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余宽豪

作品数：7 被引量：14H指数：3
供职机构：哈尔滨工业大学理学院物理系更多>>
发文基金：博士科研启动基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇氮氧化硅
  • 2篇电路
  • 2篇氧化硅
  • 2篇互连
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子集成
  • 2篇光互连
  • 1篇低功耗
  • 1篇淀积
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇石英钟
  • 1篇双极
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇双极型
  • 1篇探测器
  • 1篇气相淀积
  • 1篇自对准
  • 1篇晶体管

机构

  • 5篇中国科学院上...
  • 3篇辽宁师范大学
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 7篇余宽豪
  • 3篇祖继锋
  • 2篇陈学良
  • 2篇耿完桢
  • 1篇刘毓成
  • 1篇陈兴文
  • 1篇须国宗

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇光学学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 3篇1995
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
PECVD　SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用被引量：5
1995年
研究了等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氢氧化硅（ＳｉＯＮ）薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）光互连中的潜在应用。
祖继锋耿完桢洪晶余宽豪江志庚李志彭陈学良
关键词：光互连化学气相淀积氮氧化硅
多晶硅超自对准技术在双极超高速器件工艺中的研究
1996年
叙述了在硅双极型超高速工艺中研究使用的多晶硅超自对准技术（ＳＳＴ），通过对器件结构的比较，工艺特点的分析，进行了改善关键技术的探讨，并在我们现有基础条件下，开展了用ＳＳＴ研制晶体管的实验。
余宽豪
关键词：多晶硅自对准CVDRIE
光互连技术的研究现状及发展被引量：5
1997年
本文首先总结了光学互连的主要实现途径，然后评述了光互连的研究现状与最新发展，通过对存在问题的分析，最后给出了有关的结论．
祖继锋陈兴文余宽豪陈学良耿完桢
关键词：光互连VLSIULSI
硅基光导波结构的特性研究
1998年
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮氧化硅（ＳｉＯＮ）所形成的包括通道波导、条波导、倒脊型波导等多种结构的特性。通过对测试结果进一步分析，总结出有关结论并提出一些改进方法。
祖继锋马忠礼余宽豪陈学良陈学良
关键词：硅基底氮氧化硅集成光学光电子集成
采用不同工艺的CMOS钟电路分析及设计
1997年
对早期开发的铝栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨｚ钟电路和近期研制的硅栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨｚ钟电路进行了详细分析比较。随着工艺技术的不断提高和设计改进，使得电路在降低功耗、减小面积方面更加完善，从而提高性能价格比。
余宽豪须国宗
关键词：低功耗石英钟
硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器被引量：4
1995年
文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成光接收机，其中硅ＰＩＮ探测器的光电响应为０．４３Ａ／Ｗ，整机的响应度为４．４×１０３Ｖ／Ｗ，工作频率２５０ＭＨｚ。
余宽豪刘毓成陈学良
关键词：光电子集成电路双极晶体管探测器硅
用于多路信号传输的集成复用技术
1995年
通过对集成复用技术中常用的复用电路和解复用电路的分析，认为选择单节的四路ＭＵＸ和ＤＭＵＸ，结合通常为２～３微米双极高速工艺，比需要更高工艺水平的二节树型分叉结构更有实际意义。实际设计的４：１ＭＵＸ和１：４ＤＭＵＸ电路经模拟验证，用２微米高速双极工艺研制已具有初步功能。
余宽豪
关键词：SPICE模拟
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