吴学科
- 作品数：27 被引量：78H指数：6
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- 相关领域：理学机械工程化学工程一般工业技术更多>>
- 外电场下C_(6)H_(7)N分子结构及光谱特性研究
- 2022年
- 文章采用密度泛函LSDA方法,在6-311++g(3df,3pd)基组水平上研究了外电场下C_(6)H_(7)N分子的几何结构、偶极矩、能级分布和红外光谱的变化规律,并利用TDDFT方法研究了C_(6)H_(7)N分子在外电场下的UV-Vis光谱变化规律。研究结果表明,C_(6)H_(7)N分子的几何结构受外电场影响较大,特别在外电场强度由-0.0075 a.u.变到-0.0062 a.u.时,碳-氮键长R(3C-12N)出现急剧增大情况,同时与碳-氮键长R(3C-12N)相关的键角A(2,3,12)、A(4,3,12)、A(3,12,13)、A(3,12,14)和A(13,12,14)也出现急剧变化。分子总能量随外电场的增加而减小,偶极矩随外电场的增加而增大。LUMO能级较HOMO能级受外电场影响大,当外电场强度为0.005 a.u.时,能隙最大,随着外电场向正负方向变化而逐渐减小。UV-Vis光谱随外电场增大而发生红移,红外光谱也受外电场影响,但随电场变化比较复杂。
- 吴学科
- 关键词：外电场激发态
- 外电场下BeF_(2)分子结构及光谱特性
- 2023年
- 采用基于密度泛函理论B3LYP方法,对不同外电场下BeF_(2)分子的基态稳定构型进行优化,并对外电场作用下BeF_(2)分子键长、总能量、电偶极矩、分子轨道能量和红外谐振频率等进行分析,然后再采用DT-DFT方法对BeF_(2)分子的紫外-可见光谱进行计算和分析.结果表明:外电场作用下,分子结构发生明显变化,随外电场增大,BeF_(2)分子键长R(1Be-2F)逐渐减小,键长R(1Be-3F)逐渐增大,分子总能量逐渐减少,偶极矩呈线性增大,LUMO轨道能量逐渐减小、HOMO轨道能量逐渐增大,能隙不断减少;BeF_(2)分子不同振动模式的振动频率和红外光谱强度受外电场的影响不一;另外,随着外电场的增大,紫外光谱吸收峰发生红移,摩尔吸收系数减小.
- 吴学科
- 关键词：外电场紫外-可见光谱
- 对悬臂梁的挠度近似计算中误差的探讨被引量：1
- 2008年
- 本文通过对悬臂梁的挠度EIω1/(1+ω1'2)=F(l-x)的数值计算,得到了比实际工程计算公式中忽略了ω'2项的挠度计算更加精确的结果,以及在实际应用中应确定在什么情况下才能使用忽略ω'2项的近似计算公式。
- 宋洪庆吴次南吴学科王新锋汪红
- 关键词：悬臂梁挠度
- 外电场对MMTD分子结构与电子光谱影响的研究被引量：2
- 2015年
- 采用密度泛函B3LYP方法,在6-311++g(d,p)基组水平上优化了不同外电场下2-巯基-5-甲基-1,3,4-噻二唑(MMTD)分子的基态稳定构型、电偶极矩、电荷分布和分子的总能量,在此基础上利用杂化CIS方法研究了外电场下MMTD分子的前9个激发态的激发能、波长和振子强度受外电场的影响规律。结果表明:1C-6S和1C-7S间键长受到Y轴向外电场影响最大,随着外电场的增加,可能最先趋于断裂;在外电场强度F=0.010a.u.时总能量达到最大,而偶极矩达到最小;最低空轨道能级LUMO受外场影响较大,而最高占据轨道能级HOMO受外电场影响较小;MMTD分子UV-Vis光谱随外场增加发生红移,且当外电场增大到F=0.020a.u.时,在可见光区域出现吸收峰;激发能、振子强度也受外电场影响,但随电场的变化比较复杂。
- 吴学科张颂梁冬梅
- 关键词：激发态外电场
- PF3分子在外电场作用下的结构与红外光谱研究被引量：1
- 2020年
- 采用HF、B3LYP和BVP86方法,对PF3分子的结构进行了优化,根据优化结果与实验结果的比较,最终选用了HF方法在6-311++g(3df,3pd)基组水平上沿X轴方向对不同外电场(-0.030~0.030 a.u.)中PF3分子进行计算,得到了它的键长、总能量、偶极矩、HOMO能级、LUMO能级、红外光谱等.结果显示,随着正向外电场的增大和反向电场的减小,分子键长逐渐增大,总能量先增大后减小,低频红外光谱吸收峰向高频方向移动,而高频红外光谱吸收峰向低频方向移动;同时,随着两个方向的外电场增大,电子跃迁能力增强.
