冯鹤
- 作品数：23 被引量：18H指数：3
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术核科学技术化学工程更多>>
- RE_(2)O_(3)(RE=Lu,Y,Sc)的氧空位第一性原理计算研究
- 2022年
- 本研究选择三个电子结构类似的稀土倍半氧化物RE_(2)O_(3)(RE=Lu,Y,Sc),建立适当的模型通过第一性原理计算,研究氧空位对体系的电子结构的影响.本研究以密度泛函理论(DFT)为基础,利用PBE泛函加U值修正计算了纯稀土倍半氧化物的能带结构.计算结果表明三种基体材料RE_(2)O_(3)的能带结构相似.在引入氧空位后,其增加的缺陷能级数目不同,依次为:Sc_(2)O_(3)
- 陈士杰冯鹤郭海波
- 关键词：闪烁晶体氧空位第一性原理计算
- 新型闪烁晶体Ce掺杂焦硅酸钇(YPS：Ce)的闪烁与热释光性能被引量：4
- 2010年
- 通过区熔法获得了铈掺杂焦硅酸钇闪烁单晶(Y_2Si_2O_7:Ce^(3+),简写为YPS),并对其闪烁与热释光性能进行了研究.对YPS:Ce闪烁晶体的透过、光输出和光衰减等光学和闪烁性能进行了表征,并对其综合性能进行了评价.其衰减时间为30.16ns,为目前铈掺杂焦硅酸盐闪烁晶体中最快的.并采用热释光测试技术,对YPS:Ce晶体中的缺陷进行了研究,发现在300～500K温度区间内一共有三个热释光峰,分别对应于三个缺陷,通过对二维(温度-光强)的拟合,确定了这三种缺陷的陷阱深度、振动频率等物理参数.并结合三维(温度-波长-光强)热释光谱,提出了YPS:Ce的热释光模型.
- 冯鹤丁栋舟李焕英杨帆陆晟潘尚可陈晓峰张卫东任国浩
- 关键词：热释光
- 不同掺杂对Ba3Y(BO3)3晶体的生长和相变的影响
- 随着激光二极管(LD)逐步取代传统的闪光灯作为固体激光器的泵浦源和一系列掺Yb离子的激光晶体在LD泵浦下实现飞秒脉冲激光和可调谐激光输出,探索新型适合LD泵浦的掺Nd和Yb的激光晶体成为研究热点。在研究掺Nd和Yb的Ba...
- 潘尚可陆晟丁栋舟杨帆冯鹤任国浩王国富
- 文献传递
- 退火对提拉法生长Lu_2Si_2O_7∶Ce晶体闪烁性能的影响被引量：2
- 2009年
- Lu2Si2O7:Ce(LPS:Ce)表现出较高的光输出,平均值约26000photons/MeV(简写为ph/MeV),但通过提拉法获得的晶体发光效率很低.实验对LPS:Ce晶体进行了不同气氛下的退火,研究退火条件对LPS:Ce的发光效率等闪烁性能的影响.发现在Ar气氛下退火对LPS:Ce发光效率的提高没有作用,在空气气氛下退火后可显著提高LPS:Ce的发光效率.通过不同退火工艺的比较,确定了提高LPS:Ce发光效率的最佳退火制度:空气气氛下,退火温度1400℃,退火时间根据样品的大小决定,样品越大,需要的退火时间越长.同时讨论了退火过程中,LPS:Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.
- 冯鹤丁栋舟李焕英陆晟潘尚可陈晓峰张卫东任国浩
- 关键词：退火制度吸收谱发射光谱
- 三种策略的Lu2O3:Eu闪烁晶体的余辉抑制效果
- LuO:Eu闪烁晶体余辉抑制是其重要的研究工作[1],本文采用三种策略,考察了制备气氛、基质组分和Pr共掺对LuO:Eu闪烁晶体余辉水平的影响。样品采用光学浮区法制备,分别为LuO:1%Eu和LuO:8%Eu不同气氛(空...
