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卢敬

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:天津大学化工学院杉山表面技术研究室更多>>
发文基金:天津市自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇CDSE
  • 2篇电沉积
  • 2篇电位
  • 2篇电位法
  • 2篇纳米
  • 1篇同轴纳米电缆
  • 1篇纳米电缆
  • 1篇纳米线
  • 1篇聚苯
  • 1篇聚苯胺
  • 1篇光催化
  • 1篇光催化性
  • 1篇光催化性能
  • 1篇光电
  • 1篇光电响应
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇苯胺
  • 1篇PANI

机构

  • 3篇天津大学

作者

  • 3篇卢敬
  • 2篇姚素薇
  • 2篇张卫国
  • 2篇王宏智
  • 1篇李剑

传媒

  • 1篇电镀与精饰
  • 1篇化学工业与工...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
控电位法制备CdSe纳米线阵列及其性能研究被引量:1
2014年
以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理。在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征。扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致。X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型。光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5 h后,CdSe纳米线的降解率达94.29%,强于CdSe薄膜(52.03%)。
王宏智卢敬姚素薇张卫国
关键词:AAO电沉积光电响应
控电位法制备CdSe/PANI复合薄膜及其光致发光性
2016年
采用控电位法,以PANI薄膜作为载体,成功制备出Cd Se/PANI复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。Cd Se/PANI复合薄膜中Cd Se微粒粒径约为150~200 nm,且随沉积时间的延长,粒径逐渐增大。复合薄膜中含有聚苯胺和Cd Se 2种成分的晶体,并且复合薄膜的晶型结构与沉积Cd Se薄膜的厚度无关。与PANI薄膜和Cd Se薄膜比较,Cd Se/PANI复合薄膜的荧光强度明显增强,PANI增强了Cd Se的光致发光性能,光致发光发射峰位置发生红移。
王宏智卢敬李剑姚素薇张卫国
关键词:聚苯胺CDSE电沉积光致发光
CdSe/TiO2同轴纳米电缆的制备与性能研究
本论文采用恒电位沉积法,以阳极氧化铝(AAO)为模板,制备了CdSe纳米线、CdSe纳米管、TiO2纳米管、CdSe/TiO2同轴纳米电缆及其阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、EDS能谱、X射线衍射、紫外-可见吸...
卢敬
关键词:光催化性能
共1页<1>
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