刘奎
- 作品数：13 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 硅基光子分子的设置与制备方法
- 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiN<Sub>z</Sub>的三维限...
- 钱波陈三陈坤基张贤高刘奎丁宏林李伟徐岭徐骏马忠元黄信凡
- 文献传递
- 量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟
- 2008年
- 通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型,对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道三栅结构单电子场效应管(FET)存储特性进行了研究.通过在不同尺寸、栅压和不同写入电荷条件下,对硅量子线沟道中电子浓度的二维有限元自洽数值求解,研究了在纳米尺度下硅量子线沟道中量子限制效应和电荷分布对于器件特性的影响.模拟结果发现,沟道的导通阈值电压随着尺寸的缩小而提高,并随浮置栅内存储的电子数目的增加而明显升高.然而,这样的增加趋势在受到纳米尺度沟道中高电荷密度的影响下将出现非线性饱和趋势.进一步研究发现,当沟道尺寸较小时,沟道内的强量子限制效应能够有效地抑制非线性饱和趋势.另外,由于沟道阈值电压偏移量能灵敏地反映出浮置栅内电子数目的变化,这也为多值存储功能提供了可能.
- 刘奎丁宏林张贤高余林蔚黄信凡陈坤基
- 关键词：量子效应薛定谔方程泊松方程
- 一种制备绝缘层上硅量子线的方法
- 本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法，属于微纳电子学技术领域。该方法包括SOI衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤，使衬底材料的顶层形成所...
- 张贤高陈坤基方忠慧刘奎曹春海康琳徐岭
- 文献传递
- 控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响被引量：3
- 2008年
- 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非晶硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2.eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.
- 丁宏林刘奎王祥方忠慧黄健余林蔚李伟黄信凡陈坤基
- 关键词：二氧化硅纳米硅
- 基于SOI结构的单电子晶体管的数值模拟和制备探索
- 单电子晶体管是基于库仑阻塞效应和单电子隧穿效应工作的，它具有尺寸小、速度快、功耗低、可大规模集成等优点。基于SOI结构的单电子晶体管的制备方法具有与传统CMOS工艺完全兼容的特点，有望成为未来集成电路的结构基础。本文从单...
- 刘奎
- 关键词：单电子晶体管隧穿效应数值模拟
- 基于DFB激光器阵列的可调谐激光器控制系统
- 半导体激光器由于体积小、重量轻、效率高等优点,被广泛应用于通信、科研、军事、医疗等各个领域。按照激射模式的不同,半导体激光器可以分为连续式和脉冲式激光器,不同应用领域对半导体激光器的工作性能提出了不同的要求。在面向光接入...
- 刘奎
- 关键词：可调谐激光器激光器驱动
- 文献传递
- 基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法
- 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO<Sub>2</Sub>层(23)，厚度为1...
- 陈坤基吴良才王久敏余林蔚李伟徐骏丁宏林张贤高刘奎王祥徐岭黄信凡
- 文献传递
- 基于串并联阵列激光器的快速调谐控制系统
- 本发明公开了一种基于串并联阵列激光器的快速调谐控制系统，包括中心控制模块，稳流模块，开关模块，温控模块，激光器阵列模块，功率控制模块，所述中心控制模块分别与稳流模块、温控模块、开关模块电连接，所述开关模块与激光器阵列模块...
- 方涛殷硕方昕奕林康龙刘奎戴攀陈向飞
- 文献传递
- 一种基于四通道并联DFB激光器阵列的线性扫频激光器
- 本发明公开了一种基于四通道并联DFB激光器阵列的线性扫频激光器，包括蝶形封装的四通道并联DFB激光器阵列模块和外围驱动电路；外围驱动电路包括中心控制模块、稳流模块、温控模块；四通道并联DFB激光器阵列模块与稳流模块、温控...
- 李小琨方涛汪启敏刘奎刘哲文王亚光陈向飞
- 文献传递
- 基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法
- 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1－10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO<Sub>2</Sub>层(23)，厚度为1...
- 陈坤基吴良才王久敏余林蔚李伟徐骏丁宏林张贤高刘奎王祥徐岭黄信凡
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