刘金娥
- 作品数：10 被引量：47H指数：4
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院长春光学精密机械与物理研究所创新工程资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 室外LED显示及其在交通领域的应用被引量：10
- 2005年
- 介绍了室外LED显示技术及其在道路交通信息显示领域中的应用,指出目前国内室外LED显示屏普遍存在的主要问题。结合应用于高速公路收费站的LED显示屏的设计,给出解决或者克服这些问题的方法。介绍了室外LED显示的现状,预测了其发展趋势。
- 赵才荣刘金娥丁铁夫
- 关键词：LED显示
- 驱动OLED的2管a-Si:H TFT 技术研究
- 刘金娥
- 关键词：AMOLED阈值电压漂移
- 一种改进的C-V方法对向列相液晶弹性常数k_(11)、k_(33)测量的理论研究被引量：8
- 2007年
- 提出了一种更为准确的测量向列相液晶展曲、弯曲弹性常数的C-V方法。以正性液晶材料为例,当沿面排列的液晶分子预倾角不为零时,阈值电压值不易确定,k11的确定必定存在误差,而以前报道并未考虑到此问题。文章针对此问题给出了在强锚定条件下,预倾角不为零时C-V的关系式,并提出了通过曲线拟合来同时确定弹性常数k11、k33的方法。此方法对弹性常数的测量更为准确,液晶盒的制作要求降低,且测试简单、易操作。
- 孔祥建荆海黄霞廖燕平刘金娥
- 关键词：向列相液晶预倾角
- 基于LED图文屏的多灰度图像实现方法被引量：19
- 2006年
- 针对LED图文屏的行列驱动结构,提出一种简单的可实现灰度级控制方法———位平面寻址法,结合CPLD技术,在LED图文屏上实现256灰度级的双色静态图像显示。根据实验中实际碰到的系统速度不够快的问题,采用DSP+CPLD的系统结构得到了较大的改善;针对LED显示屏亮度低的问题,利用人眼的暂留作用以及位平面寻址法的显示原理,通过使LED工作在较大的电流下来解决。实验表明,此方法可以最大限度地利用原有图文屏的简单电路,可靠、价格低廉地显示多灰度LED图像。
- 赵才荣刘金娥丁铁夫
- 关键词：LED显示
- 一种有机电致发光显示的驱动方法
- 本发明属于显示技术领域，是一种有源有机电致发光显示器件的驱动方法。本发明是在通常的数据信号时序中加插了与数据信号相比极性相反的特定信号，即在原数据信号的帧与帧之间加插一帧反极性的特定信号，并且也改变了原数据信号的帧周期，...
- 邵喜斌廖燕平刘金娥张志伟付国柱荆海
- 文献传递
- a-Si:H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计
- 分析了a-Si:H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx:H栅绝缘层和a-Si:H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响.根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si:H-T...
- 刘金娥廖燕平荆海张志伟付国柱邵喜斌
- 关键词：阈值电压漂移电荷注入亚稳态补偿方法
- 文献传递
- a-Si∶H-TFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计被引量：4
- 2006年
- 分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。
- 刘金娥廖燕平荆海张志伟付国柱邵喜斌
- 关键词：阈值电压漂移电荷注入亚稳态
- 一种有机电致发光显示的驱动方法
- 本发明属于显示技术领域，是一种有源有机电致发光显示器件的驱动方法。本发明是在通常的数据信号时序中加插了与数据信号相比极性相反的特定信号，即在原数据信号的帧与帧之间加插一帧反极性的特定信号，并且也改变了原数据信号的帧周期，...
- 邵喜斌廖燕平刘金娥张志伟付国柱荆海
- 文献传递
- AM29F016D在LED显示控制系统中应用被引量：2
- 2005年
- 文中简要介绍了AM29F016D闪速存储器的结构特点、使用方法,并以LED大屏幕显示控制系统为例,说明AM29F016D与单片机的接口及使用方法,并给出实用的硬件接口电路。AM29F016D在该系统中的应用,较好的解决了大容量存储器和低功耗、高可靠性的矛盾,拓宽了LED显示技术的应用范围。
- 赵才荣刘金娥丁铁夫郑喜凤邓春建
- 关键词：闪速存储器LED大屏幕显示硬件接口电路
- 驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作被引量：5
- 2006年
- a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。
- 刘金娥廖燕平齐小薇高文涛荆海付国柱李世伟邵喜斌
- 关键词：阈值电压漂移C-VTFT