- 吴位巍岳莉吴学科
- 关键词：外电场分子结构红外光谱
- 氧掺杂硅纳米线电子结构及光学性质的第一性原理研究
- 2020年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对氧掺杂或修饰的硅[100]方向纳米线表面的电子结构和光学性质进行了研究,结果表明:氧掺杂或修饰对硅纳米线的几何构型、能带结构和光学性质都有一定的影响.掺氧后,硅纳米线晶胞体积减小、在掺杂氧原子近邻的Si-Si键长受到影响最大;硅纳米线的能隙变窄,其中修饰形成Si=O双键的硅纳米线能带上可看到明显的杂质带,且氧原子对带边电子态有贡献,可提高半导体发光效率;掺杂或修饰形成Si-O-Si桥键的硅纳米线介电常数受影响较小,而形成Si=O双键的介电峰值发生蓝移.该研究结果为制备发光硅纳米材料及器件提供理论参考.
- 吴学科张颂黄意
- 关键词：第一性原理掺杂硅纳米线
- 对刚体静力学中的一个典型模型的研究被引量：1
- 2007年
- 通过几种佐证和一种模型的计算对刚体力学中一个典型的模型的受力情况进行了研究,并得出一些结果。
- 宋洪庆吴次南吴学科
- 关键词：受力分析力矩平衡杨氏模量
- 外场下SiSe分子结构及激发特性研究
- 2019年
- 采用局域自旋密度近似(LSDA)方法,在311++g(3df,3pd)基组水平上对不同外电场下SiSe分子的几何结构进行优化,并分析分子电偶极矩、总能量、HOMO能级、LUMO能级和能隙等随外场的变化情况,然后采用杂化CIS方法计算外电场下SiSe分子的激发特性及电子光谱,结果表明:在外电场作用下,分子键长、总能量、偶极矩和紫外-可见光谱等受到明显影响;外电场由-0.04a.u.到0.04a.u.变化过程,键长和偶极矩先减小后增大,而总能量则先增大后减小,当电场F=0.01a.u.时总能量达到最大值,偶极矩达到最小值;当外电场在-0.020~0.020a.u.范围变化时,能隙E G受影响较小,当外加电场由-0.020变化到-0.040a.u.和0.020变化到0.040a.u.时,能隙E G急剧下降;当外加电场较小时分子电子光谱对应紫外发光,当施加负向外电场F=-0.040a.u.时,在可见光区域476.6nm处出现较强吸收峰.
- 吴学科黄意唐延林
- 关键词：外电场激发态紫外-可见光谱
- 基于MATLAB的牛顿环的模拟研究被引量：4
- 2010年
- 根据光的干涉理论,利用MATLAB强大的科学计算功能,对牛顿环进行模拟,并通过动画形式展现了入射光波长、透镜半径及透镜与平面玻璃板间距离变化时牛顿环的移动方向,结果表明:该模拟简便、直观地展现了这一物理现象,为光学的理论分析与实验教学提供了方便.
- 吴学科龙金
- 关键词：MATLAB牛顿环
- 外电场下一氟代甲烷的激发与光谱性质研究被引量：3
- 2011年
- 采用密度泛函B3LYP方法在6-31G(d,p)基组水平上,优化了不同外电场下CH3F分子的基态稳定构型、电偶极矩和分子的总能量,并分析了CH3F分子从HOMO-2到LUMO+2轨道的能量变化,然后利用杂化CIS-DFT方法在同样的基组下计算了外电场下CH3F分子的前9个激发态的激发能、波长和振子强度,结果表明,在没有外电场的条件下,CH3F分子只有一个激发态不能够激发,从基态跃迁到第5激发态.在有外电场的作用下,总能量随外电场的增加先增加后减少,偶极矩随外电场的增加先减小后增大,其前线轨道的能量随外电场的增加变化不明显.另外,外电场对CH3F分子的激发波长也产生了一定影响.
- 荆涛梁冬梅岳莉吴学科潘金福
- 关键词：激发态外电场激发能
