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刘世容

作品数：3 被引量：10H指数：1
供职机构：中国科学院地球化学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇英文
  • 2篇锗
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇低维纳米
  • 1篇低维纳米结构
  • 1篇电子学
  • 1篇纳米
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇激光
  • 1篇激光辐照
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学
  • 1篇光辐照
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱分析
  • 1篇硅锗
  • 1篇硅锗合金

机构

  • 3篇贵州大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇贵州教育学院

作者

  • 3篇刘世容
  • 3篇黄伟其
  • 2篇蔡绍洪
  • 1篇王海旭
  • 1篇金锋
  • 1篇崔朝龙
  • 1篇秦朝建

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇贵州大学学报...
  • 1篇贵州科学

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
激光辐照单晶硅生成低维纳米结构及其Raman光谱分析
2008年
用激光辐照法加工单晶硅样品而生成的低维结构具有较高稳定性及较强光致荧光(PL)谱峰等特点.进一步分析样品的拉曼光谱峰位频移及半高宽变化,对其纳米结构的尺寸进行了表征和指认.
金锋王海旭黄伟其崔朝龙刘世容秦朝建
关键词：激光辐照拉曼光谱
硅锗合金氧化后生成的锗纳米结构的特性研究(英文)被引量：10
2004年
我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理,用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品,获得10-80 nm厚的硅氧化层和1 nm厚的富锗层。新发现快速氧化生成的氧化膜表面有1-2 nm厚的锗层。分析了锗纳米结构对应的PL发光谱,注意到锗纳米层对应的541 nm波长的尖锐的发光峰和不同尺寸的锗原子团对应的从550-720 nm波长的发光带。从量子受限模型和局域密度泛函计算出发,合理地解释了实验的结果。
黄伟其蔡绍洪刘世容
关键词：硅锗合金光电子学
氧化生成的锗纳米结构的量子受限分析(英文)
2003年
研究了硅锗合金的氧化行为,首次发现快氧化生成的锗纳米膜复盖在氧化层上。在PL谱中,我们发现与锗纳米结构相关的一些新的谱峰。量子受限模型和新的算法被给出,较好地解释了PL谱的分布和形成机理。
黄伟其蔡绍洪刘世容
关键词：PL谱
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