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吴跃锋

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：华南理工大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

主题

  • 5篇LED芯片
  • 4篇全反射
  • 4篇发光
  • 4篇半导体
  • 3篇远光
  • 3篇远光灯
  • 3篇曲面
  • 3篇自由曲面
  • 3篇利用率
  • 3篇摩托
  • 3篇摩托车
  • 3篇光能
  • 3篇光能利用
  • 3篇光能利用率
  • 3篇光能量
  • 3篇光效
  • 3篇光效率
  • 3篇反射器
  • 3篇出光
  • 3篇出光效率

机构

  • 10篇华南理工大学

作者

  • 10篇吴跃锋
  • 10篇王洪
  • 7篇黄华茂
  • 3篇杨洁
  • 3篇陈赞吉
  • 3篇叶菲菲
  • 2篇钟炯生
  • 2篇黄晓升

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 7篇2013
  • 1篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于LED摩托车远光灯的自由曲面光学反射器
本发明公开了用于LED摩托车远光灯的自由曲面光学反射器，所述反射器的内表面是自由曲面，构成光学反射面，该反射器的底面是一开口，开口中心处用于安装LED光源，与底面正对的一端为反射器的光出射口，LED光源发射出的光少部分直...
王洪陈赞吉吴跃锋杨洁
文献传递
一种用于LED摩托车远光灯的自由曲面光学反射器
本实用新型公开了一种用于LED摩托车远光灯的自由曲面光学反射器，所述反射器的内表面是自由曲面，构成光学反射面，该反射器的底面是一开口，开口中心处用于安装LED光源，与底面正对的一端为反射器的光出射口，LED光源发射出的光...
王洪陈赞吉吴跃锋杨洁
文献传递
具有导光柱的高压LED芯片及其制备方法
本发明公开具有导光柱的高压LED芯片及其制备方法，特点是在高压芯片每颗晶粒单元的侧面形成具有倾斜角度的导光柱。导光柱的制备是直接在高压LED芯片制作过程中刻蚀而成，刻蚀面包含外延层侧面和衬底侧面。本发明的导光柱能够改变光...
王洪叶菲菲黄华茂吴跃锋
文献传递
一种N型透明电极结构的功率型LED芯片
本实用新型属于半导体光电子器件制造技术领域，具体涉及到一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其具体结构包括：衬底、缓冲层、缓冲层上的本征层、本征层上的N型层、N型层上的发光层、发光层上的P型层、P型层上的电流阻挡层、P...
王洪吴跃锋黄华茂黄晓升
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具有导光柱的高压LED芯片及其制备方法
本发明公开具有导光柱的高压LED芯片及其制备方法，特点是在高压芯片每颗晶粒单元的侧面形成具有倾斜角度的导光柱。导光柱的制备是直接在高压LED芯片制作过程中刻蚀而成，刻蚀面包含外延层侧面和衬底侧面。本发明的导光柱能够改变光...
王洪叶菲菲黄华茂吴跃锋
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一种具有微结构增透膜的高压LED芯片
本实用新型属于半导体发光器件制造领域，具体涉及一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其结构包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、P型层上的电极、N型层上的电极、连接桥、ITO层以及覆盖在ITO层上的带有圆柱状...
王洪钟炯生黄华茂吴跃锋
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具有导光柱的高压LED芯片
本实用新型公开具有导光柱的高压LED芯片，特点是在高压芯片每颗晶粒单元的侧面形成具有倾斜角度的导光柱，导光柱的横截面形状是波浪形、三角形或半圆形的周期性结构。本实用新型的导光柱能够改变光束由GaN基发光二极管材料传播至空...
王洪叶菲菲黄华茂吴跃锋
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一种N型透明电极结构的功率型LED芯片
本发明属于半导体光电子器件制造技术领域，具体涉及到一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其具体结构包括：衬底、缓冲层、缓冲层上的本征层、本征层上的N型层、N型层上的发光层、发光层上的P型层、P型层上的电流阻挡层、P型层...
王洪吴跃锋黄华茂黄晓升
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用于LED摩托车远光灯的自由曲面光学反射器
本发明公开了用于LED摩托车远光灯的自由曲面光学反射器，所述反射器的内表面是自由曲面，构成光学反射面，该反射器的底面是一开口，开口中心处用于安装LED光源，与底面正对的一端为反射器的光出射口，LED光源发射出的光少部分直...
王洪陈赞吉吴跃锋杨洁
一种具有微结构增透膜的高压LED芯片
本发明属于半导体发光器件制造领域，具体涉及一种具有微结构增透膜的高压LED芯片，其结构包括蓝宝石衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、P型层上的电极、N型层上的电极、连接桥、ITO层以及覆盖在ITO层上的带有圆柱状微结...
王洪钟炯生黄华茂吴跃锋
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