史晶晶
- 作品数：18 被引量：60H指数：5
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- 980nm OPS-VECSEL单个谐振周期内量子阱数目的理论分析
- 2009年
- 设计了一种新型的980 nm底发射光抽运垂直外腔面半导体激光器(OPS-VECSEL),对比分析计算了器件在单个谐振周期内不同量子阱数目下的性能。得到了在单阱条件下,阈值光功率密度为5 kW/cm2时,输出功率超过1.8 W,斜率效率超过40%的优异性能。
- 秦莉田振华程立文梁雪梅史晶晶张岩彭航宇宁永强王立军
- 关键词：光抽运应变量子阱垂直外腔面发射激光器
- 980nm高功率垂直腔面发射激光器的理论分析被引量：1
- 2010年
- 理论分析了980nm高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的器件特性与其分布布拉格反射镜(DBR)反射率的依赖关系,并计算了具有不同有源区直径的VCSEL的输出特性.分析了具有不同有源区直径的VCSEL在不同DBR反射率条件下的连续输出特性曲线,发现DBR反射率的改变会对有源区直径不同的VCSEL产生不同程度的影响.为了验证理论分析的结果,进行了器件测试实验.实验结果表明,有源区直径为500μm的VCSEL,当其N-DBR反射率分别为99.7%及99.2%时,在连续注入电流为6A时,其输出功率分别为2.01W和2.09W;而有源区直径为200μm的VCSEL,当N-DBR反射率为99.7%及99.2%时,连续注入电流为3A时,其输出功率分别为0.64W及1.12W.器件测试结果有效验证了理论分析的结论.
- 张星宁永强孙艳芳张云翼张岩刘光裕史晶晶王贞福秦莉刘云王立军
- 关键词：半导体激光器垂直腔面发射激光器
- 微透镜集成大功率垂直腔面发射激光器被引量：3
- 2009年
- 为了改善大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的模式特性,在GaAs衬底上采用限制扩散湿法刻蚀技术制作出了不同曲率半径的微透镜,与P型和N型分布式布拉格反射镜(DBR)构成复合腔结构,可以对腔内模式进行选择。有源区采用新型的发射波长为980 nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,包括9对In_(0.2)Ga_(0.8)As(6 nm)/Ca_(0.18)As_(0.82)P(8 nm)量子阱.有源区直径100μm,微透镜直径300μm,曲率半径959.81μm,表面粗糙度13 nm。室温下,器件连续输出功率大于180 mW,阈值电流200 mA,远场发散角半角宽度分别为7.8°和8.4°,并且与没有微透镜的垂直腔面发射激光器输出特性进行了比较。
- 王贞福宁永强张岩史晶晶李特崔锦江刘光裕张星秦莉孙艳芳刘云王立军
- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器微透镜横模远场发散角
- 垂直腔面发射激光器列阵的串接结构
- 本发明是一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的串接结构，涉及光电子及半导体技术领域。该结构包括热沉、热沉表面的金属膜、垂直腔面发射激光器列阵芯片、金属条、流入电极、流出电极及金丝引线、发光单元。该发明实现了VCSEL...
- 史晶晶王立军秦莉刘云宁永强
- 文献传递
- 垂直腔面发射激光器列阵的串接结构
- 本发明是一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的串接结构，涉及光电子及半导体技术领域。该结构包括热沉、热沉表面的金属膜、垂直腔面发射激光器列阵芯片、金属条、流入电极、流出电极及金丝引线、发光单元。该发明实现了VCSEL...
- 史晶晶王立军秦莉刘云宁永强
- 文献传递
- 808nm大功率半导体激光器阵列的优化设计被引量：1
- 2011年
- 采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明:引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。
- 杨晔刘云秦莉王烨梁雪梅李再金胡黎明史晶晶王超王立军
- 关键词：电流分布
- 高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器被引量：1
- 2010年
- 报道了优化p面电极的高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器(VCSEL).采用数学模型对VCSEL的电流密度进行了模拟计算,发现电流密度分布由氧化孔直径和p面电极直径决定.确定氧化孔直径后,优化p面电极直径可以实现电流密度的均匀分布,抑制远场光斑中高阶边模的产生.将p面电极直径优化为580μm,制作的600μm的VCSEL远场发散角从30°减小到15°,优化器件的阈值电流和最高输出功率都略有增加.通过改进器件封装方式后,器件输出功率达到2.01W,激射波长为982.6nm.
- 张岩宁永强王烨刘光裕张星王贞福史晶晶王伟张立森秦莉孙艳芳刘云王立军
- 关键词：垂直腔面发射激光器高功率远场分布
- 高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列被引量：5
- 2009年
- 报道了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,得到1 kW/cm^2的高功率密度和高斯远场分布,且在工作电流0～6 A 内远场发散角均小于20°。阵列由直径分别为200μm,150μm和100μm成中心对称分布的5个单元组成,单元圆心间距分别为250 μm和200 μm。在室温连续工作条件下,阵列在注人电流4 A时达最大输出功率880 mW,斜率效率为0.3 W/A,具有0.56 A的低阈值电流,微分电阻0.09 Ω。与具有相同出光面积的4×4二维阵列相比,这种新型阵列在出光功率、阈值电流、光谱特性及远场分布等方面均具有优越性。模拟了阵列各单元叠加后的近场远场光强分布,结果表明得到的新型阵列的远场分布与实验结果吻合较好。
- 崔锦江宁永强张岩孔鹏刘光裕张星王贞福史晶晶李特秦莉刘云王立军
- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器阵列远场分布
- 850nm大功率垂直腔面发射激光器被引量：11
- 2010年
- 针对传统顶发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)的散热、电极生长以及Au丝引线等难题,研究了一种非闭合型的大功率VCSEL结构,不仅解决了上述问题,还简化了工艺步骤,避免了一些工艺对已形成器件结构造成的损伤,提高了激光器的可靠性以及电流注入效率。利用该结构制作的激光器室温下连续输出最大功率达到46 mW,激射波长为849.5 nm,激射光谱半高宽(FWHM)为0.6 nm;在150 mA的注入电流下,发散角为10°。在室温5、0μs脉冲条件下,测得的最高输出光功率为69 mW。
- 史晶晶田振华秦莉张岩王贞福梁雪梅杨晔宁永强刘云王立军
- 关键词：激光器高功率
- 980nm大功率垂直腔面发射激光器温度和远场分布特性被引量：6
- 2008年
- 采用发射波长为980nm的InGaAs／GaAs应变量子阱，在垂直腔面发射结构中共设计生长3组、每组3个量子阱，形成9个量子阱的周期性增益结构，并使每组均位于腔场极大处，以获得最好的增益匹配。为提高激光器的输出功率及获得较好的光束质量，采用大台面直径和由衬底面出射激光的结构。每个单元器件的P面台面直径为400-600μm，经湿氮气氛下40min的侧氧化后在有源区形成直径300-500μm的电流限制孔。而N面出光孔的直径仍为相应的400-600μm。在室温连续工作下器件的最大输出功率达到1．4W。随着注入电流的增大，观察到激光远场分布从空心圆环向中心单亮斑转化的过程。对不同温度下的激光输出特性进行了变温测试，结果表明通过DBR和有源区结构设计上较好的匹配，实现了室温下最低的激射闽值电流。
- 宁永强李特秦莉崔锦江张岩刘光裕张星王贞福史晶晶梁雪梅刘云王立军
- 关键词：垂直腔面发射激光器远场分布
