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刘厚方: 作品数：22 被引量：16H指数：1; 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：自动化与计算机技术理学文化科学一般工业技术更多>>

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闭合形状的磁性隧道结: 本发明提供了一种闭合形状的磁性隧道结。包括磁性固定层、磁性自由层以及设置在磁性固定层和磁性自由层之间的阻挡层；磁性自由层包括至少一组复合子层；复合子层由第一磁性层/非磁性层/第二磁性层组成。通过在磁性隧道结中设置具有至少...; 陶丙山李大来刘厚方韩秀峰; 文献传递

新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应被引量：15: 2013年; 典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80%。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1 000%,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200%的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604%的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点。对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍。; 韩秀峰刘厚方张佳师大伟刘东屏丰家峰魏红祥王守国詹文山; 关键词：巨磁电阻效应磁性隧道结磁随机存储器

纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法: 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、...; 韩秀峰刘厚方瑞之万; 文献传递

基于多铁或铁电材料的自旋晶体管: 公开了一种基于多铁/铁电材料利用电场驱动的自旋晶体管器件，该晶体管具有多层膜结构，势垒层可选用多铁材料或铁电材料。该自旋晶体管可采用共振隧穿方式工作，该共振隧穿模式可在外电场下通过多铁性材料或铁电性材料调节，实现传统晶体...; 陶玲玲刘东屏刘厚方韩秀峰; 文献传递

高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用基础研究: 韩秀峰刘厚方魏红祥万蔡华马勤礼于国强丰家峰余天王文秀王琰; 近年来，随着物联网、智能电网和人工智能的快速发展，国内传感器产业将迎来一个黄金时期。基于隧穿磁电阻(TMR)效应的新型磁敏传感器，由于其高性能、高可靠、低功耗和微型化等优点，在高端应用领域正逐步取代传统的低灵敏度磁性传感...; 关键词：; 关键词：磁敏传感器磁性纳米线芯片设计

纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法: 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、...; 韩秀峰刘厚方瑞之万

一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法: 本发明提供一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法，该多层膜由下至上依次包括：基片、底层、参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层具有钉扎结构，用于将探测磁性层磁矩转动的信息转化成电信号，所述探测...; 马勤礼刘厚方韩秀峰; 文献传递

真空红外线加热退火炉: 本发明提供一种真空红外线退火炉，包括样品架、红外线光源、绝热陶瓷环、样品托、测温装置以及真空腔；其中，样品架位于真空腔内，所述红外线光源位于所述样品架的底部，所述样品架的顶端有一开口，所述绝热陶瓷环安放在所述样品架顶端开...; 刘厚方尹林刘金声韩秀峰; 文献传递

具有高输出功率的自旋转矩振荡器及其应用: 本发明涉及具有高输出功率的自旋转矩振荡器及其应用。一种自旋转矩振荡器可包括：第一参考磁层，其具有固定磁化；进动磁层，其具有能绕初始方向进动的磁化；以及第一势垒层，其夹置在所述第一参考磁层和所述进动磁层之间，并且由能产生负...; 魏红祥丰家峰张晓光刘厚方韩秀峰

纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法: 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、...; 韩秀峰刘厚方瑞之万; 文献传递

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