关注 ,但是昂贵的Ga2 O3原料阻碍了它的工业应用。通过离子置换可获得具有langasite结构的多种新型压电晶体。综述介绍了置换La,Ga ,Si形成的新型压电晶体的最新研究进展 ,比较分析了不同晶体的优势及其存在的问题。在这些新晶体中 ,由于Sr3Ga2 Ge4 O1 4(SGG)具有熔点较低、性能较高的综合优势 ,它有可能成为新一代表面波器件的重要侯选材料。与提拉法相比 ,采用坩埚密封的下降法生长SGG单晶 ,可以显著提高晶体产率 。
- 武安华徐家跃周娟范世噁
- 关键词：晶体生长压电晶体
- 掺杂锗酸镓锶晶体的生长与光谱研究
- 锗酸镓锶晶体(SrGaGeO,SGG)是硅酸镓镧(LaGaSiO,LGS)系列新型压电晶体中综合性能最好的材料之一。采用坩埚下降法生长技术,我们已经获得了φ28mm×70mm优质SGG单晶,建立了可重复生长的工艺制度并申...
- 周娟丁嘉瑄徐家跃
- 文献传递
