吴伟
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西北工业大学计算机学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- TFT-LCD驱动控制芯片二级Buffer驱动电路结构
- 本文研究了单芯片TFT-LCD驱动控制电路中几种不同的驱动电路结构.根据便携设备TFT-LCD的特点,对驱动电路的驱动能力,功耗和面积进行了权衡,提出了在γ校正电路中加入两级驱动Buffer的驱动电路结构,以及提高其驱动...
- 高武魏廷存李丹吴伟
- 关键词：驱动电路Γ校正
- 文献传递
- 低功耗IR-UWB接收机和LNA设计研究被引量：1
- 2011年
- 在分析各种超宽带(UWB)接收机系统结构的基础上,提出了一种低功耗IR-UWB接收机结构。该结构基于非相干通信机制,使用自混频技术和脉冲宽度调制方式(PPM)。在该结构中,低噪声放大器(LNA)的低功耗优化是系统低功耗实现的关键。综合分析各种宽带LNA结构,提出了一种低功耗LNA设计。该LNA采用65 nmCMOS标准工艺实现,设计带宽为3.1～5 GHz,电源电压为1 V,功耗为1.5 mW。测试结果表明,该宽带LNA的输入阻抗匹配优于-10 dB,增益高达14.5 dB,而噪声系数为5.85 dB。
- 吴伟樊晓桠魏廷存郑然
- 关键词：超宽带接收机脉冲位置调制超低功耗自混频
- 高增益超宽带低噪声放大器设计研究被引量：2
- 2010年
- 设计了一种适用于3.1～5 GHz的超宽带（UWB）低噪声放大器（LNA）。该LNA具有平展高增益特性。设计采用两级结构,每一级采用不同的谐振负载,第一级谐振频率为3.1 GHz,第二级为5 GHz,进而产生平展高增益。设计中,采用前馈技术消除输入MOS管的沟道热噪声。电路采用65 nm CMOS工艺实现。测试结果表明,该LNA增益高达21.3 dB,功耗仅为8 mW。
- 吴伟樊晓桠魏廷存
- 关键词：超宽带低噪声放大器噪声消除
- 手机用TFT彩色液晶显示驱动控制电路芯片-龙腾T1
- 魏廷存高德远张盛兵高武丁行波李博樊晓桠张萌吴伟王党辉黄小平
- 该项目的任务来源包括，国家863计划项目（项目编号：2005AA1Z1193，已验收）、国家及陕西省外专局重点引智项目（项目编号：RJZ20056100067，20046100129，已结题）、陕西省科技计划项目（项目编...
- 关键词：
- 关键词：控制电路
- 高性能嵌入式龙腾系列芯片
- 高德远樊晓桠魏廷存张盛兵王党辉黄小平张萌郑然高翔韩兵陈超严卫生张小林高武于海安建峰王晶吴伟张骏王得利田杭沛史丽雯魏晓敏姚涛李峰陈付龙王佳林培恒韩立敏郑乔石
- 本项目自主完成了龙腾系列芯片的设计规格书制定、系统设计、RTL设计、功能验证、FPGA验证、物理设计，以及流片、测试和用户使用验证等全部研制过程。在芯片功能验证阶段，采用多种验证技术，包括直接测试、间接测试、随机测试、应...
- 关键词：
- 关键词：嵌入式微处理器
- 相位裕度与负载无关的缓冲电路设计
- 2007年
- 针对TFT-LCD驱动芯片的电荷泵,设计了一个带密勒补偿和一条前馈通路的缓冲电路。理论分析表明,该电路的增益、稳定性等小信号特性与负载电容无关;相位裕度与负载电流无关。Hspice仿真结果显示,当负载电容从0.05μF到20μF变化时,系统的相位裕度变化为2°;当负载电流从3 mA到25 mA变化时,系统的相位裕度变化在3°以内。
- 张天柱魏廷存吴伟
- 关键词：电荷泵缓冲电路密勒补偿相位裕度