- 冯鹤薛中军周祖尧董晗睿鱼海航刘长江丁栋舟
- 关键词：余辉共掺杂
- 掺杂抑制氟化钡晶体慢闪烁成分研究进展被引量：2
- 2022年
- 高能物理强度前沿装置、飞行时间技术正电子发射断层扫描、超高频辐射成像和正电子湮灭寿命谱分析等应用对闪烁体的时间响应提出了更高的要求,发展超快衰减闪烁体已成为研究热点之一。氟化钡晶体是一种具有亚纳秒级快闪烁成分的独特无机闪烁体,但其衰减时间约0.6μs的慢闪烁发光成分会在高计数率应用时引起严重的信号堆积。作为一种抑制慢闪烁成分的有效途径,氟化钡晶体慢闪烁成分抑制的掺杂研究在过去三十年受到持续关注。本文回顾了掺杂抑制氟化钡晶体慢闪烁成分的研究历史,提出了掺杂元素选择的基本原则,重点介绍稀土金属(La、Y、Lu和Sc)、碱土金属(Mg、Sr)、过渡金属(Cd)和碱金属(K)等掺杂的慢闪烁成分抑制特性、内在机理和应用研究情况,并展望了所面临的挑战与机遇。
- 郑嘉茜陈俊锋李翔卢保奇卢保奇
- 关键词：氟化钡掺杂
- (Gd_(0.99-x)Y_(x)Ce_(0.01))_(2)Si_(2)O_(7)晶体的生长及发光特性被引量：1
- 2021年
- 通过光学浮区法制备了铈掺杂焦硅酸钇钆(Gd_(0.99-x)Y_(x)Ce_(0.01))_(2)Si_(2)O_(7)(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.7)(简写为GYPS∶Ce)闪烁晶体,并用X射线衍射(XRD)进行了物相识别,发现其属于正交晶系Pna21。通过真空紫外(VUV)激发和发射光谱、光致发光(PL)衰减曲线、X射线激发发射(XEL)光谱、γ射线脉冲高度谱等表征了它们的光致发光特性和闪烁特性。VUV和XEL光谱的发射峰均位于360 nm左右,对应于5d→4f跃迁。样品的PL衰减时间在29.1~32.9 ns之间;闪烁衰减时间快分量约为28~68 ns,慢分量约为256~583 ns。晶体存在Gd^(3+)→Ce^(3+)的能量传递行为。
- 黄诗敏万欢欢杨帆冯鹤
- 关键词：浮区法闪烁晶体
- 焦硅酸镥(Lu_2Si_2O_7:Ce)闪烁晶体的生长与发光性能研究(英文)被引量：3
- 2007年
- 铈掺杂的焦硅酸镥晶体(简写为LPS:Ce)是新近发现的一种具有潜在应用价值的无机闪烁晶体。本文用提拉法成功地生长出尺寸为15mm×40mm的LPS:Ce晶体。XRD结构测试表明,该晶体属于单斜晶系,C2/m空间群,晶体中分布有少量的LPS和石英颗粒包裹体。对从毛坯中切割出的无色透明晶体样品在室温下分别进行了透射光谱、紫外激发、X射线激发发射光谱和衰减时间测试。结果表明,铈(Ce3+)离子掺杂使LPS晶体的紫外吸收边从175nm红移到350nm,紫外和X射线激发的荧光光谱中都可以分解出384nm和412nm两个发射峰,它们分别对应于电子从铈(Ce3+)离子的5d轨道向4f轨道的两个能级(2F5/2和2F7/2)的辐射跃迁,从衰减曲线中可以拟合出一个38.75ns的时间常数。这些发光特征与该晶体独特的晶体结构密切相关。
- 任国浩李焕英陆晟丁栋舟冯鹤王广东
- 关键词：晶体生长发光性能
- Mg共掺杂Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce晶体快发光的作用机理
- 2022年
- Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce(GAGG:Ce)闪烁体综合性能优异,应用前景广阔。为加快GAGG的发光衰减速度,本研究通过提拉法生长了Mg共掺的Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce单晶。测试结果显示,随着Mg^(2+)掺杂浓度增加,晶体的闪烁衰减速度加快,光输出降低。传统解释认为,Mg^(2+)通过电荷补偿作用将部分Ce^(3+)转换成Ce^(4+),后者的发光速度更快。本研究尝试从缺陷的形成与抑制的角度来讨论Mg改善GAGG:Ce晶体闪烁性能的作用机理。由于Ce的离子半径比Gd大,Ce离子掺入将导致发光中心Ce_(Gd)附近的晶格发生畸变。畸变结果为近邻的八面体格位空间变大,反位缺陷将更容易在这些变大的八面体格位形成。最终每个发光中心Ce_(Gd)被四个反位缺陷Gd_(Al)包裹,后者捕获载流子,延缓从基体到发光中心的能量传递,导致发光速度变慢。由于Mg的离子半径介于Gd和Al之间,Mg_(Al)将更容易在上述畸变的八面体格位形成,这会抑制反位缺陷Gd_(Al)在发光中心Ce_(Gd)附近形成(或富集),最终降低(甚至消除)反位缺陷对发光中心的不良影响。XEL测试结果显示,随着Mg掺杂量增大,与反位缺陷相关的发射峰强度变弱,这可以证明Mg对反位缺陷有抑制作用。
- 李铭清王林伟丁栋舟冯鹤
- 关键词：闪烁体
- 一种镨铈掺杂焦硅酸镥发光材料及其制备方法
- 本发明涉及闪烁晶体或荧光粉体材料领域，提供了一种镨铈掺杂焦硅酸镥闪烁晶体或荧光粉及其制备方法，该材料的化学式为(Lu<Sub>1-x-y</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Pr<Sub>y</Sub>)<Sub>2<...
- 任国浩冯鹤丁栋舟潘尚可陆晟张卫东
